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日本设立共同研究室 加快新一代功率半导体氮化镓功研发
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新一代半导体材料氧化镓应用研究
在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。
2022-03-29 14:55:52
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中国领跑第四代半导体材料，氧化镓专利居全球首位
发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。 与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得
2023-04-02 01:53:369067
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纳微半导体新一代氮化镓功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机120W氮化镓充电器成功上市
2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:023763
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纳微半导体发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓芯片，引领氮化镓迈入集成新高度
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成， 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:321257
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8英寸！第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展，产业化再进一步
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度远高于后两者，其禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
氮化镓一瓦已经不足一元，并且顺丰包邮？联想发动氮化镓价格战伊始。
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化镓功率芯片的优势
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓GaN 来到我们身边竟如此的快
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
氮化镓充电器
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓发展评估
氮化镓功率晶体管的引入，氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品，并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
氮化镓技术在半导体行业中处于什么位置？
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力
应对能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体技术，硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能，并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗？
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
GaN基微波半导体器件材料的特性
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场和应用
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化镓器件成本优势
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
MACOM：适用于5G的半导体材料硅基氮化镓（GaN）
的优势，近年来在功率器件市场大受欢迎。然而，其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓发展技术
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
为什么氮化镓(GaN)很重要？
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用呢？
推广应用和推广碳中和”的政策。日本大坂大学的森勇介教授，一直在从事高品质的半导体研究，这一次，我们就氮化镓的研发情况、研究成果对未来的应用前景产生的影响，森教授进行了访谈。目前，功率半导体的应用广泛，其
2023-02-23 15:46:22
什么是氮化镓功率芯片？
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化镓功率芯片？
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化镓（GaN）？
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么阻碍氮化镓器件的发展
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！
从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
基于微带W ilkinson功分器的功率合成电路的研究
随着半导体材料和工艺的不断发展，微波/毫米波功率半导体器件的输出功率量级越来越大， L 波段功率晶体管的脉冲功率已达千瓦量级; X波段功率砷化镓场效应管连续波达到几十瓦，脉冲功率达到500W。但限于
2019-07-09 06:15:48
有关氮化镓半导体的常见错误观念
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势？
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
第三代半导体科普，国产任重道远
未来电动汽车的动力全要靠三代半导体的功率器件了，碳化硅、氮化镓都会在电动汽车里有很大的市场。仅功率器件一项，每辆车就会增加大约300美元的需求。（5）机器人我的天，你是要把未来世界都划进来吗？可是事实
2017-05-15 17:09:48
谁发明了氮化镓功率芯片？
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
迄今为止最坚固耐用的晶体管—氮化镓器件
”的器件。它有多好呢？击穿电压是功率晶体管的关键指标之一，达到这个临界点，半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下，氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
安捷伦携手华大基因研发新一代超级芯片
2012年2月29日，安捷伦科技公司和华大基因正式宣布，双方将共同研究与开发新一代的全基因组关联研究(GWAS)方法。
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日本将与欧洲联手共同研究面向下一代通信标准后的5G
据《日本经济新闻》4月15日报道，日本与欧洲的政企学将联手，面向下下一代通信标准“后5G”启动共同研究。共同研究由日本早稻田大学教授川西哲也主导，欧洲的大学、NEC和德国电信公司等将参与其中。后5G技术的通信速度将达目前普及的通信标准4G的1000倍以上，一张蓝光光碟的高画质电影可在2秒钟内下载完。
2019-04-17 10:07:04807
807氮化镓射频及功率器件项目解析
近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
2020-07-06 08:46:052191
2191半导体氮化铟镓的红色LED，有望成为下一代显示技术的主流
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学的研究人员成功地制造了基于自然发蓝光的半导体氮化铟镓的红色LED，这种红色LED与基于磷化铟镓的发光二极管更稳定，有望成为下一代显示技术的主流。
2020-07-10 11:16:116653
6653重庆邮电大学已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片
据重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义表示，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，其具备体积小、效率高、用电量少等特点。电量能节省10%以上
2020-11-17 14:37:323791
3791纳微半导体出席小米技术demoday，共同展望氮化镓应用未来
全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体，在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上，展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:311289
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氮化镓半导体材料研究
氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一
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纳微半导体宣布全球首个氮化镓功率芯片20年质保承诺
氮化镓作为下一代半导体技术，其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术，集成了氮化镓功率场效应管（GaN Power［FET］）、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:132201
2201美日联手共同研发2纳米半导体芯片
7月29日，美国和日本启动了“2+2”部长级对话的新经济版本。美国和日本宣布，他们将为新一代半导体研究成立一个“新的研发机构”。
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1493功率半导体日本有优势，中国大举投资
用于控制电力的功率半导体的新一代产品已进入普及阶段。使用碳化硅（SiC）的半导体以纯电动汽 用于控制电力的功率半导体的新一代产品已进入普及阶段。使用碳化硅（SiC）的半导体以纯电动汽车（EV）为中心
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1290氮化镓与其他半导体的比较(FOM) 氮化镓晶体管的应用
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-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
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2391氮化镓前景怎么样
氮化镓前景怎么样 氮化镓产业概述 1、产业地位 随着半导体化合物持续发展，相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体，第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC
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1408非极性氮化镓基半导体研究
生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场，这降低了辐射复合率。为了防止这样的极化现象，正在进行对非极性或半极性氮化镓基半导体层的研究。
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氮化镓半导体技术制造
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
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氮化镓是什么半导体材料 氮化镓充电器的优缺点
氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
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9676氮化镓(GaN)功率半导体之预测
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
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鱼得水，从2018年开始，业界对氮化镓关注度不断升温，甚至将7月31日定为世界氮化镓日。 接下来，就让我们一起来探究氮化镓材质的特性如何？氮化镓市场的发展方向？以及氮化镓的封装技术需求？ △图1：第三代半导体发展及特性对比。 氮化镓
2023-02-17 18:13:204101
4101半导体材料：GaN(氮化镓)的详细介绍
三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车
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12双碳时代的芯片可以在氮化镓上造
步，推出采用GaNSense™技术的新一代智能GaNFast™氮化镓功率芯片，为氮化镓技术的探索翻开了新的一页。 氮化镓VS传统的硅，节能又减排 众所周知，硅作为晶体管的首选材料，一直是半导体科技的基
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0氮化镓材料研究
氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以
及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓
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4纳微半导体推出智能GaNFast氮化镓功率芯片
领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
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氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。
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1395纳微新一代GaNSense™ Control合封芯片详解：更高效稳定、成本更优的氮化镓功率芯片
在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
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发货量超75,000,000颗！纳微半导体创氮化镓功率器件出货“芯”高峰
全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性
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金沙江第三代半导体氮化镓芯片应用项目签约鹤壁
徐州金沙江半导体有限公司（以下简称金沙江半导体）据官方消息，公司在2021年被设立，项目发起人氮化镓（的）领域的领导者，氮化镓功率器件及其新应用为主力产品，正在构建新型的idm平台。
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什么是氮化镓半导体器件？氮化镓半导体器件特点是什么？
氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
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3097氮化镓功率芯片功率曲线分析 氮化镓功率器件的优缺点
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
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2506氮化镓功率芯片：革命性的半导体技术
随着科技的不断发展，无线通信、射频设备和微波应用等领域对高性能功率放大器的需求不断增加。为满足这些需求，半导体行业一直在不断寻求创新和进步。其中，氮化镓功率芯片已经成为一项引领潮流的技术，为高频、高功率应用提供了全新的解决方案。
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半导体“黑科技”：氮化镓（GaN）是何物？
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
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车规氮化镓功率模块
建立合作关系，携手研发车规氮化镓（GaN）功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。
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659意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。
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1621氮化镓半导体和碳化硅半导体的区别
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
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4062氮化镓半导体芯片和芯片区别
材料不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材，采用不同的工艺在硅上加工制造，而氮化镓半导体芯片则是以氮化镓为基材，通过化学气相沉积、分子束外延等工艺制备。氮化镓是一种全化合物半导体材料，具有较宽的能隙，电子迁移率高以及较高的饱
2023-12-27 14:58:242956
2956氮化镓半导体属于金属材料吗
氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:324486
4486氮化镓芯片研发过程
氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化镓
2024-01-10 10:11:392150
2150日本NTT和英特尔将共同开发下一代半导体
日本NTT公司和英特尔公司近日宣布，将与多家半导体厂商合作，共同开展新一代“光电融合”半导体的技术合作和批量生产。据悉，日本政府将为这一项目提供450亿日元（约合人民币22亿元）的支援。
2024-01-30 10:17:331192
1192纳微半导体下一代GaNFast™氮化镓技术为三星打造超快“加速充电”
加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:041476
1476镓未来TOLL&TOLT封装氮化镓功率器件助力超高效率钛金能效技术平台
珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
2024-04-10 18:08:092856
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纳微半导体下一代GaNFast氮化镓功率芯片助力联想打造全新氮化镓快充
加利福尼亚州托伦斯2024年6月20日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片获
2024-06-21 14:45:442670
2670纳微半导体发布GaNSli氮化镓功率芯片
近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源以及固态照明电源等多个领域展现出了巨大潜力。
2024-10-17 16:02:311138
1138日本企业加速氮化镓半导体生产,力推电动汽车续航升级
日本公司正积极投入大规模生产氮化镓（GaN）功率半导体器件，旨在提升电动汽车的行驶里程。尽管氮化镓与碳化硅（SiC）在电动汽车功率半导体器件的应用上竞争激烈，但氮化镓因其极低的功率损耗而备受瞩目。
2024-10-22 15:10:021757
1757德州仪器日本会津工厂启动氮化镓功率半导体生产
德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已正式启动氮化镓（GaN）功率半导体的生产。这一举措，加上TI在德克萨斯州达拉斯已有的GaN制造业务，将使TI的GaN功率半导体自有产能增加至原先的四倍。
2024-10-26 15:21:091580
1580日本罗姆半导体加强与台积电氮化镓合作,代工趋势显现
近日，日本功率器件大厂罗姆半导体（ROHM）宣布，将在氮化镓功率半导体领域深化与台积电的合作，其氮化镓产品将全面交由台积电代工生产。这一举措标志着氮化镓市场的代工趋势正在加速发展。
2024-10-29 11:03:391595
1595远山半导体氮化镓功率器件的耐高压测试
氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换效率、开关速度及耐高温等方面优势尽显，在5G通信、新能源汽车、数据中心、消费电子等热门领域，发挥重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570
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德州仪器氮化镓功率半导体产能大幅提升
近日，美国芯片大厂德州仪器（TI）宣布了一项重要进展。其位于日本会津的工厂已经正式投产基于氮化镓（GaN）的功率半导体。这一举措标志着德州仪器在氮化镓功率半导体领域迈出了坚实的一步。
2024-10-29 16:57:591238
1238合作案例 | 一文解开远山氮化镓功率器件耐高压的秘密
、消费电子等热门领域，发挥重要的作用。面向中高功率市场的氮化镓半导体IDM远山半导体是一家第三代半导体研发与生产企业，具备完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技术与生
2024-11-12 15:58:331226
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第三代半导体氮化镓(GaN)基础知识
的应用领域，在科技界掀起了一阵热潮。 氮化镓是什么？氮化镓可以被看作是一种新型的半导体材料，它由镓（Gallium）和氮（Nitrogen）元素组成。相比于第一代硅和第二代砷化镓半导体，氮化镓具有更高的电子迁移率和更宽的能带间隙，使得它在功
2024-11-27 16:06:503150
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英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！
作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正
2024-12-06 01:02:431400
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英诺赛科香港上市，国内氮化镓半导体第一股诞生
家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，自成立以来，始终致力于推动氮化镓技术的创新与应用。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品线覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片以及模组等多个领域，能
2025-01-02 14:36:301522
1522安森美推出垂直氮化镓功率半导体
随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。这些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161981
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