重庆邮电大学已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片
据重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义表示，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，其具备体积小、效率高、用电量少等特点。电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。
此外，由重庆邮电大学规划的‘重庆集成电路设计创新孵化中心’现已入驻西部（重庆）科学城。该中心将着力建设集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台，提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持。
责任编辑:pj
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