宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料,禁带宽度大于2eV,这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。
2016-12-05 09:18:34
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小也属于正常现象,特别是碳化硅市场,目前还处于发展初期。 图:泰科天润半导体科技(北京)有限公司董事长总经理陈彤 对于目前第三代半导体产量偏低,其实是有原因的。在不久前的“中国芯”-宽禁带半导体助力碳中和发
2022-01-06 10:14:16
4704 一、测试需求:功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管[IGBT) ,这些功率器件提供了快速开关速度,能够耐受没有规律的电压峰值,被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其最新第三代半导体
2021-05-20 11:17:57
硅材料的研究也非常透彻。基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新,正在逐渐接近硅材料的极限,基于硅材料的器件性能提高的潜力愈来愈小。以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备优异
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL,KSZ8873RLL评估板是第三代完全集成的3端口开关。 KSZ8873RLL的两个PHY单元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
3G定义 3G是英文3rd Generation的缩写,至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机(1G)和第二代GSM、TDMA等数字手机(2G)来说,第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
IMT-2000的优势主要在于能够使用宽带服务,大大改进目前在GSM和TDMA/136上提供的标准化服务。第三代移动通信系统将提供 384kbps的广域数据通信服务和大约2Mbps的局域数据通信服务。新的用于
2009-11-13 21:32:08
(PATRO)高解析强光抑制摄像机、帕特罗(PATRO)远距离红外一体摄像机、帕特罗(PATRO)红外防雷摄像机 正当IR-III技术以新脸孔出现在红外夜视市场时,市场上也出现了第三代阵列式红外摄像机,造成
2011-02-19 09:35:33
,到目前全球首推的第三代红外技术,红外夜视领域经历了一场场红外技术新革命,引领着夜视监控行业向更深更远的方向发展,给安防市场制造着一个又一个亮点。红外技术早在60年代初期由美国贝尔实验室研发
2011-02-19 09:38:46
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
2025-12-25 09:12:32
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过:https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生:`
2013-08-10 15:35:19
据业内权威人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复:第三代移动通信系统IMT2000,是国际电信联盟(ITU)在1985年提出的,当时称为陆地移动系统(FPLMTS)。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起,UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命,这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖,引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术,根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术,属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
;6.带有pulse工作模式,使用pulse测试可以消除自加热效应;7.开放设备底层指令,附带编译软件,支持自编程;8.提供高压高流测试夹具,保证测试安全。泰克吉时利产品提供各类材料电参数测试方案,如果您想了解吉时利源表更多应用方案,欢迎访问安泰测试网
2022-01-23 14:15:50
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
随着企业计算从第三代串行标准转向第四代串行标准,我们的客户需要一台高精度示波器,支持并可扩展地进行无缝转换。DPO70000SX的最低型号为23或33GHz,其可扩充的结构提供了“升级空间“,在
2016-06-08 15:02:10
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展,给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据,以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
导读:苹果第三代AirPods预计会在今年年底前上市。 4月24日,据产业链最新消息,苹果正在准备第三代AirPods,预计会在今年年底前上市,而今年3月份苹果刚刚发布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍,诸多的评论都说到他的优势,小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能-砷化镓太阳能模块。想说,现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
第三代移动通信系统及其关键技术:第三代移动通信系统及其关键技术详细资料。文章对第三代移动通信系统及国际电联提出的IMT-2000发展过程及研究现状进行了介绍
2009-05-20 11:19:05
40 文章介绍了第三代LonWorks 技术的应用方向和结构,以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 产品以及它们的主要技术特点和性能。关键词LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 00904774第三代通信网管构架:
2009-06-18 16:53:14
22 第三代移动通信技术与业务:蜂窝移动通信标准的演进,第三代移动通信标准化格局,技术不断进步背后的苦干问题。
2009-08-02 14:35:46
12 第三代移动通信系统全面讨论了第三代移动通信系统的无线传输技术等新技术,内容涵盖了第三代移动通信的基本概念、CDMA技术的基本原理、无线传播环境的相关知识、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:53
0 第三代移动通信系统的无线接:WCDMA技术与系统设计是专门介绍第三代移动通信系统中WCDMA无线传输技术的专著。《WCDMA 技术与系统设计:第三代移动通信系统的无线接入(第2版)
2009-08-21 10:38:39
32 第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构,以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon®铂金处理器(第三代)Intel® Xeon®铂金处理器(第三代)是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能,设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器(第三代)Intel® Xeon®金牌处理器(第三代)支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器(第三代)Intel®Xeon®可扩展处理器(第三代)针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化,具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
第三代移动通信常识
1、3G定义
3G是英文3rd Generation的缩写,指第三代移动通信技术。相对
2009-06-01 21:03:57
2976 什么是第三代移动通信系统
第三代移动通信系统IMT2000,是国际电信联盟(ITU)在1985年提出的,当时称为陆地移动系
2009-06-13 22:20:55
1326 支持第三代6.0Gbps的PCIE-SATA适配器系统IP
目前,爱普斯微电子推出业界首款支持第三代SATA 6.0Gbps的控制器系统IP,aips2103和aips2104。其中aips2103采用PCIE1.1 x4配置,支持1个S
2009-11-11 16:51:36
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泰景信息科技推出第三代模拟移动电视接收芯片TLG1121
泰景信息科技 (Telegent Systems)近日宣布,公司研发出第三代模拟移动电视接收CMOS单芯片TLG1121。TLG1121 是泰景第一款
2010-02-09 08:41:04
1000 吉时利仪器提升全自动化生产参数测试方案——S530参数测试系统产品线在几个方面的性能,这些性能提升包括增加了吉时利新的高吞吐量开关主机用于高完整性的信号切换
2011-02-14 09:21:58
1877 介绍第三代移动通信系统网络规划的基本过程,规划策略,应考虑的各种因素。详细介绍了第三代移动通信系统中位置区域和寻呼区的规划。
2011-02-17 17:35:15
23 吉时利的S530参数测试系统采用了成熟的源和测量技术,可满足工艺控制监测、工艺可靠性监测以及器件特性分析所需的全部直流和C-V测量。 针对高混合测试环境优化设计 S530参数测试系
2011-09-28 18:23:16
19 吉时利仪器公司持续强化S530参数测试系统,使这款测试系统成为半导体业界高速产品参数测试最具成本效益的解决方案。在最新版本吉时利测试环境软体(KTE V5.4)的支援下,S530目
2012-03-28 09:20:20
1206 吉时利仪器公司不断增强半导体行业性价比最高的高速生产参数测试方案——S530参数测试系统的功能。由于有吉时利测试环境软件(KTE V5.4)的支持,S530目前配置为48引脚全Kelvin开关以
2012-03-30 11:05:19
1177 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道,苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏,这种技术将使iPad变得更薄,电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16
724 第三代半导体是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料。预测2018年是第三代半导体产业化准备的关键期,第三代半导体设备行业将迎来景气拐点。到2025年,第三代半导体器件将大规模的使用。
2017-12-19 11:56:16
3737 以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点,有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,市场应用潜力巨大。根据第三代半导体不同的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域。
2018-09-03 14:40:00
986 继5G、新基建后,第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外,更重要是有证券研报指出,第三代半导体有望纳入重要规划,消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒,有个人投资者
2020-09-21 11:57:55
4538 日前,在纪念集成电路发明60周年学术会议上,中科院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士做了题为《宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展》的报告。郝跃院士详细讲解了第三代半导体材料的优势。
2018-10-23 14:36:13
14980 第三代半导体,又称宽禁带半导体,是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,具备高压、高温、高频大功率等特性。
2019-06-21 10:29:31
8930 碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。
2020-09-02 11:56:35
1905 第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是砷化镓(GaAs),为4G时代而生,目前的大部分通信设备的材料。
第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带的半导体材料,是未来5G时代的标配
2020-09-04 19:07:14
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而前不久一则“我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定的‘十四五’规划,以期实现产业独立自主”的“传闻”更是把第三代半导体推至资本市场的风口,一时间成为了热议产业。
2020-09-22 10:51:09
2319 什么是第三代半导体? 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体
2020-09-28 09:52:20
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第三代宽禁带半导体器件 GaN 和 SiC 的出现,推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗,又能处理超高速 dv/dt 转换,且支持超快速开关切换频率,带来的测试挑战也成了
2020-10-30 03:52:11
1116 。 什么是第三代半导体? 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别? 一、材料 第一代半导体材料,发
2020-11-04 15:12:37
5552 第三代半导体指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体材料共经历了三个发展阶段:第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体材料;
2020-11-06 17:20:40
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Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:57
1258 ,什么材料会再领风骚?记者采访了专家。 禁带宽度,是用来区分不同代际半导体的关键参数。 作为第三代半导体,氮化镓和碳化硅的禁带宽度分别为3.39电子伏特和3.26电子伏特,较高的禁带宽度非常适合高压器件应用。氮化镓电子饱和速度
2021-01-07 14:19:48
4256 更加精准,助力智能产业升级。 据高德介绍,第三代车载导航是软硬件结合的小一袋车载导航解决方案,依托合作车企的全栈自研能力,已率先与小鹏汽车达成合作。 第三代车载导航不仅将导航由道路级升级为车道级,同时将自动驾驶系统感
2021-01-22 18:05:14
4757 新产品,在新的赛道上迈出了坚实的步伐。 01 新赛道 开新局 第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外,还具有高导热
2021-04-22 11:47:10
3594 EE-230:第三代SHARC®系列处理器上的代码覆盖
2021-05-25 15:18:41
7 泰克发布的这一全新测试系统有助于加快制造速度,因为它缩短了测试时间,进而加快了新芯片的上市速度。
2021-09-29 11:49:24
1410 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:31
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由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)主办、泰克科技(中国)有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳召开。
2021-12-29 14:04:04
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第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新,基于其高速,小体积,低功耗的特点,越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到,传统的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:06
1577 
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
2022-02-25 15:49:28
44 日前,基于SiC和GaN的第三代半导体技术蓬勃发展,其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头,以其优越的160dB
2022-05-12 14:54:17
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“三芯起 万物声”启英泰伦第三代语音识别芯片要来了,2022年7月28日启英泰伦第三代语音识别芯片即将发布,我们一起先来了解一下。 为优化启英泰伦第三代语音识别芯片的性能,启英泰伦董事长何云鹏带领
2022-07-25 15:02:31
1324 企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室。开放实验室以泰克测试设备为核心,结合泰克在全球三代半导体产业积累的丰富经验,与国内一线方案合作伙伴共同打造,致力于加速中国第三代半导体行业创新发展、工艺优化、良率提升,让工程师的工作更高效更有信心。 应对易变性未来,支持本
2022-09-26 09:48:54
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2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有
2022-12-09 14:29:42
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在这种情况下,第三代化合物半导体材料——碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比,宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-01 14:39:43
1358 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料,是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大,对应电子跃迁导带能量越大,从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:58
10871 在这种情况下,第三代化合物半导体材料——碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料进入了大众的视线。与前两代半导体材料相比,宽禁带半导体材料因其在禁带宽度和击穿场强等方面的优势以及耐高温、耐腐蚀、抗辐射等特点
2023-02-03 11:09:46
1997 第三代半导体材料有哪些 第三代半导体材料: 氨化家、碳化硅、氧化锌、氧化铝和金刚石。 从半导体材料的三项重要参数看,第三代半导体材料在电子迁移率、饱和漂移速率、禁带宽度三项指标上均有着优异的表现
2023-02-07 14:06:16
6767 第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域,包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈,受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59:48
3757 
、射频应用中的显著
性能优势,第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体,即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料,又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化镓
2023-02-27 15:23:54
2 作者 | 薛定谔的咸鱼 第三代半导体 主要是指氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体,它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点
2023-02-27 15:19:29
12 第一代、第二代、第三代半导体之间应用场景是有差异的。以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体应用场景十分广泛,
从尖端的CPU、GPU、存储芯片,再到各种充电器中的功率器件都可以做。虽然在某些
2023-02-27 15:20:11
3 、射频应用中的显著
性能优势,第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体,即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料,又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化镓
2023-02-27 14:37:56
1 所谓第三代半导体,即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料,又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氧化锌(ZnO)和金刚石等,其中
2023-05-18 10:57:36
2109 第95期什么是宽禁带半导体?半导体迄今为止共经历了三个发展阶段:第一代半导体以硅(Si)、锗(Ge)为代表;第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表;第三代半导体是以碳化硅
2023-05-06 10:31:46
6543 
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54
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。面对新材料、新器件和新特性在设计、生产和使用中的全新挑战, 泰克结合多年在第三代半导体产业的丰富经验和领先的功率器件动态参数测试系统为客户提供支持服务 ,同时在北京成立第三代半导体测试实验室,帮助行业内客户、合作
2023-09-04 12:20:01
1008 材料领域中,第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体,或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:27
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随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代,能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始成为市场宠儿,开启了第三代半导体的新纪元。
2023-09-22 15:40:41
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第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比,第三代半导体具有许多优势,这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:28
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高通第三代骁龙8采用4纳米工艺 支持在终端侧运行超100亿参数的生成式AI 前两天高通公司在骁龙峰会发布了针对笔记本电脑的骁龙X Elite和针对手机移动端的第三代骁龙8。 高通第三代骁龙8处理器
2023-10-26 19:29:28
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2021年第三代半导体系列报告之二
2023-01-13 09:05:55
4 点击上方 “泰克科技” 关注我们! 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见,典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02
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2023年11月29日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)和“第三代半导体标准与检测研讨会”成功召开,是德科技参加第九届国际第三代半导体论坛(IFWS),并重磅展出第三代半导体动静态测试方案
2023-12-13 16:15:03
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领先的测试与测量解决方案提供商泰克科技,5系列B MSO混合信号示波器荣获年度优秀产品奖。 本届行家极光奖特别设立了【年度企业】、【年度优秀产品】、【十强榜单】三大奖项,力图为第三代半导体行业树立标杆,提升企业品牌认知度和影响力,为行业发展注入
2023-12-21 17:40:02
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近日,高通技术公司宣布,其第三代骁龙8(for Galaxy)旗舰移动平台将为三星电子的最新旗舰Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外,该平台还将在部分地区为Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
2024-02-01 14:45:47
1582 日前,高通举办新品发布会,推出了骁龙8旗舰移动平台诞生以来的第一款新生代旗舰平台:第三代骁龙8s,这是高通对骁龙旗舰移动平台的一次层级扩展,同时意味着广大消费者未来在旗舰手机市场也将会有更多丰富
2024-03-21 21:04:19
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第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势,且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带化合物半导体
2024-12-05 09:37:10
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本文介绍第三代宽禁带功率半导体的应用 在电动汽车的核心部件中,车用功率模块(当前主流技术为IGBT)占据着举足轻重的地位,它不仅决定了电驱动系统的关键性能,还占据了电机逆变器成本的40%以上。鉴于
2025-01-15 10:55:57
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一、引言随着科技的不断发展,功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性,逐渐
2025-02-15 11:15:30
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