本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738 有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
度的漂移层实现高耐压。 因此,在相同的耐压值情况下,SiC可以得到标准化导通电阻(单位面积导通电阻)更低的器件。 例如900V时,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情况下,SiC可以得到标准化导通电阻(单位面积导通电阻)更低的器件。例如900V时,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试,结果如下。试验证明,所有特性如导通电阻,漏电流等都没有变化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度
2018-11-30 11:30:41
。 首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
`请问:图片中的红色白色蓝色模块是什么东西?芯片屏蔽罩吗?为什么加这个东西?抗干扰或散热吗?这是个SiC MOSFET DC-DC电源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能够在1/35大小的芯片内提供与之相同的导通电阻。其原因是SiC MOSFET能够阻断的电压是Si MOSFET的10倍,同时具备更高的电流密度和更低的导通电阻,能够以更快速度(10 倍)在导
2019-07-09 04:20:19
(MPS)结构,该结构保持最佳场分布,但通过结合真正的少数载流子注入也可以增强浪涌能力。如今,SiC二极管非常可靠,它们已经证明了比硅功率二极管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
产品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产,加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
-SBD的温度依存性与Si-FRD不同,温度越高,它的导通阻抗就会增加,从而VF值也增加。不易发生热失控,所以可以放心地并联使用。3. SiC-SBD的恢复特性Si的快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管)在从
2019-03-14 06:20:14
-SBD的温度依存性与Si-FRD不同,温度越高,它的导通阻抗就会增加,从而VF值也增加。不易发生热失控,所以可以放心地并联使用。3. SiC-SBD的恢复特性Si的快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管)在从
2019-04-22 06:20:22
情况下,SiC可以得到标准化导通电阻(单位面积导通电阻)更低的器件。例如900V时,SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1,就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
的Si-PND不同。Si-FRD随着温度升高电阻下降,VF降低,而SiC-SBD随着温度升高VF也升高。这个特性有利有弊,当并联使用Si- FRD时,当一端的二极管产生电流偏差时可能会发生热失控,而
2018-12-03 15:12:02
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ,高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
DCDC的并联均流怎么设计
2022-05-05 11:01:21
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
谁能帮我解释一下:IGBT均流的问题:三相逆变的电流不平衡,相与相之间的电流相差10-15安培(两个IGBT并联在一起为一相电流)?
2012-06-02 09:02:05
都只能做到500W,假如先做4路并联,均流问题有什么好的方案可以推荐吗?如果后面再采用三个2KW并联,这个并联均流问题如何解决,能推荐一下吗?谢谢!
2024-01-08 07:21:12
MOS管并联均流技术分析IGBT管并联均流技术分析BJT 管并联均流技术分析普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
的均流,因此当电路中电流很大时,一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时,当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时,电流大的MOS管产生的热量多,从而引起导通电...
2021-10-29 07:04:37
MOS管具有正温度系数,网上很多说不需要均流电阻。三极管是负温度系数,才需要在发射极串接均流电阻。网上看到有人说,MOS管只在一定的电流范围内才能起到均流作用,那么大电流下还是要加均流电阻咯。现在
2021-01-05 18:19:30
5.405亿美元,年复合增长率(CAGR)超过18%。此外,IHS Markit的研究表明,预计SiC MOSFET器件到2025年将产生超过3亿美元营收,几乎达到肖特基二极管的水平,成为第二大畅销SiC分立
2018-10-23 16:22:24
大家好,我打算在逆变器应用中使用sic mosfets(2级或3级),我搜索了一些制造商和价格,我看到sct30n120和ST说'非常快速和强大的内部体二极管(不需要外部续流二极管,因此,更紧
2019-05-29 06:12:00
MOSFET电容特性建模Saber软件MOSFET体二极管电流与电压特性曲线建模Saber软件MOSFET体二极管反向恢复特性建模与MOSFET模型编译使用MOSFET模型仿真验证Id_Vgs有效性
2017-04-12 20:43:49
上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
均流。均流的方法有很多种。例如:1.输出阻抗法,又叫下垂法、倾斜法、电压调整率法。是通过调节电源的输出内阻的方式来实现的。这个方法的特点是简单。但最大的缺点是电压调整率差。2.主从设置法,人为的在并联
2018-07-28 14:13:50
输出,或者通过倍压整流电路将交流电转换为高压直流电输出。 利用多个DC-DC模块电源并联均流并实现输出电压的稳定保持,是工程师在实际操作中比较常见的工作之一。此前我们曾经为大家介绍过多种不同的并联均
2018-10-23 15:58:49
` 首先万分感谢罗姆及电子发烧友论坛给予此次罗姆SiC Mosfet试用机会。 第一次试用体验,先利用晚上时间做单管SiC Mos的测试,由于没有大功率电源,暂且只考察了Mos管的延时时间、上升时间
2020-05-21 15:24:22
项目名称:SiC MOSFET元器件性能研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路,整个评估板提供了一个半桥电路,可以支持Buck,Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成,上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V,负载我们设为0.9Ω的阻值,通过下图来看实际的输入和输出情况:图4 输入和输出通过电子负载示数,输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
,MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ,我们希望通过使用新型开关管以提高开关频率,缩小设备体积,提高效率,所以急需该评估版以测试和深入了解SiC MOS的性能和驱动,望批准!项目计划1
2020-04-24 18:08:05
有罗姆,英飞凌,Cree,意法半导体等,因为罗姆在官网提供比较易得的SiC参数性能和仿真模型,之前也有了解一些SiC管性能参数,下载模型在软件做一些简单的仿真。这次提供的试用开发板和对应插件正好可以
2020-05-19 16:03:51
;Reliability (可靠性) " ,始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性:第一个高压特性,比硅更好一些;而是高频特性;三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
的差异,导致IGBT并联时电流不均衡。本文分析了带输出电抗器均流的三相三相全桥逆变器的并联均流特性,设计了输出电抗器参数,给出了仿真和试验结果,试验结果表明了对并联特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能,一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍,具有更高的电流密度,能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
SiC MOSFET的引脚安装了小容量的电容器。缓冲电容器的效果下面是在上述三种条件下,在SiC MOSFET关断、切断电流时漏极-源极间产生的浪涌波形。靠近SiC MOSFET的引脚添加了电容器
2018-11-27 16:39:33
准备用几个锂电池并联做大电流放电(2.5A峰值)用不用均流?有专门的IC卖吗?求解答谢谢~
2016-01-05 17:50:04
本资料主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了
2019-03-01 15:37:55
二极管,多数情况下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路(2)(1):等效电路(门极加控制)(2):说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通,也可用一电阻等效,该电阻与温度
2018-10-25 16:11:27
本文首先分析了电源的并联特性及均流的一般原理,又详细分析了几种电源并联均流的技术,最后提出了基于AVR单片机为控制核心,附带有RS485通信协议、电压电流采集和显示以及调节电源的输出电压和实现各路电源的异常工作的声光报警的计算机均流技术方案,实现了数字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6处理器作为主控芯片,实现了一种以CAN总线为通信媒介、具有稳压/稳流/安培时/工艺曲线/远程控制5种工作模式、液晶图形显示的数字式电镀电源并联均流系统(以下简称
2018-08-20 10:08:28
集成度、丰富且性能出众的片上外设、编程复杂度低等优点。数字式电镀电源并联均流系统以数字通信和控制的方式实现多个电源模块的并联工作,提供更大的输出功率,具有组合灵活、可靠性高、人机接口友善、工作模式多样等
2018-08-30 14:00:49
某颗MOS管的电流比较大,这颗MOS管会发热比较严重,内阻会升高比较多,电流就会降下来,由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 2.MOS管的并联电路 理论上MOS管可以由N颗并联
2018-10-12 16:47:54
在电源的设计开发中,对于大功率电源的使用范围也是越来越广泛,此类电源是开关电源的一种,比较广泛的应用与电力通讯行业。大功率开关电源也同样在近来几年中开端盛行并联均流的供电规划。如今这样的并联均流
2016-04-07 11:40:06
两相交错并联Boost电路,当两支路的电感大小不同,而引起两支路电流不相等时,应该如何调节??如何实现均流呢??求助
2016-11-27 14:01:01
的反向恢复导致连续导通模式(CCM)下的高功率损耗,使其不适用于高功率应用。随后,与SiC肖特基二极管并联的lGBT被认为取代CCM图腾柱PFC和CLLC转换器中的硅MOSFET[8]。遗憾的是,由于
2023-02-27 09:44:36
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
有关buck并联供电系统中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管,包括体二极管的反向恢复特性在内,特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
应用看,未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到,一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术,那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
某颗MOS管的电流比较大,这颗MOS管会发热比较严重,内阻会升高比较多,电流就会降下来,由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 2.MOS管的并联电路 理论上MOS管可以由N颗并联
2018-11-28 12:08:27
批量生产时LED灯具参数的一致性。■SIC9654具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。●特性:■内部集成650V功率管■±3%以内的系统恒流
2022-02-17 15:42:55
,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡,这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET器件的内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作
2016-09-26 15:28:01
碳化硅(SiC)等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比,SiC显著降低了导通和关断损耗,并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
和可靠运行。均流技术就是对系统中各并联电源的输出电流加以控制,尽可能均分系统输入总电流,确保多台电源可靠运行的一种特殊措施。图1所示为多台开关电源并联均流实现大功率电源系统的示意图。本文就自动均流技术
2011-07-13 15:19:57
输入动作禁止功能)、过流保护、二次侧电压过压保护等。在高耐压应用中,与Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET具有开关损耗及传导损耗少、温度带来的特性波动小的优点。这些优点有利于解决近年来的重要课题
2018-11-27 16:54:24
肖特基二极管并联的lGBT被认为可以代替CCM图腾柱PFC和CLLC转换器中的硅MOSFET [8]。可悲的是,由于IGBT的高开关损耗,实际的开关频率受到限制。进一步,由于SiC MOSFET的体二极管
2019-10-25 10:02:58
都只能做到500W,假如先做4路并联,均流问题有什么好的方案可以推荐吗?如果后面再采用三个2KW并联,这个并联均流问题如何解决,能推荐一下吗?谢谢!
2018-07-27 08:56:50
模块电源市场日趋成熟,并联均流有何优缺点?
2021-03-16 09:24:11
研发的SiC MOSFET为例,即使在摄氏200度以上时,SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP专案的SiC MOSFET开发主要在2018年进行。图3、图4、图5分别提供元件
2019-06-27 04:20:26
基于LTC4350的并联均流技术应用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。
2010-09-30 16:29:3090 本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,
2010-11-11 15:34:22201 Multisim仿真—电路&模电&数电电路分析基础
2.1 L 、C并联谐振回路频率特性的仿真测试
2015-12-04 14:48:298 近年来,宽禁带半导体SiC器件得到了广泛重视与发展。SiC MOSFET与Si MOSFET在特定的工作条件下会表现出不同的特性,其中重要的一条是SiC MOSFET在长期的门极电应力下会产生阈值漂移现象。本文阐述了如何通过调整门极驱动负压,来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。这篇微信文章将延续“仿真看世界”系列一贯之风格,借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析
2021-03-11 09:22:053311 损耗Erec 降低30%以上IGBT的开通损耗Eon 因此,在中小功率光伏与UPS等领域,诚乃极具性价比之选。 上个回合,我们已仿真分析过SiC MOSFET开关
2021-03-26 16:40:202346 桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高温与耐高压特性 基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性,其能获得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:276630 关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接线图,并解释了如何将其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32:481030 上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032100 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,
2023-02-16 09:40:102935 在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供
2023-06-16 14:39:39538 SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:071113 探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-01-12 14:33:03991 MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40:33308 MOSFET的基本结构。SIC MOSFET是一种由碳化硅材料制成的传导类型晶体管。与传统的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的迁移率和击穿电压,以及更低的导通电阻和开关损耗。这些特性使其成为高温高频率应用中的理想选择。 SIC MOSFET在电路中具有以下几个主要的作用: 1. 电源开关
2023-12-21 11:27:13686
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