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模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。
低压超级接面结构优化MOSFET性能

低压超级接面结构优化MOSFET性能

采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点,亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性...

2011-12-08 标签:MOSFET 2425

金卤灯电子镇流器设计

金卤灯电子镇流器设计

本文是针对目前各厂碰到的一些电路结构的分析,并结合本人在电路设计方面的经验所得出的一些心得体会。 ...

2011-12-07 标签:电子镇流器 4137

选频放大器设计

选频放大器设计

在通频带内信号得到大失真放大,而通带之外的其他无用的干扰则补放大滤除,实现了对某一通带的频率信号有选择地放大。...

2011-12-07 标签:选频放大器 3615

如何安装拾音器

拾音器的安装考虑到复杂的施工环境, 推荐使用0.5mm2截面3 芯信号电缆。即常用的3×0.5 RVVP电缆....

2011-12-06 标签:拾音器 13536

传送视频的硅调谐器工作原理分析

传送视频的硅调谐器工作原理分析

近几年半导体工艺技术和IC设计技术发展很快,形成了硅调谐器多种技术并存、多个半导体国际大厂参与竞争的局面。...

2011-12-06 标签:视频硅调谐器 4537

为同步整流选择最优化的MOSFET

为同步整流选择最优化的MOSFET

本应用笔记介绍了通过利用英飞凌OptiMOS™3解决方案的优化表帮助选择最佳MOSFET的方法。 ...

2011-12-06 标签:MOSFET同步整流 9176

鉴频鉴相器的指标对锁相环死区及抖动性能的影响

鉴频鉴相器的指标对锁相环死区及抖动性能的影响

该应用笔记讨论了鉴频鉴相器的指标对锁相环(PLL)死区及抖动性能的影响。...

2011-12-06 标签:锁相环鉴频鉴相器 6916

模拟器件的PLC/DCS模拟输出模块

模拟器件的PLC/DCS模拟输出模块

模拟器件的PLC/DCS模拟输出模块,AD5750-1是一款工业用电流/电压输出驱动器,在大批量生产中,它无需外部精密电阻或校准程序就能保持一致的性能,因而是PLC或DCS模块的理想选择。...

2011-12-05 标签:plcDCS模拟器件模拟输出 2950

基于AD7793的完整热电偶测温系统

AD7793是一款适合高精度测量应用的低功耗、低噪声、完整模拟前端,内置PGA、基准电压源、时钟和激励电流....

2011-12-05 标签:AD7793 18574

精密ADC用差分驱动器

精密ADC用差分驱动器

差分输入ADC的一种最普通的驱动方法是使用变压器。不过,因为许多应用中频率响应必须延伸至直流,从而无法使用变压器来驱动。...

2011-12-05 标签:adc差分驱动器 4845

高速ADC用差分驱动器概述

高速ADC用差分驱动器概述

许多高性能ADC设计均采用差分输入。全差分ADC设计具有共模抑制性能出色、二阶失真产物较少、直流调整算法简单的优点。...

2011-12-05 标签:高速ADC差分驱动器 8806

数据转换器:集成、低成本更需了解系统

数据转换器:集成、低成本更需了解系统

业界分析人士都一致认为,便携性、"绿色"节能以及在终端设备中集成更多的传感器是系统发展趋势。这些趋势推动了对于模数转换器 (ADC) 和数模 (DAC) 转换器高通道数、高速度和高性能...

2011-12-05 标签:adc模数转换器数据转换器 2335

超级大电容结构与超再生接收电路

超级大电容结构与超再生接收电路

超级电容模式是针对以上两种结构的局限而产生的,因为前两种结构的最大输出电流受到电池使用规格的限制。...

2011-12-03 标签:超级电容 1555

200V/100A的VDMOS器件开发

200V/100A的VDMOS器件开发

详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明,该器件反向击穿特性良好...

2011-12-02 标签:VDMOS 4288

优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

目前市场上使用较多的主要是N沟道增强型VDMOS产品,其也是目前各半导体公司开发生产的主流功率MOSFET产品。...

2011-12-02 标签:VDMOS 5816

LDMOS的性能与制造工艺

与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB...

2011-12-01 标签:LDMOS 4774

LDMOS和VDMOS

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET。 ...

2011-12-01 标签:VDMOSLDMOS 42184

LDMOS器件静电放电失效原理

LDMOS器件静电放电失效原理

通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比,指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。 ...

2011-12-01 标签:静电放电LDMOS 12695

LDMOS结构/优点

LDMOS结构/优点

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的...

2011-12-01 标签:LDMOS 11100

为移动设备选择音频放大器

为移动设备选择音频放大器

本文旨在探讨移动电话和便携音频系统中可以改善音频质量的几个方面,它们中有许多都使用了一款带有内置模拟音频输出的处理器。...

2011-12-01 标签:移动设备音频放大器 1071

SiC上沉积的GaN最新技术

为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。...

2011-12-01 标签:SiCGaN 1965

编码器应用问答

增量型旋转编码器有分辨率的差异,使用每圈产生的脉冲数来计量,数目从6到5400或更高,脉冲数越多,分辨率越高;这是选型的重要依据之一。 ...

2011-11-29 标签:编码器 6504

20~40W电子镇流器原理与维修

20~40W电子镇流器原理与维修

电感镇流器的缺点是体积和重量比较大,自身功耗大,有噪音。而电子镇流器具有低电压启辉、无频闪、无噪音、高效节能、开灯瞬间即亮的优点...

2011-11-29 标签:电子镇流器 210993

可调电压稳压器LM317T结构图分析

可调电压稳压器LM317T结构图分析

一个PWM信号控制一只LM317T,美国国家半导体公司的LM317T是一种常用的可调电压稳压器,能以最大1.5A电流提供1.25V~37V的输出电压。...

2011-11-28 标签:PWMLM317TPWM 7330

TI阻抗跟踪电池电量计微调

TI阻抗跟踪电池电量计微调

本文介绍了实现一次浅放电 Qmax 更新需要考虑的因素和数据闪存编程配置。对这些参数的修改,必须由 TI 应用人员根据系统配置和要求批准之后才能进行。...

2011-11-28 标签:阻抗ti电池电量计 5914

74HC240制作寻光机器人

本文将给读者介绍我制作的另一部由74HC240作为主控核心的寻光机器人,依然贯彻低技术、低成本的制作理念,与大家共赏。 ...

2011-11-26 标签:机器人74HC240机器人 8746

TA2020打造精致桌面功放

现如今D类功放以其高效率已经风靡天下。考虑到输出功率和电源系统的复杂度等诸多因素,笔者决定采用TA2020来打造一款属于自己的桌面功放。...

2011-11-25 标签:功放TA2020功放 23427

USB3.0中五分频电路设计

USB3.0中五分频电路设计

本文设计了基于65 nm 工艺的五分频器, 产生一个占空比为50%的五分频信号。对该电路的设计不以追求高速度为惟一目标...

2011-11-25 标签:USB3.0USB3.0五分频电路 11715

静电放电及其防护

严重性ESD问题表面上看来只影响了制成品的用家,但实际上亦影响了各层次的制造商,如:保用费、维修及公司的声誉等等。 ...

2011-11-25 标签:ESD静电放电 2657

静电放电保护时怎样维持USB信号完整性

静电放电保护时怎样维持USB信号完整性

随着常见文件的大小持续增加,高数据率也变得越来越重要。在这种等级的数据率,为数据线路增加任何电容都可能造成信号波形失真,导致数字数据传输的中断和/或故障。...

2011-11-25 标签:usb静电放电信号完整性 2025

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