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电子发烧友网>模拟技术>SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别 SiC-MOSFET与IGBT的区别

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别 SiC-MOSFET与IGBT的区别

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2023-02-17 09:25:07397

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 小结

此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET
2023-02-17 09:25:08480

SiC·IGBT/SiC·二极管/SiC·MOSFET动态参数测试

EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFETSi·IGBTSiC·二极管、SiC·MOSFETSiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间
2023-02-23 09:20:462

SiC-MOSFET的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203

SiC-MOSFETSi-MOSFET区别

本文将介绍与Si-MOSFET区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736

SiC-MOSFETIGBT区别

IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围),在IGBT中是可忽略不计的范围。这在高电压大电流应用中不会构成问题,但当用电设备的电力需求从低功率到高功率范围较宽时,低功率范围的效率并不高。
2023-02-23 11:29:47684

SiC-MOSFET的体二极管的特性

如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479

SiC MOSFET学习笔记(四)SiC MOSFET传统驱动电路保护

碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一,可以在多个应用场合替换 Si MOSFETIGBT,发挥其高频特性,实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028

优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法

在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFETIGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462

SiC-MOSFETIGBT区别是什么

相对于IGBTSiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566

IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

Si IGBTSiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401040

MOSFETIGBT区别

MOSFETIGBT区别
2023-11-27 15:36:45369

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258

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