青铜剑技术碳化硅MOSFET模块驱动器2CP0335V33-LV100概述
碳化硅具备耐高温、耐高压、高频率、高效率等特性，发展势头迅猛。基于碳化硅特性，碳化硅驱动器相较于硅器件驱动器有其特殊要求，面临不同的设计挑战。青铜剑技术针对碳化硅的应用特点，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驱动器，可满足多样化需求。
2CP0335V33-LV100是一款适配碳化硅MOSFET模块的紧凑型双通道高绝缘等级的驱动器，可应用在高可靠性的大功率中压领域。
该产品适用于三菱3300V的LV100封装碳化硅MOSFET模块搭建的多种拓扑方案，可直接安装在模块上使用，无需转接处理。
典型应用
风电变流器
光伏逆变器
中压变流器
电机传动
牵引传动
产品特点
双通道碳化硅MOSFET驱动器
设计紧凑，尺寸为68mm*99.5mm
电源电压输入宽范围15V~30V
适配LV100封装的碳化硅MOSFET模块
光纤信号输入/输出
绝缘电压高达8000V
集成隔离DC/DC电源
集成副边电源欠压保护
集成米勒钳位
集成碳化硅MOSFET短路保护
原理框图
关键参数
| 供电电源 | 15V |
| 门极电压（开通/关断） | +17V，-5V |
| 单通道功率 | 3W |
| 峰值电流 | ±25A |
| 最大频率 | 20kHz |
| 工作温度 | -40℃ ~85℃ |
| 绝缘耐压 | 8000Vac |
青铜剑技术在驱动行业有着深厚的技术沉淀，可提供成熟的解决方案。此次介绍的2CP0335V33-LV100产品功能丰富，如您对产品感兴趣，欢迎垂询。
审核编辑：汤梓红
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
152文章
10906浏览量
235603 -
驱动器
+关注
关注
54文章
9132浏览量
156988 -
碳化硅
+关注
关注
26文章
3588浏览量
52766
原文标题：产品速递 | 青铜剑技术碳化硅MOSFET模块驱动器2CP0335V33-LV100
文章出处：【微信号：青铜剑技术，微信公众号：青铜剑技术】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SiC模块构建固态变压器（SST）的 AC-DC 级方案及优势
倾佳杨茜：SiC模块构建固态变压器（SST）的 AC-DC 级方案及优势 基本半导体 1200V/540A SiC MOSFET 模块 (B
ED3半桥SiC模块构建固态变压器（SST）的隔离级DAB DC-DC的设计方案
) 以及 青铜剑第二代 EconoDual 即插即用驱动器 (2CP0225Txx-AB) 的规格书，我们可以为固态变压器（SST）的隔离级设计一套高性能的 双有源桥（DAB, Dua
62mm半桥SiC模块设计固态变压器 (SST) DAB的工程落地
倾佳杨茜-固变方案：62mm半桥SiC模块设计固态变压器 (SST) DAB的工程落地 基本半导体 1200V/540A 碳化硅半桥模块 (
全碳化硅ANPC拓扑在固态变压器（SST）AC-DC应用中的优势分析
全碳化硅ANPC拓扑在固态变压器（SST）AC-DC应用中的优势分析：基于基本半导体与青铜剑技术的器件选型及效率优化深度报告 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商
青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2503
BSRD-2503驱动板由青铜剑技术和基本半导体团队联合研发，是一款专门针对62mm碳化硅MOSFET半桥
富士IGBT模块2MBI800XNE120-50为什么加速被碳化硅SiC模块所取代？
BASiC BMF540R12MZA3 碳化硅模块搭配基本半导体子公司 青铜剑 2CP0225Txx-AB 驱动器，取代传统的Fuji富士
基于隔离驱动IC两级关断技术的碳化硅MOSFET伺服驱动器短路保护研究报告
基于隔离驱动IC两级关断技术的碳化硅MOSFET伺服驱动器短路保护研究报告 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能
青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2427
由青铜剑技术和基本半导体团队联合研发的驱动板BSRD-2427，是一款专门针对34mm碳化硅MOSFET半桥
倾佳电子碳化硅MOSFET高级栅极驱动设计：核心原理与未来趋势综合技术评述
倾佳电子碳化硅MOSFET高级栅极驱动设计：核心原理与未来趋势综合技术评述 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅
青铜剑技术亮相PCIM Asia 2025
近日，PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会拉开帷幕，青铜剑技术与基本半导体、东芝电子元件联合参展。以创新科技打造硬核产品，青铜剑技术现场展出了多款成套
基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品采用新一代碳化硅MOSFET
数明半导体SiLM27531H栅极驱动器在碳化硅器件中的应用
碳化硅 MOSFET 凭借显著的开关性能优势，在许多大功率应用中得到青睐。然而它的特性要求栅极驱动电路有较高要求，以优化碳化硅器件的开关性能。尽管碳
青铜剑技术推出双通道驱动器2xD0210T12x0
在现代电力电子系统中，碳化硅MOSFET和IGBT是核心功率器件。其中，碳化硅具备高效率、高开关频率及高温耐受性等特性，IGBT技术成熟且性价比高，两者协同推动着系统性能的提升。
SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案：基本BTP1521P电源芯片
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET
评论