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电子发烧友网>模拟技术>SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

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SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685

第三代SiC肖特基势垒二极管SCS3系列介绍

ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管(以下简称"SiC-SBD")产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07305

第三代SiC肖特基势垒二极管介绍

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC-SBD”)产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331

在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容,并推动在包括车载在内的各种应用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401

浅谈第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的设备的效率与安全余量

-进入主题之前请您介绍了很多基础内容,下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”,首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容,这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759

SiC-SBD特征以及与Si二极管的比较

SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:27492

SiC-SBDSi-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBDSi-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBDSi-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198

SiC-SBDSi-PND正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较
2023-02-22 09:18:59140

SiC-SBDSiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当前实际上供应的SiC-SBD
2023-02-22 09:19:45355

使用SiC-SBD的优势

SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。
2023-02-23 11:24:11586

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736

何谓全SiC功率模块

SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

来源:国星光电官微 近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代
2023-03-14 17:22:57393

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

近日,国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证,并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品
2023-03-20 19:16:30550

国星光电SiC-SBD通过车规级认证

国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装形式,在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证,仍能保持正常稳定的工作状态,可更好地适应复杂多变的车载应用环境,具备高度的可靠性、安全性和稳定性。
2023-03-22 10:56:52537

SiCSi的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

SiC产品和Si产品的两点比较 SiC肖特基势垒二极管的特征

我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30236

Bourns SiC SBD产品系列已经扩展到十个额外型号

,该产品在650和1200伏的电压下工作。Bourns®SiC SBD产品系列已经扩展到包括十个额外的型号,所有这些型号都是为了满足最近的交通、可再生能源和工业应用对功率密度日益增长的需求而设计的。 在当今的高频和高电流应用中,诸如峰值正向浪涌、低正向压降、降低的热阻和低功率损耗
2023-10-13 17:06:38866

国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10423

SiC SBD的高耐压(反压)特性

SiC SBD的高耐压(反压)特性
2023-12-13 15:27:55197

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