功率二极管（Power Diode）是一种分立式电力半导体器件，它的电压和电流应用范围远大于一般的小信号二极管，可用于整流、钳位、瞬态电压抑制、续游、吸收、调制、 转换等。功率二极管分为 PiN
2024-01-10 15:59:07
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、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。SiC肖特基势垒二极管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基势垒二极管（SBD）在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持
2020-09-24 16:22:14
理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性的不同首先，反向恢复或恢复是指二极管在呈反向偏置状态时，无法立即完全关断，有时会出现反向电流的现象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
两者间权衡时，要想选出最适当的二极管，需要理解两者的特性。另外，毋庸置言，在探讨事项中“损耗降低”是最重要的课题。前篇的trr对应开关损耗，本篇的VF对应传导损耗。关于Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与我们熟知的Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。另外，关于SiC-SBD，可能有人听说过有与dV/dt或dI/dt相关的破坏模式
2018-11-30 11:50:49
，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了SiC-SBD的特征，下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中，将成为代替以往的Si二极管，解决当今
2019-03-27 06:20:11
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
的传递函数导出示例 其1升降压转换器的传递函数导出示例 其2开关的导通电阻对传递函数的影响总结总结关键词开关损耗 传递函数 电源设计 SiC-SBD 快速恢复二极管 SJ-MOSFET IGBT 状态空间
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD（肖特基势垒二极管）与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
一、ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。二、ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级
2022-05-18 11:23:17
做得更薄，在相同的电场强度下可以减低导通损耗。这一技术不仅仅用于肖特基二极管，也用于IGBT和功率PN二极管。`
2019-01-02 13:57:40
，有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV，极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
和下方之间的工作边界。值得注意的是，边界曲线直接映射到功率损耗等值线中的拐点。这表明，无论使用何种二极管类型，高于谐振的操作都会增加转换器的功率损耗。 从功率损耗图中可以看出，GaAs和SiC的性能
2023-02-21 16:27:41
电路损耗，提高电路工作频率。在PFC电路中用SiC SBD（肖特基势垒二极管）代替原来的硅FRD（快速恢复二极管）可以使电路在300kHz以上工作，效率基本保持不变，而使用100kHz以上硅FRD的电路效率急剧下降。随着工作频率的增加，电感器等无源元件的体积相应减小，整个电路板的体积减小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
二极管是半导体器器件中结构最为简单的器件，但它是一种十分重要的基础器件。从某种意义上讲，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT问世后，在很大范围内代替了大功率晶体管GTR。但却无其它
2016-11-14 20:01:52
电子元器件在模块中运用的二极管有稳压二极管，整流二极管，其中整流二极管在电压转换进程中扮演了重要的角色。在变压器的输入端，两个整流二极管在不同时段导通，使交流脉动电压转换为直流脉动。在本实验中
2012-12-13 15:06:51
比如一个电源，全桥架构，副边用的是桥式整流输出，输出电流为10A，假设二极管的管子压降为1.5V，那么副边的二极管通态损耗怎么样计算？可以这样了解吗：正半周期一组对角的二极管导通，此时功耗为1.5V*10*2=30W，同理负半周期也如此，则副边二极管损耗为60W。
2018-12-18 14:52:44
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！TVS二极管规格书下载：
2020-12-24 14:55:58
二极管时，看的是功率和封装形式；在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！ESD二极管规格书下载：
2021-12-30 17:52:36
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。 肖特基势垒二极管（SBD）作为一种单极性器件，在导通过程中没有额外载流子注入和储存，因而基本没有
2019-10-24 14:21:23
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。 在SBD方面，采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域，SBD肯定会
2017-10-19 11:33:48
）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二极管原理； 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管
2021-06-30 17:04:44
在不同的电路部分。这是一个追求性能和用户体验，对成本不敏感的行业，是肖特基二极管(同时也是sic功率器件)的第1个民用下游领域，曾经在早期为siC功率器件厂家提供了最初的现金流。由于我国缺乏高端音响制造业
2018-11-14 14:54:30
整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 肖特基二极管优点包括两个方面: 1、由于肖特基势垒高度低于PN结
2018-10-25 14:48:50
二极管的Tj超过最大额定值，严重时可能会导致某种破坏性结果。如前所述，切勿忽视因Si-SBD的IR损耗。发热是IR和VR（反向电压）的积，即漏电流产生的反向功率损耗乘以热阻之积。与普通的热计算公式相同
2018-12-03 14:31:01
相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。二、肖特基二极管在电源中的优劣对比：肖特基二极管优势：1：低压降，损耗电压小。2：开关速度快，损耗小，适用于高频电路。肖特基二极管
2019-04-12 11:37:43
采芯网转载：大功率肖特基二极管（SBD）是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流
2016-12-06 18:25:12
功率二极管的基本特性
1. 静态伏安特性具有单向导电性正偏时：二极管导通，通态压降1V左右。通态损耗：
2009-04-14 21:16:144929 
功率二极管基础教程
二极管电流公式：注意的参数：
2009-11-21 11:41:322672 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2018-01-21 11:31:0352219 稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象.肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
2018-01-23 15:33:3431645 中用SiC肖特基二极管代替Si快恢复二极管以实现保持逆变器良好并联均流效果的同时降低逆变器损耗。分别搭建了基于Si快恢复二极管和SiC肖特基二极管的电流型逆变器实验平台以对比验证SiC肖特基二极管在系统扩容应用中实际效果。研究结果表明，在
2018-03-05 15:36:48
1 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2019-01-30 10:05:3413187 
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属——半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属——半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
2019-07-24 11:48:1517581 
电源网工程师巡回研讨会 功率二极管在电源里的损耗分析和选型原则 讲义
2022-12-15 17:35:525 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2023-01-31 09:43:115030 1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46:271444 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:171454 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-08 13:43:181295 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:181134 
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:182264 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。
2023-02-16 09:55:061350 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:271710 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07986 
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18:59462 
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:451219 
功率二极管，也叫做肖特基势垒二极管，是一种常见的半导体器件。它的主要作用是在电路中起到电流的整流、稳压和开关控制等功能。
2023-02-22 18:22:312517 SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24:111245 
功率二极管是二极管的一类，是一种简单的半导体器件。与普通二极管一样，功率二极管具有两个端子并沿一个方向传导电流。但功率二极管与普通二极管的区别还是有很大的。
2023-02-23 14:18:541667 
二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS （Transient Voltage Suppressor）。
2023-02-23 15:31:235203 继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
功率二极管是二极管的一类，是一种简单的半导体器件。与普通二极管一样，功率二极管具有两个端子并沿一个方向传导电流
2023-02-24 17:45:582556 最基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边
电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。
2023-02-27 15:55:062 功率二极管是一种特殊的二极管，它具有承受大电流和高电压的能力。与普通的信号二极管相比，功率二极管在结构上有所不同，其结构更加复杂，能够承受更高的功率。因此，功率二极管被广泛应用于高功率电子设备和电路中
2023-02-27 18:21:001491 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成
2022-01-06 09:13:415184 
二极管的双极电荷影响较小。本文探讨了SiC MOSFET的独有特性以及影响体二极管关断特性的多个影响因素，并且阐明了快速开关应用中SiC MOSFET的反向恢复损耗概
2023-01-04 10:02:073634 
功率二极管与肖特基二极管的区别是什么？ 功率二极管和肖特基二极管是两种常见的半导体器件，它们都具有二极管的特性，但在实际应用中，它们的性能差异较大，下面将详细介绍功率二极管和肖特基二极管的区别。 1
2023-08-28 16:41:252343 二极管压降是什么意思？什么二极管压降最小？压降最小的二极管型号 一、二极管压降的意思 二极管的压降是指通过二极管时，电压降低的情况。在正向工作时，当二极管接到电源时，会从正极流入电流，从负极流出电流
2023-09-02 11:01:4225265 功率二极管和普通二极管的不同 功率二极管和普通二极管是两种不同的二极管，它们有着不同的结构和特性。在本文中，我们将介绍功率二极管和普通二极管的不同之处，包括它们的结构、性能和用途。 一、结构
2023-09-02 11:08:312613 功率二极管有哪些？二极管是功率器件吗? 功率二极管是一种功率电子器件，它与普通的二极管的不同之处在于其能够承受更大的电流和电压，用于控制和转换电能。功率二极管是一种关键的电子器件，广泛应用于许多领域
2023-09-02 11:13:572413 功率二极管的重要性在现代电子技术和电力电子领域愈发显著。两种主要类型的功率二极管，即PN结二极管和肖特基二极管，都在不同应用中发挥着关键作用，满足了不同领域的需求。随着技术的不断发展，功率二极管仍将继续演化，以适应不断变化的电子市场需求。
2023-11-05 11:30:001401 
大功率二极管晶闸管知识连载——损耗
2023-12-08 16:59:471744 
【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性
2023-12-13 14:42:082109 
的特点。SiC是一种宽禁带半导体材料，具有优异的热导性、较高的电击穿电场强度和较高的电子饱和漂移速度。相比于传统的硅（Si）材料，SiC具有更好的高温特性、更低的导通损耗和更高的开关频率。因此，使用SiC材料制造的三极管和二极管在高温、高电压和高频率
2023-12-21 11:31:241735 SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应用范畴。SiC作为一种宽禁带半导体材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 二极管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中扮演着至关重要的角色。然而，在二极管的实际应用中，反向恢复损耗是一个不容忽视的问题。本文将对二极管的反向恢复损耗进行详细探讨，包括其定义、产生机理、计算方法以及降低损耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545158 (Si) 二极管而言，这些开关损耗来自二极管关断时二极管结内存储的电荷产生的反向恢复电流。要将这些损耗降到最低，通常需要一个具有更高平均正向电流的 Si 二极管，但这会导致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 电路中，碳化硅 (SiC) 二极管是更好的选择，因其反向恢复电流本质上只是
2025-01-26 22:27:001635 
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
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