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      FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

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      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

      　　特点

      　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

      　　FRAM存储单元结构

      　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位

      fram百科

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即铁电存储器。

      　　特点

      　　FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

      　　FRAM存储单元结构

      　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位

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      带你了解最热门的三款FRAM产品

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      铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存...

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      作为系统关键组成部分，存储性能至关重要。各种系统对存储器读写速度、可重复读写次数、读写功耗、安全性以及对供电的要求都各不相同，存储技术正在走向细分。

      2018-04-18 标签：半导体FRAM 5692 0

      各大半导体企业会带来哪些惊喜呢？

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      富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛林法则

      FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的，存储器的非易失性指在没有上电的状态下依然可以保存所存储信息的特性，这意味着电路中无须加入后备电池，仍可在...

      2019-02-21 标签：存储器FRAM富士通 4848 0

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      富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准...

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      盘点那些FRAM带来独特优势的十大类医疗电子设备

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