发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。 与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得
2023-04-02 01:53:36
6101 
在大冲击电流的作用下,ZnO非线性电阻具有动态伏安特性,作用在阀片上的实时电压值不仅和实时电流值有关,而且和波头时间有关，并导致冲击电压和冲击电流不是同时而是电乐先于电流达到峰值。图2.23所示为
2024-03-22 08:00:53
的那样，半导体行业第四个时代的主旨就是合作。让我们来仔细看看这个演讲的内容。
半导体的第一个时代——IDM
最初，晶体管是在贝尔实验室发明的，紧接着，德州仪器 (TI)做出了第一个集成电路。当仙童
2024-03-13 16:52:37
想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
State Switch，简称TSS。它是一种用于快速开关高电压、高电流的半导体器件。TSS最早由美国贝尔实验室的研究人员于20世纪60年代初期发明，并在随后的几十年中得到了广泛的应用和发展。目前
2024-03-06 10:07:51
、高电流的半导体器件。TSS最早由美国贝尔实验室的研究人员于20世纪60年代初期发明，并在随后的几十年中得到了广泛的应用和发展。目前，TSS已经成为电子领域中的重要组成部分，被广泛应用于电力电子、通讯
2024-03-06 10:03:11
共读好书 张鎏 苑明星 杨小渝 （重庆市声光电有限公司） 摘 要： 对半导体封装工艺的研究，先探析半导体工艺概述，能对其工作原理有一定的了解与掌握；再考虑半导体封装工艺流程，目的是在作业阶段严谨
2024-02-25 11:58:10275 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物半导体器件。除了
2024-02-19 10:30:40
该HI-8585 and HI-8586 是互补式金属氧化物半导体集成电路，设计用于在8引脚封装中直接驱动ARINC 429总线，两个逻辑输入控制输出引脚之间的差分电压，产生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、锗（Ge）等。其中，硅是最为常见和广泛应用的半导体材料之一。 硅是地壳中非常丰富的元素之一，它具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械性能，因此硅材料具有广泛的应用前景。硅晶体的晶体结构为钻
2024-02-04 09:46:07456 蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42128 
半导体材料是指在温度较低且电流较小的条件下，电阻率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体材料在电子器件中具有广泛的应用，如集成电路、太阳能电池、发光二极管等。其中，硅和二氧化硅是半导体材料中最常见的两种
2024-01-17 15:25:12508 智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23636 半导体设备主要应用于集成电路的制造和封测环节，可细分为晶圆制造设备(前道设备）和封装、测试设备（后道设备)。其中，前道设备主要有光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备，后道设备主要分为测试设备和封装设备。
2023-12-27 10:57:48281 
电力安全是至关重要的。为了确保电力系统的稳定运行，氧化锌避雷器发挥着重要的作用。 氧化锌避雷器是一种用于电力系统的过电压保护设备。它采用高性能的氧化锌电阻片，能够在雷电或操作过电压等情况下，迅速
2023-12-14 10:26:59177 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
，半导体器件在制造和组装过程中会发生静电感应，当导线接地时，内部电场将发生巨大变化，放电电流将流过电路，从而导致静电击穿。
对于这种静电损坏的半导体器件非常严重，请确保在释放电流之前，清除这些静电荷
2023-12-12 17:18:54
在当今半导体制造领域，氧化铝陶瓷片作为一种高性能、高可靠性的材料，被广泛应用于各种电子设备中。而半导体划片机的出现，则为氧化铝陶瓷片的切割提供了新的解决方案，实现了科技与工艺的完美结合。氧化铝陶瓷
2023-12-06 19:09:55189 
该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 关于半导体存储的最强入门科普
2023-11-30 17:16:46372 
[半导体前端工艺：第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2023-11-29 15:14:34541 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 
氧化锌的灵敏度、成本效益、环境兼容性、稳定性和集成能力，使其成为监测并降低二氧化碳排放的高效气体传感系统不可或缺的材料。
2023-11-21 12:31:43265 
关于半导体相关测试 半导体是一种常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电等众多领域中都有应用，作为大部分电子产品核心单元需用到的材料，它的质量直接影响
2023-11-17 18:00:17207 
在当今的高压电力系统中，氧化锌避雷器扮演着至关重要的角色。它的实用性在于能够有效地保护电力设备免受雷电过电压和操作过电压的损害，从而确保了电力系统的稳定运行。 氧化锌避雷器是一种特殊的避雷器，它采用
2023-11-16 15:59:36167 
英思特研究了在低温下用乙酸去除氧化铜。乙酸去除各种氧化铜，包括氧化亚铜、氧化铜和氢氧化铜，而不会侵蚀下面的铜膜。
2023-11-06 17:59:44239 
的双重缺点。在自动拼接模块下，只需要确定起点和终点，即可自动扫描，重建其超光滑的表面区域，不见一丝重叠缝隙。
白光干涉仪在半导体封装中对弹坑的测量
同时，白光干涉仪还可以结合其他测量手段，如
2023-11-06 14:27:48
在电力系统中，氧化锌避雷器是一种重要的保护设备，用于防止雷电和电力系统过电压对设备造成的损害。然而，如果氧化锌避雷器被击穿，它还能继续使用吗？首先，我们要了解什么是氧化锌避雷器。氧化锌避雷器是一种
2023-11-01 16:51:44373 压敏电阻是一种金属氧化物陶瓷半导体电阻器。它以氧化锌(ZnO)为基料，加入多种(一般5～10种)其它添加剂，经压制成坯体，高温烧结，成为具有晶界特性的多晶半导体陶瓷组件。氧化锌压敏电阻器的微观结构如下图1所示。
2023-10-26 11:15:55447 
，已得到广泛应用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料，由于其较第1代、第2代材料具有明显的优势，近年来得到了快速发展。
2023-10-25 15:10:27278 
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
腐蚀pcb板的溶液按抗蚀层类型与生产条件而选择：有酸性氯化铜、碱性氯化铜、三氯化铁、硫酸与过氧化氢、过硫酸盐等多种。下面捷多邦小编和大家介绍一下腐蚀pcb板的溶液的一些知识。 三氯化铁的蚀刻液是铜箔
2023-10-08 09:50:22734 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
一、半导体有关概念 1、半导体 半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物体。它内部运载电荷的粒子有电子载流子(带负电荷的自由电子)和空穴载流子(带正电荷的空穴)。硅、锗、硒以及大多数金属氧化
2023-09-26 11:00:331127 
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
近年来，氧化镓（Ga2O3）半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带，高于第三代半导体碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化镓（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
热敏电阻的种类繁多，常见的有氧化锌、硒化镉、铁素体和硅等。其中，氧化锌和硒化镉是最常见的半导体材料，因其具有稳定性高、温度敏感度大、响应快速、可靠性高和精度高等特点而广泛应用于各个领域。 由于其电阻随温度变化，
2023-09-08 10:39:471077 机、氟弧焊机、脉冲焊机等，本文将介绍武汉芯源半导体CW32F030系列单片机在电弧焊机中的应用。
CW32F030系列MCU在电焊机的应用框图
方案特色：
●可实现对电焊机的自动化控制，可以通过输入
2023-09-06 09:14:04
半导体行业呈现垂直化分工格局，上游包括半导体材料、半导体制造设备等；中游为半导体生产，具体可划分为芯片设计、晶圆制造、封装测试；半导体产业下 游为各类终端应用。
2023-08-29 16:24:59761 
半导体技术一直是现代电子产业的核心。其中，硅（Si）作为最常用的半导体材料，有着不可替代的地位。但在制造芯片或其他半导体器件时，我们不仅仅使用纯硅，而是要经过一系列复杂的工艺流程，其中一个关键步骤是对硅进行表面氧化处理，制得硅二氧化（SiO2）。为什么这一步骤如此重要？让我们来深入探讨。
2023-08-23 09:36:13878 
压敏电阻器32D821k主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备：1.在电力工业中，常使用压敏材料制成避雷器阀片。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子，既有
2023-08-21 13:38:15
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33:27370 
氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。
2023-08-17 14:24:16412 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 K 系列压敏电阻器氧化锌压敏电阻器是以氧化锌为主要材料制造的半导体无极性电子陶瓷元件。当施加在压敏电 阻器两端的电压达到某一阀值时，压敏电阻器的电阻值迅猛变小，从而在电子（电力）线路
2023-08-12 16:12:23
在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。
2023-08-10 15:06:10506 以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。
2023-08-09 16:14:42522 
在电力系统中，保护设备免受雷电冲击和过电压的影响至关重要。氧化锌避雷器作为一种先进的过电压保护设备，经历了漫长的发展过程，并在不断地进步和完善。 氧化锌避雷器的发展可以追溯到19世纪末期，当时
2023-08-09 14:27:41301 一、产品简介避雷器在线检测仪用于氧化锌[MOA]泄漏电流的测量分析。主要是用于测量阻性电流，3～7次谐波电流，从而分析氧化锌老化和受潮的程度。是检测氧化锌避雷器运行中的各项交流电气参数
2023-08-09 10:49:13
半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
2023-08-09 10:41:56377 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
一、产品简介HM6020氧化锌避雷器测试仪是专门用于检测10kV及以下电力系统用无间隙氧化锌避雷器MOA阀电间接触不良的内部缺陷，测量MOA的直流参考电压（U1mA）和0.75 U1mA
2023-08-08 11:01:16
氧化锌避雷器是一种用于保护电气设备免受电压过载损害的装置。其工作原理是基于氧化锌的电阻特性，在高压下阻值迅速增加，从而限制电流，使电气设备免受过度电压的损害。以下将详细介绍氧化锌避雷器的用途
2023-08-07 15:43:24723 一、产品简介HM6010氧化锌避雷器测试仪以先进的微型计算机为控制部件，全智能操作，具有抗干扰能力强，测量准确可靠,功能强大,操作方便等优点，是现场和实验室检测氧化锌避雷器各项交流电
2023-08-07 11:25:59
三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体，为实现低碳社会做出贡献。
2023-08-02 10:38:18665 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势， 在功率电子和微波射 频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
2023-07-27 10:24:02879 
在半导体制造过程中，每个半导体元件的产品都需要经过数百道工序。这些工序包括前道工艺和后道工艺，前道工艺是整个制造过程中最为重要的部分，它关系到半导体芯片的基本结构和特性的形成，涉及晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀等步骤，技术难点多，操作复杂。
2023-07-11 11:25:552897 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
Dimension, CD)小型化(2D视角)，刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀，因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法，刻蚀工艺的核心性能指数出现波动，从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 根据中国集成电路产业人才白皮书数据来看，目前行业内从业人员仅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在国内半导体行业快速发展的当下，定位、抢夺优质人才是企业未来长期发展的基石。
那么每年秋招就是赢得
2023-06-01 14:52:23
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
氧化锌挥发窑是化工行业中广泛应用的生产设备,作为一种高温下运行的大型设备,保证设备安稳定全运行、节能减排十分重要。 通过传感器与工业物联网的结合，物通博联推出一套氧化锌挥发窑在线监测系统，可以连接
2023-05-22 10:40:28227 
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 本文以半导体封装技术为研究对象，在论述半导体封装技术及其重要作用的基础上，探究了现阶段半导体封装技术的芯片保护、电气功能实现、通用性、封装界面标准化、散热冷却功能等诸多发展趋势，深入研究了半导体前端
2023-05-16 10:06:00497 测量酸露点温度的重要性原理跟应用
一、酸露点概述。
所谓酸露点温度通俗易懂理解为烟气中硫酸蒸汽的凝结温度，也可简单理解为测量烟气中饱和水蒸气的浓度。在石油炼化企业中，加热炉、锅炉一般使用天然气、炼厂
2023-05-13 11:37:51
由于智能型手机消费者需求的增加，无线通讯市场目前是半导体应用中，成长扩大速度最快的一个领域。随着智能型手机需求的增加，半导体产业散发着无限潜力。半导体的热敏，光敏等特性也决定了半导体器件在不同温
2023-04-29 16:16:22
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
锑化物半导体激光器是目前能够覆盖中红外波段的主要手段。锑化物半导体激光器经过多年的研究和发展，已经逐渐走向成熟。
2023-04-26 10:12:10836 
等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统，从长远来看，可以为客户节省大量费用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化
2023-04-20 11:16:00247 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：HQ2和HF溶液循环处理 编号：JFKJ-21-213 作者：炬丰科技 摘要 采用原子显微镜研究了湿法化学处理过程中的表面形貌。在SC-1清洗过程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408 
氧化锌压敏电阻以氧化锌（ZnO）为基料，加入Bi2O3、Co2O3、MnCO3等多种金属氧化物混合，经过高温烧结、焊接、包封等多重工序制成的电阻器
2023-03-30 10:26:261973
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