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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>

功率器件

电子发烧友网功率器件栏目提供电源设计中所需的功率器件最新应用技术和方法以及电源设计相关内容,是电源工程师喜欢的网站。

IGBT国产化率加速攀升 IGBT国产化率有望达38%

      (报告出品方/作者:国金证券,樊志远、刘妍雪、邓小路)...

2022-05-27 标签:IGBTIGBT驱动IGBT模块 8350

镓未来完成A+轮近亿融资,加速突破中大功率应用场景

镓未来完成A+轮近亿融资,加速突破中大功率应用场景

近日,珠海镓未来科技有限公司披露其已完成近亿元A+轮融资,由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资,深启投资担任独家财务顾问。至今,这家专注于高端第三代半导体氮化镓功率器件研...

2022-05-26 标签:应用功率功率器件 2857

极豪科技光学指纹方案助力OPPO Reno 8 Pro+实现"极"速流畅解锁

极豪科技光学指纹方案助力OPPO Reno 8 Pro+实现"极"速流畅解锁

创"芯"体验 上海2022年5月24日 /美通社/ -- "AI×Sensor"人工智能传感器供应商极豪科技今日宣布,搭载其屏下光学指纹识别芯片JV0301的OPPO Reno 8 Pro+全新手机携多项黑科技发布,以创"芯"科技,实现...

2022-05-26 标签:电子系统意法半导体功率MOSFET 3186

Vishay推出业内高容量、高机械强度,应用于航空航天系统的新款液钽电容器

Vishay推出业内高容量、高机械强度,应用于航空航天系统的新款液钽电容器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年5月25日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为满足航空航天应用需求,推出新款高能液钽电容器---EP2,器件每款电压等级和外形尺寸的容量...

2022-05-25 标签:Vishay技术Vishay技术液钽电容器 2847

耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET

耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET

在线性模式供电的电子系统中,功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器,电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。   在线性模式工作时,MOSFET必须在恶劣工作条件下工作,承受很高...

2022-05-24 标签:电阻器意法半导体功率 5138

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就车规氮化镓功率模块达成合作

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系,携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长...

2022-05-23 标签:氮化镓半导体器件NexperiaAVXNexperia半导体器件氮化镓 3370

扩产之下,中国功率半导体要过剩了?

电子发烧友网报道(文/黄山明)功率半导体作为电能转换、电路控制的核心部件,被广泛用于汽车、消费电子、计算机、网络通信、工控等场景,其中汽车的需求占比最高,将近40%。但中国功...

2022-05-20 标签:中国功率半导体电能转换 4269

功率MOSFET搭配散热器的分析讲解

功率MOSFET搭配散热器的分析讲解

功率MOSFET和散热器的工作讲解;散热器热阻计算所需的重要说明....

2022-05-19 标签:MOSFET散热器功率器件MOSFET功率器件散热器热阻 9207

采用LDR6282的PD协议芯片的充电+拓展+投屏三合一的Type-C适配器拆解

采用LDR6282的PD协议芯片的充电+拓展+投屏三合一的Type-C适配器拆解

双口DRP USB PD Controller LDR6282,顺利通过了USB-IF的PD3.0认证,TID: 2127。LDR6282芯片具有双C口DRP及USB PD3.0控制功能,广泛应用于USB-C Docking,USB-C 显示器,USB-C手机音频转接器,嵌入式安卓/linux系统等场...

2022-05-13 标签:适配器PD氮化镓type-cPDtype-c扩展坞氮化镓适配器 6362

25 kW SiC直流快充设计指南:DC-DC级的设计考虑因素和仿真

25 kW SiC直流快充设计指南:DC-DC级的设计考虑因素和仿真

作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec   在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” [1-3]  系列的这篇新文章中,我们聚焦DC-DC双有源相移全桥(DAB-PS)零电压开关(ZVS)转换器,其简介和部分...

2022-05-10 标签:仿真DC-DCSiC快充技术 11106

PI推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV

Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块,其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃...

2022-05-10 标签:PIIGBTSiC 4093

纳微NV613x和NV615x系列额定电压已升级到700V,实现更高效率和可靠性

纳微NV613x和NV615x系列额定电压已升级到700V,实现更高效率和可靠性

图片   采用 GaNSense™ 技术的700V额定电压GaNFast™智能氮化镓功率芯片可实现更高的效率和可靠性   图片   氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其...

2022-05-05 标签:氮化镓GaN功率芯片纳微半导体 2259

详解提升MOS管驱动电路抗干扰性能的方法

详解提升MOS管驱动电路抗干扰性能的方法

详解MOS管驱动电路抗干扰能力的方法以及计算方式...

2022-04-10 标签:MOS电磁干扰抗干扰驱动电路 19498

意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计

意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计

2022 年 4 月 7 日,中国——意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计,并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。   VIPerGaN50 采用...

2022-04-07 标签:电源设计变换器意法半导体GaN 7426

东芝推新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET 可大幅提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通...

2022-04-01 标签:MOSFET东芝东芝半导体 2851

艾默生开发海上环保制氢技术 贸泽提供NXP全系列产品

专注于引入新品并提供海量库存™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 作为NXP® Semiconductors解决方案的全球授权分销商。NXP是全球知名的嵌入式应用安全连接解决方案供应商,贸泽...

2022-03-30 标签:NXPTDK艾默生贸泽 3566

Digi-Key推控制技术视频系列 Microchip推TSN交换设备

Microchip 的以太网交换机 API (MESA) 和 PHY API (MEPA) 为设计人员提供了开发独立于操作系统的全面、用户友好的函数库的自由和灵活性。LAN9668 和 LAN8814 可扩展 TSN 芯片组由 Microchip 的软件框架...

2022-03-29 标签:视频Digi-KeyTSN 3888

Microchip推3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件 微笑医生获得THL战略投资

美国最大、发展最快的正畸牙科支持组织(“OSO”)微笑医生,拥有超过 295 个地点,宣布来自 Thomas H. Lee Partners 的战略投资, LP (“THL”),一家投资于成长型公司的一流私募股权公司。...

2022-03-29 标签:microchip功率器件碳化硅microchipTHL功率器件碳化硅 4538

Vicor在2022底特律国际汽车设计工程展(WCX)上为xEV呈现最高功率密度的汽车解决方案

Vicor在2022底特律国际汽车设计工程展(WCX)上为xEV呈现最高功率密度的汽车解决

Vicor 的展示针对三大电气化主题提供了创新的模块化解决方案,不仅可简化电源系统设计,而且还可提高可扩展性和灵活性。...

2022-03-29 标签:电动汽车电源模块Vicor 674

Nexperia发布增强型电热模型 罗姆开发8英寸新一代SiC MOSFET

基本半导体专家Nexperia今天宣布为其 MOSFET 器件发布新的增强型电热模型。半导体制造商通常会为其 MOSFET 提供仿真模型,但这些模型通常只包含在典型工作温度下建模的有限数量的器件参数。...

2022-03-28 标签:模型罗姆NexperiaSiC MOSFET 4286

研华DeviceOn/BI通过工业案例审核 罗姆SiC MOSFET发挥性能优势

近日,上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的 “三合一”电桥完成试制。...

2022-03-28 标签:研华罗姆SiC MOSFET 3176

用于电池供电应用的热感知高功率逆变器板

如今,电池供电的电机驱动解决方案通常可以使用非常低的工作电压提供数百瓦的功率。在这类应用中,若要确保整体系统的能效和可靠性,就必定要正确管理流经电子设备驱动电机的电流。事...

2022-03-24 标签:电机控制逆变器仿真器电池 11619

英飞凌IPOSIM平台推出功率器件使用寿命评估服务,以简化半导体器件选型

英飞凌IPOSIM平台推出功率器件使用寿命评估服务,以简化半导体器件选型

英飞凌科技股份公司的功率器件在线仿真平台IPOSIM被广泛应用于计算功率模块、分立器件和平板器件的损耗及热性能。...

2022-03-22 标签:英飞凌功率器件半导体器件 679

电源管理芯片的8英寸晶圆产能紧缺,为何还不能迁移到12英寸?

电子发烧友网报道(文/莫婷婷)由于全球多家晶圆厂在2021年正式扩产,未来几年半导体元器件的产能将逐步提升。根据SEMI发布的数据,2022年全球半导体设备市场规模有望达到 1013 亿美元,全...

2022-03-23 标签:芯片电源管理晶圆厂 5247

Microchip推出业界领先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性

Microchip推出业界领先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围。...

2022-03-22 标签:microchip功率器件碳化硅 837

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”)在其DTMOSVI系列新一代...

2022-03-18 标签:处理器MOSFET东芝飞腾MOSFET东芝处理器景嘉微飞腾 4634

5V1.2A 无Y电容电源适配器设计 CR5243实现高性能低成本

5V1.2A 无Y电容电源适配器设计 CR5243实现高性能低成本

上一篇文章,我们给大家整理了 “变压器的计算公式” 。本文,我们将给大家介绍下 “基于思睿达主推的CR5243_5V1.2A 无Y电容 电源适配器设计参考” ,让我们对CR5243有个大概的了解吧! 关于...

2022-03-18 标签:电源PWM电源适配器Y电容国产芯片思睿达 6390

小米车充Pro怎么样 无线车充拆解评测内部做工精良

小米车充Pro怎么样 无线车充拆解评测内部做工精良

车载充电器应该是有车一族的必备品,随着无线充电技术的发展,无线车充也成为当下较为热门的产品。这些年也经常在手机的产品发布会上发现无线车充的身影。近期拆解了那么多智能产品,...

2022-03-23 标签:IDT超级电容无线充电小米IDT小米无线充电超级电容车充 16297

国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET,月产能可达100KK~150KK

国内率先实现12寸晶圆中低压MOSFET,月产能可达100KK~150KK

新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC,其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流,因此需要更多的中高压MOSFET。...

2022-03-09 标签:MOSFET晶圆 932

绿色出行:英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%

绿色出行:英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)即将推出采用XHP™ 2封装的CoolSiC™ MOSFET和.XT技术的功率半导体,这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。...

2022-03-07 标签:英飞凌MOSFET功率模块碳化硅 557

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