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标签 > 纳微

纳微

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Navitas 成立于 2014 年,开发的超高效氮化镓 (GaN)半导体在效率、性能、尺寸、成本和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。

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纳微动态

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纳微简介

  Navitas 成立于 2014 年,开发的超高效氮化镓 (GaN)半导体在效率、性能、尺寸、成本和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。

  Navitas 这个名字来源于拉丁语中的能源,它不仅体现了我们对开发技术以改善和更可持续的能源使用的关注,还体现了我们到 2026 年为估计 13B 美元的功率半导体市场带来的能源。

  GaN 的重要性与日俱增,因为它能够提供比传统硅半导体显着改进的性能,同时减少提供该性能所需的能量和物理空间。GaN 技术将通过提高效率、降低清洁能源的成本以及减少制造功率半导体所需的材料和能源来加速向可持续未来的过渡。

  Navitas 是 GaN 的行业领导者,在单个易于使用的集成电路 (IC) 中提供驱动、控制和保护。Navitas GaNFast IC是易于使用的“数字输入、电源输出”构建块,可将开关速度提高 100 倍,同时将节能效果提高 40%。

  通过选择 Navitas GaN,产品开发人员能够创建比以往更小、更轻、更快、更环保的电源转换和电源管理解决方案。从智能手机、笔记本电脑和平板电脑的快速充电器到电视、数据中心、电动汽车、电动汽车和可再生能源发电,GaNFast IC 可实现最高能效、最高集成度和最高功率密度。

  Navitas 的管理团队在电力电子领域的创新和业务创造方面有着非凡的记录。该公司由管理团队和顶级风险投资家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 资助,他们都在建立对电子行业产生重大影响的业务方面拥有良好的记录。

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纳微数据手册

型号 描述 数据手册 参考价格
NVE031E GANFAST DESIGN KIT, 150W AC-19V
NV6117-RA IC PWR GANFAST PWR IC N-CH 8QFN
NV6123-RA FET GANFAST 650V .3 OHM 6X8QFN
NV6115-RA IC PWR GANFAST PWR IC N-CH 8QFN
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