功率器件
电子发烧友网功率器件栏目提供电源设计中所需的功率器件最新应用技术和方法以及电源设计相关内容，是电源工程师喜欢的网站。
SiC MOSFET发展趋势与解决方案
毫无疑问，所谓的第三代宽禁带半导体碳化硅正在发挥其众所周知的潜力，在过去五年中，汽车行业一直是该材料的公开试验场。基于 SiC 的传动系统逆变器——将来自电池侧的直流电转换为电...
2022-07-29 918
SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型
碳化硅功率器件已成为一种很有前途的技术，人们对降低能耗和在高开关频率应用下运行的兴趣日益浓厚。碳化硅还可以维持较高的工作温度，使其成为工业环境的合适候选者。宽带隙半导体器...
2022-07-29 1560
下一代高压SiC MOSFET的可靠性和稳健性测试
在当今这一代，电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而，随着半导体行业的最新进展，碳化硅 (SiC) 已被...
2022-07-29 1799
GaN-on-Si功率技术:器件和应用
在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更...
2022-07-29 1016
降低 SiC 电阻之路
本文基于PGC 咨询公司进行的分析，研究了当今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了这些问题，包括栅极氧化物可靠性的优化，这有助于降低比导通电阻，降低碳化硅成本。...
2022-07-29 1019
高压功率器件封装设计说明
可再生能源应用以及各种能效技术需要可靠、紧凑和热效率高的电源设备。为了推动风力涡轮机、智能电网、太阳能发电系统、太阳能光伏和电动汽车的创新，1需要具有高功率密度、高开关频...
2022-07-29 822
GaN和SiC功率器件的最佳用例
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在现有系统中实现更高的...
2022-07-29 834
用于电机控制的GaN技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电...
2022-07-27 1657
垂直GaN 器件：电力电子的下一个层次
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化镓或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工作，这将催生新一代更高效的功...
2022-07-27 4341
碳化硅在电动汽车的应用方案
碳化硅 (SiC) 是一项创新技术，将在许多应用中取代硅 (Si)。将 SiC 用于电动汽车 (EV) 的想法诞生于努力提高此类车辆的效率和续航里程，同时降低整车的重量和成本，从而提高控制电子设备的功...
2022-07-27 2165
GaN在手机上有什么用
我们知道，GaN在充电器等应用上，主要是通过GaN材料的特性，使得使用GaN材料的功率开关器件在开关频率、开关损耗、导通损耗等相比硅MOSFET有明显优势，在电路设计中可以大幅缩小变压器尺寸...
2022-07-25 1002
SiC MOSFET的厂商现状以及产品差别
随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiC MOSFET的大规模应用后，在近几年可以看到，国内外各大厂商都密...
2022-07-25 1029
关于一个电感可以通过多少电流的问题解答
给大家介绍了很多关于电感的知识，那么大家还记得选择电感时要注意哪些信息吗？电感选择要关注的信息点：封装尺寸、阻抗、感值、电流等。在本文中，我们简单讨论一个电感电流问题——...
2022-07-23 3937
第三代半导体迎来扩产浪潮？
第三代半导体是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料，适用于高温、高压、高功率应用场景，有助于节能减排，也是实现“双碳”目标的重要方向。近些年，国家相关政策陆续出台，持续加码第...
2022-07-21 437
茂矽六寸IGBT晶圆开启智能新能源汽车新时代
我国是世界最大的功率半导体消费市场；随着电动车市场崛起；电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能；新能源汽车需求带动MOSFET及IGBT持续增长；作为其核心部件的IGBT产品具有广阔的市...
2022-07-13 3437
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET...
2022-07-06 600
你的电源适配器CR5259方案是这样的 优异性能、避免环路不稳定
在上一篇文章中，我们介绍了基于思睿达主推的CR6347_5V1.5A充电器解决方案。接下来，我们给大家带来的是思睿达24W电源适配器方案，它的控制IC采用了思睿达主推的CR5259。该方案平均效率87.0%，...
2022-06-30 6608
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。 WNM...
2022-06-28 776
安森美的VE-TracTM SiC系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势
双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满...
2022-06-28 822
Transphorm推出参考设计组合，加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发
公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的 适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势 加州戈利塔--(新闻稿)-- (美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球...
2022-06-27 811
纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt
2022年6月22日－NSD1624 是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。 可广泛应用于 Ÿ●光伏、储能等新能源领域 Ÿ●空调压缩机、工业...
2022-06-27 2116
安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战
随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成...
2022-06-24 1302
EPC开拓"GaN Talk支持论坛"平台， 旨在协助工程师加速研发基于高性
宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。 宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息...
2022-06-13 2253
聚焦IGBT产业链上的封装环节 为IGBT国产化保驾护航
与普通IC芯片相比，IGBT减薄工艺更难解决，对封装设备要求更高。更柔性、更稳定、更精准、更快速的高精度芯片贴装设备是IGBT国产化的关键之一。...
2022-06-13 4137
GaN在射频（RF）前端中的应用分析
对于工程师来说，设计 GaN PA 的第一步就是获得半导体制造商的产品数据手册 ；第二部就是查看 S 参数。PA 设计工程师还可以利用测得的负载牵引数据确定最佳负载阻抗目标值，以便在指定频率...
2022-06-07 4558
SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因
开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变...
2022-06-02 2990
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管， 可实现最高功率密度
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源...
2022-06-01 2994
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