功率器件
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ROHM（罗姆）2022年工业及汽车前沿新产品盘点：电源管理IC及功率器件
用来传输影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”：根据分辨率优化传输速率，功耗可降低27％；通过传输速率优化功能和展频功能将EMI峰值降低20dB左右；冻结检测功能可以检测图像的冻结状态，提高整个A...
2022-02-26 1311
从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
派恩杰半导体认为，Cascode结构只是从Si产品转向SiC产品的一个过渡产品，因为Cascode结构完全无法发挥出SiC器件的独特优势。...
2022-02-23 3773
RC-IGBT 技术带来更多动力
多年来，市场对功率半导体的需求一直在增加，需要功率转换系统的小型化、成本的降低和性能的提高。这种性能增益是通过增加给定封装尺寸的输出功率来实现的，这与系统内的高温密切相关...
2022-02-22 2989
碳化硅进军消费类市场，引领手机快充新潮流
电子发烧友网报道（文/李诚）随着智能手机的快速发展，手机续航和充电体验成为了手机厂商和消费者首要关注的问题。在手机充电领域中氮化镓的应用最为广泛，也是被消费者最为熟知的一...
2022-02-11 10229
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 m
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。...
2022-02-07 942
东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...
2022-02-01 4629
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业
东芝电子宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。...
2022-01-26 2225
数字IC电源的双线性稳压器可实现实时输出调整和动态余量优化
通常，LDO 稳压器需要修改硬件来调整其输出电压，但如果规格不断变化，则电路板和组件的更改可能会增加大量的开发时间。在此类应用中，具有软件可编程输出电压的 LDO 稳压器可以节省时间...
2022-01-20 6476
纳微半导体新一代氮化镓功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机120W氮
2022年1月18日，纳微半导体正式宣布，其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。...
2022-01-19 2572
pt100温度传感器显示负数是什么原因
pt100温度感应器表明负值，主要是因为PT100热电偶使用时间太长，震动或维护防水套管浸蚀，促使PT100毁坏，电阻器低于100欧姆，因此便会表明负数。...
2022-02-04 13673
pt100热电阻的测温范围是多少
热电阻是中低温区最常用的一种温度检测器。它的主要特点是测量精度高，性能稳定。其中铂热是阻的测量精确度是最高的，它不仅广泛应用于工业测温，而且被制成标准的基准仪。热电阻是基...
2022-02-04 26748
Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...
2022-01-16 4492
东芝推出新款IC芯片可为提升穿戴和物联网设备续航能力开辟道路
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已向市场推出了“TCK12xBG系列”负载开关IC，其静态电流[1]显著降低，额定输出电流为1A。这些新型IC采用小型WCSP4G封装，将支持产品开发者研发创...
2022-01-16 5289
软启动器旁路接触器如何判断？
可以选择用万用表测量交流接触器的输入端是否有三相线电压，再在吸合状态下快速测量交流接触器的输出侧的三相线电压是否正常。另外，大功率电机运行时不要拆除接触器的灭弧罩来运行，...
2022-02-04 2840
交流接触器线圈的维护保养
而若是该接触器的触头表面有因电弧而出现的小珠，也应对其进行及时的清除；而若是银和银基合金触头表面因分断电弧，而出现黑色的氧化膜物质是没必要对其进行清除的。...
2022-02-04 1144
电动机配用交流接触器的选用原则
电动机选择交流接触器要根据电机功率选择合适大小就行，1.5-2.5倍，一般其选型手册上有型号，还得注意辅助触点的匹配，不要到时候买回来辅助触点不够用。...
2022-02-04 5550
漏电保护器跳闸排除方法
主要查找剩余电流动作保护器自身故障。具体操作方法是：先切断电源，再将剩余电流动作保护器的零序互感器负荷侧引线全部拆除（二级、三级剩余电流动作保护器直接将出线拆除）再合保护...
2022-02-04 2865
川土微电子|隔离电源的辐射抑制设计参考（三）
构建边缘防护 电源层和地层之间 的电场是变化的，在 PCB 板的会向外辐射电磁干扰，称为边缘效应。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导， 以减少向外辐射。若电源平面的边缘到...
2021-12-31 2858
国内首条！基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通线
12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅...
2021-12-31 2825
川土微电子|隔离电源的辐射抑制设计参考（二）
VCC 去耦电容 芯片内置的微型变压器的频率高达约 70MHz，短时间内如此大频率的切换，将引起较大的 dv/dt 及di/dt，将产生一定的电磁辐射。 微型变压器的原副边电流路径的环路面积影响着辐射干...
2021-12-31 2225
交流接触器选用步骤
交流接触器的工作原理是利用电磁力与弹簧弹力相配合，实现触头的接通和分断的。交流接触器有两种工作状态： 失电状态（释放状态） 和得电状态（动作状态）。当吸引线圈通电后，使静铁...
2022-01-03 1874
交流接触器的选用与运行维护
根据负载的功率和操作情况来确定接触器主触头的电流等级。当接触器的使用类别与所控制负载的工作任务相对应时，一般应使接触器主触头的电流额定值与所控制负载的电流值相当，或稍大一...
2022-01-03 838
接触器的触点有几种?
当测量接触器初始状态正常时，再测量接触的吸合状态，测量接触器吸合状态并不需要给接触器通电，使用螺丝刀顶住接触器的中间位置进行手动吸合。接触器吸合后，主触点闭合，辅助触点，...
2022-01-03 5027
接触器的线圈接在哪里？
在交流接触器实物中这些接头是以符号标记接触器上面的。L1、L2、L3这三个符号是接三相电源的三个接头，T1、T2、T3这三个符号是接出线电机的，A1、A2是接触器的两个线圈，剩下的四个是常开...
2022-01-03 6587
高压电流互感器型号规格参数
保护型准确级；P代表保护用，保护用电流互感器准确级常用有5P和10P级，由于短路过程中I1和I2的好、关系复杂，故保护级的精确级是以额定值一次电流下的误差标称的，所谓额定限制一次电流...
2022-01-03 18480
三相四线漏电保护器接工作原理
当主回路有漏电流时，由于辅助接点和主回路开关的分离脱扣器串联成一回路。因此辅助接点接通分离脱扣器而断开空气开关、交流接触器等，使其掉闸，切断主回路。辅助接点也可以接通声、...
2022-01-03 9501
泰克携手第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）攻克第三代
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山与安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理姜克共同主持了研讨会，并与参会嘉宾现场交流答疑。...
2021-12-17 985
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者 受访对象：萨科微半导体创始人宋仕强先生 采访主题：萨科微半导体的成长史的几个问题 近年来，在半导体“国产替代”和解决欧美国家对我们“卡脖...
2021-12-16 7057
Soitec 携手美尔森，为电动汽车市场开发多晶碳化硅衬底
设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布，与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。...
2021-12-08 645
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