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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>富士通推出具业界最佳运行功耗的64 Kbit FRAM

富士通推出具业界最佳运行功耗的64 Kbit FRAM

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2021-04-08 15:42:02824

什么是FRAM,它的优势都有哪些

富士通FRAM主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗
2021-05-04 10:17:001850

关于富士通FRAM技术和工作原理的详细讲解

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 富士通FRAM技术和工作原理 FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。 •当一个电场被加到铁电晶体时,
2021-05-04 10:16:00515

富士通这么多的FRAM都用到了哪些领域之中

与传统的存储技术相比,FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来,出货量更是超过了41亿颗!咱们富士通这么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走来,它是如何崛起的

FRAM是如何崛起的呢? 以销量数据而论,FRAM一路走来已然大获成功:截止2016年富士通全球FRAM存储器累计销量已超过33亿片,其中面向世界电表客户累计交货4000万片,FRAM在威胜集团、海兴电力、林洋能源、Itron、西门子等业界主流的电表供应商中的应用渗透率非常高
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性铁电存储器FRAM有着广泛的应用

富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器,FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM实现低成本通用智能表计的方案说明

表重要数据的标准元件。富士通FRAM在智能水和气表中的应用,与智能电表类似,如非易失性与高写入耐久性确保了准确、可靠的数据记录。 此外由于水和气表使用电池供电,FRAM存储器拥有超低功耗的特性使之备受方案商的青睐。以64Byte数据写
2021-05-08 15:41:37421

FRAM车规级是满足汽车电子无延迟要求的优先存储器选择

富士通从1999年开始推FRAM产品已经连续推了18年,应该说已经有不少客户采用并认可了FRAM产品。至于富士通为什么这么迫切的推FRAM也可以理解,富士通控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片
2021-05-11 17:17:09704

富士通FRAM主要具备的三大优势是什么

不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。 经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗RFID标
2021-06-08 16:51:17436

富士通半导体正在量产快速数据传输功能产品

每秒 54MB 的数据传输速率。 该产品具有高速运行和非易失性的特点,非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和路由器。 20 多年来,富士通半导体量产的 FRAM 产品与 EEPROM 和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。迄今为止,这些
2021-06-25 15:26:231603

串行FRAM存储器64K MB85RS64概述及特点

富士通FRAM是新一代非易失性存储器,其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存储器MB85RS128B概述及特点

富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力实现高速数据传输

的数据传输速率。 MB85RQ4ML具有高速运行和非易失性的特点,非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持样品测试及技术支持。 富士通半导体20多年来量产的FRAM产品与EEPROM和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713

富士通FRAM存储器的详细介绍

FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存储器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加贺富仪艾电子旗下代理品富士通半导体的FRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。 这么优质的存储器都用在了哪里呢?今天小编就为大家梳理一下FRAM的应该领域。 物联
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性

FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点,富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA,这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。评估样品目前可用。
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替换SRAM时的问题和解决方案

       FRAM是一种非易失性存储器产品,具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。          富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存储器产品,与传统的非易失性存储器相比,具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。   近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通在不同业务场景下的具体变革

富士通近日发布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技术与服务愿景,以下简称“FT&SV”)》,对富士通面向未来的商业与社会愿景进行了展望。
2022-08-30 10:27:191108

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI无线射频识别芯片
2023-11-09 13:59:01432

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