富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

NEW PRODUCT

保证100万亿读/写周期的FRAM

FRAM 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 （如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。评估样品目前可用。

MB85R8M2TA 封装

与富士通的传统产品相比，新产品既实现了高速运行——访问速度提高了约30%，又实现了低功耗——工作电流降低了10%。这种存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的理想替代品。

FRAM 使用示例

新品细节

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，已经量产了20多年。

富士通自2018年6月开始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广产品的同时，公司听到了客户的声音，例如保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。富士通现在很高兴推出满足这些要求的新 8Mbit FRAM 产品，并继续保持 FRAM 的低功耗的独特特性。

MB85R8M2TA 具有与 SRAM 兼容的并行接口，可在 1.8V 至 3.6V 的宽电源电压范围内运行。它是富士通 FRAM 产品系列中第一款保证 100 万亿读/写循环时间的产品。

在快速页面模式下，新的FRAM能够运行到25ns，在连续数据传输时，其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且降低了功耗。该FRAM的最大写入电流为18mA，比目前的产品低10%，最大待机电流为150µA，低50%。该产品采用44针TSOP封装，与富士通4Mbit FRAM的封装相同，此外还有48针FBGA封装。

电流比较

新的8Mbit FRAM给客户带来的好处是，在某些情况下可以省去SRAM所需的数据备份电池。富士通的FRAM产品可以解决因用非易失性存储器取代SRAM而产生的以下问题：

01

问题：更改接口设计和 PCB 设计的额外工作

解决方案：使用与 SRAM 接口和 SRAM 封装兼容的 FRAM

02

问题：难以用写入速度非常慢的非易失性存储器替代

解决方案：使用具有快速写入操作的 FRAM，页面模式下最大 25ns

03

问题：写入寿命高达10万亿次导致设计限制

解决方案：使用写入寿命高达100万亿次的FRAM

使用非易失性存储器替换 SRAM 时的问题和解决方案

主要规格

零件号	MB85R8M2TA
密度（配置）	8Mbit (512K x 16bit)
界面	并行接口（低功耗 SRAM 兼容）
工作电压	1.8V 至 3.6V
工作温度范围	-40°C 至 +85°C
读/写耐久性	100 万亿 (1014) 次
包裹	48-pin FBGA, 44-pin TSOP
低功耗	工作电流：18mA（最大值） 待机电流：150μA（最大值） 睡眠电流：10μA（最大值）

富士通半导体致力于在开发高性能产品的同时为可持续发展的社会做出贡献。例如，该公司继续致力于开发低功耗的FRAM产品。随着功耗的降低，它的目标是减少二氧化碳排放，以减少温室气体。

富士通将继续满足市场和客户的需求和要求，同时开发环保型内存产品。

关于富士通半导体

富士通的半导体业务始于 1956 年，当时第一个用于日本电报电话公共公司(现为NTT)中继器的硅晶体管商业化。1970年代后期，开始了全面的对外销售业务，并开始批量生产半导体。在富士通半导体集团，富士通半导体存储器解决方案有限公司是一家专门从事系统存储器业务(FRAM等)的公司，提供高性能和高质量的非易失性存储 LSI。更多详情请访问：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/cn/products/fram/。

关于加贺富仪艾电子（上海）有限公司

加贺富仪艾电子（上海）有限公司原为富士通电子，其业务自2020年12月并入加贺集团，旨在为客户提供更好的优质产品和服务。在深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹加贺富仪艾电子在中国的销售业务。加贺富仪艾电子（上海）有限公司的主要销售产品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服务，专用标准产品(ASSPs)，铁电随机存储器，继电器，GaN（氮化镓），MCU和电源功率器件，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。更多详情请访问：https://www.kagafei.com/cn。

原文标题：保证高达100万亿读写周期的8Mbit FRAM

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审核编辑：汤梓红