富士通电子推出全新2Mbit FRAM产品，满足汽车对低功耗电子器件的需求

2020年5月11日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1．7V至1．95V，配有串行外设接口（SPI）。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。

这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如ADAS。

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

图2：应用实例（ADAS）

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。

自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3．3V或5V的64Kbit～2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1．8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0．1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供外形尺寸为5．0mm x 6．0mm x 0．9mm的8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

图3:8pin DFN和8pin SOP封装

除2Mbit FRAM，富士通电子目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

关键规格

• 组件型号：MB85RS2MLY

• 容量（组态）：2 Mbit（256K x 8位）

• 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

• 运作频率：最高50 MHz

• 运作电压：1．7伏特 - 1．95伏特

• 运作温度范围：摄氏零下40度 - 摄氏125度

• 读∕写耐用度：10兆次 （1013次）

• 封装规格：8-pin SOP与8-pin DFN

• 认证标准：符合AEC-Q100 Grade 1

词汇与备注

注一：铁电随机存取内存（FRAM）

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。

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