IGBT（绝缘栅双极型晶体管)，变频器的核心部件
2024-03-18 17:12:31
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IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种高效能的功率半导体元件，在能源转换和控制领域的作用日益凸显。01作为能量转换与管理的核心，IGBT结合了MOSFET的输入阻抗高和GTR的低饱和压降的特点，其独特
2024-03-12 15:34:18149 
安森美，智能电源和智能感知技术的领军企业，今日宣布推出SPM31智能功率模块（IPM），该模块采用了创新的场截止第7代（FS7）绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，显著降低了总体系统成本，为行业树立了新的标杆。
2024-03-01 09:53:53163 绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和电压）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种高效能的半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间？ 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件，其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通时间和关断时间是评估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280 在电力电子技术领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极型晶体管（BJT）的载流能力强的优点。
2024-02-18 10:29:261055 
这是绝缘栅双极晶体管（IGBT）的实用指南。您将从实际的角度学习如何使用它——而无需深入研究它内部的物理外观。IGBT通常被描述为复杂而先进的东西。但是，当你剥离物理解释并开始练习时，将其放入电路中是很简单的。
2024-02-11 10:57:00533 
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，因其高效率和快速开关特性而受到青睐。
2024-02-06 11:14:40303 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
IGBT驱动电路工作原理： IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种特殊的双极晶体管，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和普通双极晶体管的优点。它在高电压和高电流应用中具有
2024-01-23 13:44:51674 管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
传统的双极晶体管是一种电流驱动型放大器，对其信号放大特性的分析以小注入电流为主，即在共发射极工作状态时，输入很小的基极电流就能控制输出端的集电极电流而获得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去识别IGBT绝缘栅双极型晶体管呢？ IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种功率半导体器件，结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特点。IGBT通常用于高电压和高电流应用，例如工业
2024-01-12 11:18:10350 与作为电流控制器件的双极晶体管不同，场效应晶体管是电压控制的。这使得FET电路的设计方式与双极晶体管电路的设计方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40372 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称
2024-01-03 15:14:22268 
晶闸管是现代电子学中使用最多的元件，逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型，它们每个都有自己的优势和一些限制。IGBT(绝缘栅双极晶体管)将BJT和MOSFET的最佳部分
2023-12-22 10:30:58750 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-12-18 09:40:221150 
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 【科普小贴士】什么是双极晶体管（BJT）？
2023-12-13 14:38:56400 
igbt的作用和功能 IGBT，即绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种用于功率电子器件中的双极型晶体管。IGBT 融合了绝缘
2023-12-07 16:32:552936 衬底:NPN双极晶体管的基础是p掺杂(硼)硅衬底，上面沉积了厚氧化层（600 nm）。
2023-12-06 18:15:251251 
电子发烧友网站提供《用基于三相绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT)的逆变器应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:05:31
5 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史
2023-11-24 14:45:34405 
和原理。它由一个晶闸管和两个晶体管组成，其中晶体管的作用是将电流放大并控制晶闸管的导通和关断。而IGBT是一种电压场控型器件，其工作原理是基于绝缘栅双极晶体管的结构和原理。它由一个绝缘栅双极晶体管和两个晶体管组成，其中绝缘栅双极晶体管的作
2023-11-24 11:40:53997 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
在电力电子领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是两种关键的功率半导体器件。它们的独特特性使它们在高效能和高频率应用中非常重要。本文将探讨IGBT和MOSFET的工作原理、封装技术及其广泛的应用。
2023-11-15 14:12:32176 
： IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bipolar双极晶体管的开关动作。IGBT主要由三个部分组成： - N型沟道区：
2023-11-10 14:26:281260 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 各位大佬，请教一下 IGBT 模块的绝缘耐压如何测试？
2023-10-23 10:19:00
绝缘栅双极晶体管，是一种高速开关器件，常用于功率电子应用领域。其工作原理是基于双极晶体管和场效应管的原理结合而成的。在IGBT内部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP结构，其中两个P型区域分别与两个N型区域相接，形成PN结，而在两个P型区域之间还有一个N型区域，形成一个N通道结构。这个N型区域被称为增
2023-10-19 17:08:082592 ：IGBT封装难点
三、IGBT厂商介绍
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管）的缩写，最常见的应用形式是模块。大电流和大电压环境使用IGBT
2023-10-16 11:00:14
体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。 与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种
2023-10-16 10:28:541213 
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
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2023-09-25 11:27:500 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325 
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-09-19 02:43:54232 选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。
2023-09-13 15:47:56921 
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 绝缘栅双极晶体管也简称为IGBT ，是传统双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET)的交叉体，使其成为理想的半导体开关器件。
2023-09-06 15:12:291490 
损坏的主要原因具体来说，变频调速系统由变频器、电缆和电机组成。逆变器的核心控制元件有BJT(双极晶体管)、IGBT(绝缘栅)等类型，其中IGBT具有驱动简单、保护容
2023-09-05 11:34:55328 
igbt单管和双管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又称绝缘栅双极晶体管，是一种特殊的半导体器件。它集成了MOSFET和BJT的优点，具有输入电阻
2023-08-25 15:11:222533 今天给大家分享的是：IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
2023-08-25 09:39:182040 、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电动车的交流电电动机的输出控制。
2023-08-11 14:46:19545 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
2023-08-08 10:14:122 范围为 10 mA – 600mA。这些都可以 PNP 和 NPN 形式获得。
光电晶体管
这些晶体管是光敏晶体管，这种晶体管的常见类型看起来像双极晶体管，其中该晶体管的基极引线被移除并通过光敏区域
2023-08-02 12:26:53
供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
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2023-07-20 14:10:05
除了这些新材料外，绝缘栅双极晶体管(IGBT)这一较老的技术在电力电子领域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次进入IGBT市场，推出了一系列新的600 V设备。本文将介绍IGBT、trench-gate设备和Nexperia的新产品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 “晶体管”现在可以分为多种类型，每种类型具有不同的功能和结构，例如FET、MOS FET、CMOS等也是广义上的晶体管。当然，它仍然是有源的，主要用于电压/信号放大和开关控制。在本文中，工程师将解释这种双极晶体管是什么，以及它的原理、机制和特点。
2023-07-07 10:14:492344 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱
2023-07-05 09:20:27459 
达林顿晶体管是一种众所周知且流行的连接，使用一对双极晶体管结型晶体管（BJT），设计用于像统一的“超β”晶体管一样工作。下图显示了连接的详细信息。
2023-06-29 10:06:49747 
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
绝缘栅双极晶体管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过
2023-06-14 20:15:012111 
产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。
2023-06-06 10:47:12390 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘
2023-05-26 11:19:061097 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘
2023-05-20 15:19:12583 这款 10 瓦晶体管音频放大器电路采用常规双极晶体管元件，具有 10 瓦功率输出。为了良好运行，该放大器电路需要高达30 VDC的20VDC电压。
2023-05-19 17:44:111859 
igbt模块是什么东西 什么是 IGBTIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:37:48
供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50A、600V SGTP50V60FD2PU电机逆变器igbt，是士兰微igbt一级代理商，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:22:26
供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应IGBT 50A 600V 型号SGTP50V60FD2PF-士兰微驱动电机igbt，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域， 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:14:31
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2023-04-03 17:07:50
萨科微slkor半导体技术总监、清华大学李健雄介绍说，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型晶体管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
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2023-04-03 16:15:051 供应IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC电路igbt，提供SGT30T60SD1FD关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 16:13:31
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2023-04-03 16:02:491 供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
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2023-04-03 15:50:59
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2023-04-03 15:40:25
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2023-04-03 15:29:481 供应士兰微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驱动电机的igbt晶体管，提供SGT20T60SD1S关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:27:47
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2023-04-03 15:15:382 供应600v 15a电机igbt驱动SGT15T60SD1F可代换IKA15N60T绝缘栅双极型晶体管，提供SGT15T60SD1F关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:14:03
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
IGBT 600V 9A 38W DPAK
2023-03-29 15:38:34
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。 ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点 ■ 浮动工作电压可达600V ■ 拉灌电流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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