安森德新推出ASDM100R090NKQ全桥MOSFET功率管

安森德新推出ASDM100R090NKQ全桥MOSFET功率管

高速低功耗助您装置小型化

随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。

该款MOSFET采用先进工艺制造,在保证100V额定电压的同时,正常导通电阻仅为9mΩ。相比业内同类产品,具有明显 conduction loss 优势。另外,其寄生参数也经过精心设计与优化。输入电容仅为3370pF,Miller电荷也控制在49nC,有助于实现高速转换。

此外,ASDM100R090NKQ拥有强大的迪安反向恢复能力,使其非常适合于不同的开关拓扑,尤其是硬开关和高速电路。反向恢复时间仅为6ns,反向恢复电荷为226nC。无论是在逆变器、PFC电路还是LLC电路中,均可实现高效率的同步整流。

ASDM100R090NKQ的另一大优势在于增强的可靠性设计。该器件不仅100%测试于无限制电感载流(UIS)条件下,还进行了100%的栅极电阻(Rg)可靠性筛选。此外,其拥有强大的单脉冲雪崩能力(80mJ),可有效提高MOSFET在拓扑故障状态下的稳健性。

综上所述,安森德公司这一新推出的高速低功耗MOSFET,性能参数先进,可靠性设计出色。其在小型化和高效率电源设计中具有明显的优势。如果您正在为开关电源或逆变器寻找高性价比的MOSFET解决方案,ASDM100R090NKQ将是一个不二之选。

审核编辑：汤梓红