Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
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IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211206 上一篇文章的内容来阅读本文。 通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性 为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。 先来看具有快速恢复
2020-12-21 14:25:457583 
反向恢复过程： 通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程 。由于反向恢复时间的存在，使二极管的开关速度受到限制。 试想一下，如果二极管的反向恢复时间长，那就
2022-12-10 17:06:3814750 
碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A碳化硅二极管的反向恢复时间也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
特性，能够提高高温环境下功率系统的效率。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售
2020-09-24 16:34:09
电压(VDSS)：600V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.2Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.5V漏源击穿电流(IDSS)：1uA反向恢复时间(trr)：648NS工作温度
2021-12-16 16:58:19
电压(VDSS)：800V栅源电压(VGS)：±30V导通电阻(RDS(on))：1.9Ω源-漏二极管压降(VSD)：1.4V漏源击穿电流(IDSS)：10uA反向恢复时间(trr)：320NS工作温度
2021-12-01 16:42:02
实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。・内部二极管的trr高速化有助于实现逆变器和电机驱动器电路的高效化与小型化。＜ 相关产品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
通电阻RDSON，注意：不是电流很多时候工程师关心RDSON，是因为RDSON和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、温升越低。同样的，工程师尽可能沿用
2017-11-15 08:14:38
到地面更有意义。增强型（“正常关闭”） P 沟道 MOSFET 类似于倒置的 N 沟道 MOSFET。如果栅极相对于电源具有足够高的负电压，则激活。您可以通过将源连接到VCC （+） 和接地
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
检测（AOI）系统对焊点进行目视检查，并有助于提高焊点可靠性。此外，东芝已验证其可在贴装温度循环测试中承受3000次循环，并获得了相关数据，从而让客户能够完全放心地使用该QFN封装。与现有产品相比，通过
2023-02-28 14:11:51
1.低导通电阻 卓越的沟槽工艺与封装技术相结合实现了低的导通电阻。这有助于提升您应用中的产品性能。 2.小型封装产品阵容3.封装类型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
% 。这些改进有助于显著提高设备效率。对于使用东芝当前产品GT50JR22的空调PFC电路，其工作频率低于40kHz。而GT30J65MRB是东芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通过降低
2023-03-09 16:39:58
这个损耗看成器件的感性关断损耗。3）开关损耗：开通损耗：考虑二极管反向恢复后：关断损耗：驱动损耗：十、功率MOSFET的选择原则与步骤1）选择原则：a.根据电源规格，合理选择MOSFET 器件（见下
2021-08-29 18:34:54
；该区间内GS 电容继续放电直至零。因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形（1）：实验电路（2）：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形功率MOSFET的功率损耗公式（1）：导通损耗该公式对控制
2021-09-05 07:00:00
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率MOSFET管的耐压主要通过厚的低
2016-10-10 10:58:30
e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率
2016-12-07 11:36:11
引起的MOSFET开关波形（1）：实验电路（2）：因二极管反向恢复引起的MOSFET 开关波形功率MOSFET的功率损耗公式（1）：导通损耗该公式对控制整流和同步整流均适用该公式在体二极管导通时适用（2
2018-10-25 16:11:27
静态反向电压阶段。参数性能仿真研究人员利用SPICE模型，通过商业PSpice软件对功率二极管反向恢复特性进行了仿真。功率二极管型号1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二极管
2023-02-14 15:46:54
ROHM在以业界最快的trr（反向恢复时间）著称的PrestoMOS产品阵容中又新增了“R60xxMNx系列”产品。PrestMOS与标准的超级结MOSFET相比，trr减少约60%，从而大大降低
2018-12-04 10:23:36
的区别是以热量的形式在电源中浪费和损失的功率。计算电路效率的基本公式为：器件导通通道的电阻越低，电路的效率就越高。这样，电子元件将散发更少的热量并且工作得更好。使用的电子元件 对于我们的测试和模拟，我们
2023-02-02 09:23:22
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
只有0.2V，但它不仅影响功率快恢复二极管的效率，而且影响快恢复二极管的温升，所以如果条件允许时，尽量选择导通压降小、额定工作电流为实际电流两倍的快恢复二极管。 2、快恢复二极管型号大全之快恢复二极管
2021-07-30 14:33:17
第二代。非常有助于改善包括电源在内的PFC等各种功率转换电路的效率。低噪声 EN系列以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面
2018-12-05 10:00:15
`ISA04N65A N沟道MOSFETTO-220F 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •充电器•低导通电阻 •SMPS待机功率•低门电荷 •LCD面板电源•峰值电流与脉冲宽度曲线 [/td][td]•ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
Q2的P-N结增加储存电荷。在t4~t5时段，MOSFET Q1通道导通，流过非常大的直通电流，该电流由MOSFET Q2体二极管的反向恢复电流引起。这不是偶然的直通，因为高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58:23
过由于“电导调制”现象的存在，PiN二极管完全导通后，内部的N-基区充满了大量的自由载流子。而二极管的反向恢复过程就是将N-基区的这些载流子的移出过程，因为只有将这些载流子清除完后，N-基区才能够形成承受
2020-12-08 15:44:26
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（0604尺寸）一样小的尺寸选择。 各种大小有助于
2021-02-02 09:55:16
ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET中，采用了新工艺、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低各种设备的功耗。2、具备
2021-07-14 15:17:34
，SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外，可以看到，与150℃时的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓，因而导通电阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
提升导通能量，当栅极电阻降低时，导通能量也随之降低。图2 Eon和Rg的关系曲线当横跨栅极电阻器的压降超过了半桥转换器上MOSFET的阈值电压，就会发生寄生导通，即米勒效应。此时，反向恢复能量（Err
2019-07-09 04:20:19
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性的不同首先，反向恢复或恢复是指二极管在呈反向偏置状态时，无法立即完全关断，有时会出现反向电流的现象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
【实例分析】抑制功率二极管反向恢复的3种方法大比拼！引言高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率
2017-08-17 18:13:40
，在结构上有的采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构，可获得较高的开关速度和较低的正向压降。它从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级，前者的反向恢复时间为数百纳秒或更长．后者则在100ns以下，大大提高了电源的效率
2020-10-29 08:50:49
通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
什么是反向恢复过程？二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌电流Ifsm：300A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-50~+150℃恢复时间(Trr)：35nS引线数量：3 二极管SFF3006反向恢复过程，现代脉冲电路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管
2021-06-30 16:37:09
，存储的电荷越多，耗尽时间越长，反向恢复时间越长。3、半导体材料的载流子复合效率越低，寿命越长，电荷耗尽时间越长，反向恢复时间越长。前期回顾：二极管扩散电容和势垒电容
2021-10-18 10:28:06
存在反向恢复电流。可以考虑降低电源二极管的最大额定电流，使用尺寸更小的二极管。电源更紧凑，功率密度更高，可以提高开关频率，功耗更低。SiC技术之所以能够提供这些优点是因为在正常导通器件，不会累积反向恢复电荷。缺点是价格比较高。原作者：蜗牛 硬件笔记本
2023-02-15 14:24:47
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
有助于提高效率。另一方面需注意电感的ESR，ESR过大会降低效率。 4 过温保护 :芯片内部集成过温保护，当芯片温度高过温保护点（典型值为 150 度）时，系统会关断功率管，从而限制输入功率，增强系统可靠性。十 ESOP8 封装参数图
2019-09-30 11:17:15
的封装。如图2所示，低边 MOSFET的导通电阻比高边 MOSFET的低，这会导致焊盘区的大小不一致。事实上，低边MOSFET的导通电阻是器件的关键特性。即使封装尺寸变小了，还是有可能在最高4.5V电压
2013-12-23 11:55:35
的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动
2019-04-04 06:30:00
。BD35395FJ-M终端稳压器IC具有低的高侧导通电阻和低侧导通电阻以及大负载输出电流能力。该芯片高侧和低侧导通电阻值典型值均为0.35Ω，输出电流范围为-1.0A到1.0A。它的输入电压范围为2.7V至
2019-04-28 05:31:27
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
。 最后，与IGBT相比，功率MOSFET的通态损耗低，尤其是在低电流时更为显着;关断能耗低，但导通能耗较高。加快体硅二极管的反向恢复速度与所用技术工艺有关。 3 意法半导体的电机控制功率开关技术 为
2018-11-20 10:52:44
：8A/72nS=55A/uS二极管反向恢复时间：44nS反向电压：400V二极管正向导通电流：0.5A二极管反向恢复时间：150nS二极管实测的性能优于器件标称参数，性能不错！七：测量国产某个厂家
2015-03-05 09:30:50
出现电压过冲，如图4所示。 图3：具有分立MOSFET的相节点电压振铃和电压过冲 图4：带有电源模块的清洁相位节点切换波形 低PCB损耗，PCB寄生电阻降低 功率块有助于减少PCB中高电流
2018-10-19 16:35:33
时也不会出现电压过冲，如图4所示。 图3：具有分立MOSFET的相节点电压振铃和电压过冲 图4：带有电源模块的清洁相位节点切换波形 低PCB损耗，PCB寄生电阻降低功率块有助于减少PCB中高电流承载
2018-07-18 16:30:55
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
的频率下操作，也就可以使用较小的电感器及电容器，同时可以提升电源供应器的效率。小体积的肖特基二极管可工作在50GHz的频率，因此是RF侦测器及mixer中的重要零件。</div> 揭秘肖特基二极管的反向恢复时间`
2018-11-02 11:54:12
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
/252T属性参数值商品目录场效应管(MOSFET)[/td]类型N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2A
2021-09-09 15:47:31
连线的电源短路。图2显示的是经修改的评估模块 (EVM) 电路原理图。图2：用于反向恢复测量的经修改的硅桥图3显示了插入分流电阻器后的TPS40170 EVM。图3：EVM探测技术图4显示的是开关
2018-09-03 15:17:37
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以极快的反向恢复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。＜提高设计灵活度的关键＞开关速度的高速化与误开启现象、噪声干扰是相悖的，用户在电路设计时需要通过调整栅极电阻来进行优化
2020-03-12 10:08:47
的课题。而超级结结构是排列多个垂直PN结的结构，可保持耐压的同时降低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷量Qg。另外，内部二极管的反向电流irr和反向恢复时间trr是作为晶体管的关断开关特性的探讨项目
2018-11-28 14:28:53
区产生N型导电沟道，同时，源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。比较平面
2018-10-17 16:43:26
提高电源可靠性的关键在于降低功率元件的热、电压和电流应力，这主要是输入电压和所需功率的函数。不过，您可选择有助于减轻这些应力的拓扑。同样，虽然热应力是额定功率的函数，但电源效率也起着重要作用。因此
2019-05-22 06:30:00
较低的反向恢复电荷（Q RR ）和更稳定的温度导通电阻（R DS（开启） ），可实现更高的开关速度。MOSFET在米勒高原停留的时间越短，功率损耗和自发热就越低。TI 的UCC5870-Q1
2022-11-02 12:02:05
PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。 内建横向电场MOSFET的主要特性 1、 导通电阻的降低 INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V
2023-02-27 11:52:38
:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:09
39 超快速二极管的反向恢复特性摘要:本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 日前，东芝开发了提高内置二极管恢复特性的构造MOSFET“DTMOS”，并将于5-14日至16日在PCM 2013大会上展示。据悉，该产品耐压为600V，缩短了内置二极管反向恢复时间。
2013-05-20 11:40:33885 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 本文重点介绍在调试FPGA系统时遇到的问题及有助于提高调试效率的技术，针对Altera和Xilinx的FPGA调试提供了最新的方法和工具。
2018-11-28 08:43:002094 
有更加深入的了解时，这个波形变得复杂了很多。不断困扰开关转换器的一个特别明显的非理想状态就是同步降压或升压转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此
2021-11-10 09:40:225677 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中
2022-04-01 09:12:422802 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。
2023-02-10 09:41:08662 
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现象。
2023-02-13 09:30:041664 
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17:07198 
反向恢复时间（trr）：正向二极管电流衰减为零后，由于两层中存在存储电荷，二极管继续反向导通。反向流动的时间称为反向恢复时间（trr）。二极管保持其阻断能力，直到反向恢复电流衰减为零。
2023-02-23 15:50:305422 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我将开始在24V至5V/4A电源转换器中测量反向恢复。
2023-04-15 09:15:122505 
” 。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路 [1] 等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的 [2] 3.1mΩ最大
2023-06-29 17:40:01368 
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