--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
- **型号:** AUIRFR9024NTRPBF-VB
- **丝印:** VBE2610N
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO252
- **沟道类型:** P-Channel
- **额定电压(Vds):** -60V
- **额定电流(Id):** -38A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** -1.3V
**应用简介:**
适用于中功率、中电压负载开关应用,是P-Channel MOSFET,具有相对低的导通电阻,可实现有效的功率控制和开关操作。
**主要应用领域和模块:**
1. **电源逆变器:** 在电源逆变器模块中,用作负载开关,实现高效的能量转换。
2. **电动车电池管理:** 适用于电动车电池管理系统,控制电池充放电过程。
3. **电机驱动:** 在中功率电机驱动模块中,作为电机的负载开关元件,实现电机的精确控制。
4. **照明电源:** 在LED照明电源模块中,提供可调光和开关功能。
**作用:**
AUIRFR9024NTRPBF-VB作为P-Channel MOSFET,在负载开关应用中,可以提供可靠的功率控制和开关操作。
**使用注意事项:**
1. **电压等级:** 确保在规定的额定电压范围内使用,避免超过最大额定电压。
2. **电流方向:** 作为P-Channel MOSFET,电流方向是从源极到漏极,应注意电流方向。
3. **温度:** 注意工作温度范围,确保在适当的温度条件下使用。
4. **驱动电压:** 在控制端(Gate)施加适当的驱动电压,以确保可靠的功率控制。
5. **阈值电压范围:** 注意阈值电压范围,确保在规定的范围内实现正常操作。
以上是对AUIRFR9024NTRPBF-VB的详细参数、应用和使用注意事项的简要说明。确保按照规格书和数据手册中的指导操作。
为你推荐
-
WTC2303-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:27
产品型号:WTC2303-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
WTC2302-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:26
产品型号:WTC2302-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
WTC2302A-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:25
产品型号:WTC2302A-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
WTC2301-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:24
产品型号:WTC2301-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
WTC2300-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:22
产品型号:WTC2300-VB 封装:SOT23封装 沟道:N—Channel -
WTC1333-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:21
产品型号:WTC1333-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
WT1M-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管2024-04-12 10:20
产品型号:WT1M-VB 封装:SOT23封装 沟道:P—Channel -
WPMD3002-8-TR-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-12 10:19
产品型号:WPMD3002-8-TR-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个P—Channel -
WPM4803-8-TR-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-12 10:18
产品型号:WPM4803-8-TR-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个P—Channel -
WPM44803-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-04-12 10:16
产品型号:WPM44803-VB 封装:SOP8封装 沟道:2个P—Channel