--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 0.3A
- 导通电阻 2800mΩ @10V, 3000mΩ @4.5v
- 门源电压 20Vgs
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 BSN20
丝印 VB162K
品牌 VBsemi
详细参数说明
- 类型 N沟道MOSFET
- 最大耐压 60V
- 最大电流 0.3A
- 导通电阻 2800mΩ @10V, 3000mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs
- 门阈电压 1.6Vth
- 封装 SOT23
应用简介
BSN20是一款N沟道MOSFET,适用于低压和低电流的电路应用。其最大耐压为60V,最大电流为0.3A。虽然其导通电阻相对较高,但在低压和低电流的应用中表现良好。
该器件适用于多种应用领域,包括但不限于
1. 低压电源管理模块 适用于电池供电设备等低压电源管理电路。
2. 消费电子产品 适用于便携式设备、智能手机等低功耗应用。
3. 控制模块 适用于开关控制电路,如电磁阀控制、电流控制等。
总之,BSN20适用于低压和低电流应用领域的模块设计,包括低压电源管理、消费电子产品和控制模块等。
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