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电子发烧友网>新品快讯>Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的S

Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的S

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2025-03-24 17:30:011355

FD20-110S40B3C3 FD20-110S40B3C3

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2025-03-20 18:58:29

PFD6-18S40A3(C)2 PFD6-18S40A3(C)2

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2025-03-20 18:41:45

UA40-220S05 UA40-220S05

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2025-03-18 18:59:51

FA40-220S24G2N5 FA40-220S24G2N5

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2025-03-18 18:59:01

FA40-220S24W2N4 FA40-220S24W2N4

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2025-03-18 18:58:37

FA40-220S15W2D4 FA40-220S15W2D4

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2025-03-18 18:57:39

FA40-220S24G2D5 FA40-220S24G2D5

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2025-03-18 18:57:02

FA40-220S24H3N4 FA40-220S24H3N4

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2025-03-18 18:56:17

科技与美电科技携手推出AI传感器模组

2024年,国科技与战略合作伙伴深圳美电科技有限公司(以下简称“美电科技”)展开了深度合作。双方以国科技首颗端侧AI芯片CCR4001S为核心,携手推出AI传感器模组,迅速且紧密地围绕该模组开展全方位、多维度的应用开发工作。如今,这款模组已成功实现应用。
2025-03-18 16:34:461008

手机芯片进入2nm时代,首发不是苹果?

电子发烧友网综合报道,2nm工艺制程的手机处理器已有多家手机处理器厂商密切规划,无论是台积电还是三星都在积极布局,或将有数款芯片成为2nm工艺制程的首发产品。   苹果A19 或A20 芯片采用台
2025-03-14 00:14:002486

”光焕新,创“”未来|度亘核慕尼黑上海光博会完美收官!

携全系列产品亮相,并重磅推出915/976nm50W高亮度半导体激光芯片、单模1064nm锁波DFB激光芯片与器件以及650W高光谱稳定轻量化DFB泵浦模块三款
2025-03-13 18:17:251165

曝三星已量产第四代4nm芯片

据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713207

科技推出1200V40A GEN3 IGBT单管

科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT单管,产品型号为YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

请问DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的损伤阈值是多少?

您好!请问DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的损伤阈值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量级的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

要设计CH气体检测设备应用的激光源波长为3370nm,请问DMD微镜的反射波长是多少?

请问:我现在要设计CH气体检测设备应用的激光源波长为3370nm,请问贵司的DMD微镜的反射波长是多少?我们的要求能满足吗?
2025-02-24 08:08:31

DLP660TE 370-420nm波长的反射率以及紫外波段不同区间能承受的最大光功率值是多少?

我想知道该型号关于370-420nm波长的反射率以及紫外波段不同区间能承受的最大光功率值是多少?
2025-02-21 07:05:14

DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少?

DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少,480mW/cm²能否使用,有没有在355nm下的客户应用案例? 这个是激光器的参数:355nm,脉宽5ns,单脉冲能量60uJ,照射面积0.37cm^2,
2025-02-20 08:42:33

DLP9500UV在波长为370nm脉冲激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

请问在波长为370nm脉冲激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

YOKOGAWA/横河AQ6370B 光谱分析仪 波长范围 600nm至1700nm

范围:600 至 1700 nm应用光纤:9/125 微米 50/125 微米,62.5/125 微米1523 nm 处的近动态范围:37 dB(±0.1 nm
2025-02-19 14:36:55

国际扩产迎新进展:京城二期工业用地成交

近日,国际位于北京的晶圆厂项目——京城二期,迎来了建设进展的重要节点。据最新消息,京城二期的工业用地已经成功成交,这标志着该项目正式进入了实质性的建设阶段。 据了解,京城二期项目拟建
2025-02-19 11:32:531996

VirtualLab Fusion应用:基于分布式计算的AR光波导测试图像的仿真

使用一个由5个提供41个客户端的多核PC组成的网络,模拟时间可以减少大约4小时(与之前的大约43小时相比)。 模拟任务 入射耦合 周期:380 nm;光栅脊宽度:190 nm;高度:100 nm
2025-02-19 08:51:05

请问DLP9500能否承受3mJ/cm²的脉冲光(532nm, 5ns, 2kHz)?

我尝试使用脉冲激光照射具有调制图案的DMD反射镜(DLP9500),我想知道DMD是否能够承受以下参数的激光: 激光器:532nm 脉冲能量:3mJ 脉冲宽度:5ns 重复频率:2kHz 照明面积:1cm²
2025-02-18 06:05:30

365nm紫外点光源固化灯的特点、优势与应用

在现代制造业,紫外光固化技术已成为一种高效、环保的固化方式,广泛应用于涂料、油墨、胶水等多个领域。紫外点光源固化灯,尤其是365nm波长的紫外灯,因其独特的光学性能和应用优势,成为高精度固化过程
2025-02-13 15:44:392483

台积电加大亚利桑那州厂投资,筹备量产3nm/2nm芯片

据最新消息,台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度,旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉,此次投资将着重于扩大生产线规模,为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
2025-02-12 17:04:04995

微爱推出CBTLVD系列模拟开关

微爱推出四款CBTLVD系列模拟开关。
2025-02-12 14:21:301117

联发科采用AI驱动Cadence工具加速2nm芯片设计

近日,全球知名的EDA(电子设计自动化)大厂Cadence宣布了一项重要合作成果:联发科(MediaTek)已选择采用其人工智能驱动的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具,在英伟达(NVIDIA)的加速计算平台上进行2nm芯片的开发工作。
2025-02-05 15:22:381069

三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P,其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似,显示出三星在半导体工艺研发上的持续创新与投入。 据了解,在决定启动D1B-P项目时,三星现有的12nm级DRAM工艺良率
2025-01-22 14:04:071408

欧洲启动1nm及光芯片试验线

高达14亿美元,不仅将超越当前正在研发的2nm工艺技术,更将覆盖从1nm至7A(即0.7nm)的尖端工艺领域。NanoIC试验线的启动,标志着欧洲在半导
2025-01-21 13:50:441023

创飞90nm BCD工艺OTP IP模块规模量产

一站式 NVM 存储 IP 供应商创飞(CFX)今日宣布,其反熔丝一次性可编程(OTP)技术继 2021年在国内第一家代工厂实现量产后,2024 年在国内多家代工厂关于 90nm BCD 工艺上也
2025-01-20 17:27:471647

Litestar 4D:McCree莫克利曲线

测量了 22 种作物的叶子在 350 750 nm 波长范围内吸收CO 2的作用光谱、吸收率和光谱量子产率。从他对 22 种作物植物的研究数据,莫克利博士能够创建一条广义植物光吸收曲线(与广义
2025-01-14 09:37:36

微第二代8nm高性能AIOT平台,看这款板卡怎么样?

微近期推出了第二代8nm高性能AIOT平台——RK3576。RK3576应用方向指向工业控制及网关,云终端,人脸识别设备,车载控,商显等等。参数方面,内置了四核Cortex-A72+四核
2025-01-09 08:03:232156

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