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下图是N型FET的结构图，左边是JFET,右边是MOSFET。电流流过漏极和源极之间的部分称为沟道。JFET的栅极和沟道之间有等效二极管（PN结），所以称为结型FET。...
MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C)，将管子损坏。...
硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式，是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径，近年来在系统集成领域得到快速应用。...
引言：MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的缩写，具有高速和低损耗的特性，广泛应用于各种领域。...
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。...
对普通整流二极管来讲，只要应用电路中存在电网波动、同网中的大功率设备开启关断、雷击、开关火花、大容量的感性负载、大容量的容性负载这些情况下，瞬间电压高于二极管反向击穿电压值时，就可能产生电压损伤参数衰减或完全击穿短路开路的情况。 对保护二极管来说，就是电路中存在高于器件保护电压的，造成保护器件连续导...
驱动电路的工作频率（最小脉宽）相对 IGBT 开关频率（占空比范围）不足，或辅助电源平均输出功率不足，导致的输出不稳定。这个问题导致的后果是，驱动状态发生波动，系统最坏情况出现概率增加。...
不断增长的电力需求创造了对太阳能的巨大需求，可以公平地说，二极管使太阳能系统的使用成为可能和高效。事实上，太阳能电池只不过是一个光敏二极管，当太阳光照射在其上时会产生电流。但是撇开太阳能电池使用带有太阳能电池和面板的常规二极管是非常必要的。...
前面介绍了OCL电路的结构及工作原理，发现在OCL电路中存在不足，即交越失真，其本质是输入波形在零点附近时，晶体管进入死区而使输出波形出现失真。...
前面介绍了功率放大电路的常见类型及要求。今天以OCL电路为例，说明功放电路的分析方法。...
简单聊聊功率放大电路，它以输出较大功率为目的，可直接驱动负载，比如电子扩音器、自动控制系统中的执行机构等。...
前面，我们了解到负反馈有不同的类型。那么问题来了，为何要划分这么多类型？这要从负反馈对放大电路的性能影响说起。...
近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。...
上一期小编对运放的概念做了一个初步的讲解，虚断和虚短的概念大家都掌握了吗？今天开始，小编将会花费几期时间，和大家重点介绍运放的关键参数，这也是大家了解运放并能灵活使用运放的关键，我愿称之为运放最核心的内容。...
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。...
功率放大器（PA）是大多数射频、微波和毫米波传感、通信、电子战重要部件。许多应用需要天线端口的极端信号功率水平才能达到必要的范围或吞吐量水平。...
基本集电极耦合晶体管单稳态多谐振荡器电路及其相关波形如上所示。当电源打开时，晶体管TR2的基极通过偏置电阻RT连接到Vcc，使晶体管完全导通并进入饱和状态。同时，TR1在此过程中闭合，代表零输出电路的稳态。因此，流入TR2饱和基极的电流将为：Ib= （Vcc-0.7）/RT。...
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