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共模电感和差模电感都是抗电磁干扰有效的元器件之一，广泛应用于各种滤波器、开关电源等产品，但是共模电感是用来抑制共模干扰，而差模电感是用来抑制差模干扰，两种都是比较重要的滤波电感。...
光电二极管又称为光敏二极管，它是一种将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是：光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换。...
上海贝岭新推出四款高带宽模拟开关产品BL1561、BL1557、BL1558和BL1559，可在1.8V~5.5V的电源范围内工作，支持轨到轨输入/输出。产品具有双向、低功耗、低漏电流、高速、高带宽的特点，适用于需要对音频、视频和通讯信号进行切换的应用场合。...
SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。 主流制造衬底的方式首先以物理气相升华法，在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体。...
在工程实际中还有很多情况，我们可能不能准确知道磁芯型号，也很难知道电感饱和电流大小，有时候也不能方便的测试电感电流；这时候我们还可以通过测量电感是否有异常温升，或者听是否有异常啸叫等手段来初步判断是否发生了饱和。...
晶体管是现代电子设备中至关重要的元件之一，其稳定性对于设备的性能和可靠性至关重要。为了提高晶体管的稳定性，有几个关键的方面需要考虑和优化。...
同相放大器（non-inverting amplifier ）配置是最流行和最广泛使用的运算放大器电路形式之一，并且用于许多电子电路设计中。 运算放大器同相放大器电路提供高输入阻抗以及使用运算放大器获得的所有优点。...
IGBT模块短路特性强烈地依赖于具体应用条件，如温度、杂散电感、IGBT驱动电路及短路回路阻抗。...
ADC外设是12位的逐次逼近型（SAR）模拟数字转换器，可以将模拟信号转换成数字信号。...
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。...
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使...
金刚石具有优良的光学性能，高质量 CVD 金刚石薄膜具有十分优良的光学性能，除 3~6 μm 范围内的双声子区域存在晶格振动而产生的本征吸收峰外，在室温下，从紫外至远红外甚至微波段，都有很高的透过性，理论透过率高达71.6%。...
MOS管开关电路在DC-DC电源、开关控制、电平转换等电路中都有普遍的应用，今天就和大家一起学习一下MOS管栅极驱动的设计注意事项。...
在上篇《活学活用 LTspice 进行电路设计 — 简单五步绘制正确电路图》中，我们分享了只用简单五步绘制电路图的方法，展示了如何通过读取 JIG 电路来轻松模拟一个开关稳压器。本文将介绍如何使用预先准备好的模拟文件进行 DC sweep 直流扫描分析。...
IGBT模块中通常都会在陶瓷基板（DBC）上设有热敏电阻（NTC或PTC，由于NTC较为常用，以下统称NTC）用于温度检测，如图1所示。在实际应用中，工程师最直接也是最常见的一个问题就是：我检测到了NTC的温度，那么IGBT真实的结温是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之间的温差是多少？...
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。MOS管导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。...
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