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• 矽力杰高带宽高精度电流检测放大器性能优势介绍

  矽力杰新一代高精度电压输出型电流检测放大器SA59131系列产品支持高边或低边双向电流检测，拥 那有−4V~80V的宽共模电压范围，可采集低于接地电压的输入信号。...

  1017次阅读 · 0评论 开关电源PWM电流检测放大器矽力杰
  

• IGBT模块失效机理的两大类分析

  变压器结电容相对于电压变化率过大，导致的耦合电流干扰问题。这个问题导致的后果是，输出逻辑错误，控制电路被干扰，电路失效等。...

  1743次阅读 · 0评论 变压器智能电网IGBT驱动电路电流干扰

• ​第三代半导体之碳化硅行业分析报告

  半导体材料目前已经发展至第三代。传统硅基半导体由于自身物理性能不足以及受限于摩尔定律，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体也因而诞生。...

  4314次阅读 · 0评论 晶体管功率器件氮化镓碳化硅第三代半导体
  

• 碳化硅功率器件的电气性能优势

  SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度，使得SiC 器件具有极低的导通电阻（1/100 于Si），导通损耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁带宽度，泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级，从而可以减少功率器件的功率损耗。...

  947次阅读 · 0评论 二极管功率器件氮化镓碳化硅宽禁带半导体
  

• 中国功率器件大市场分析报告

  国产功率半导体已在众多领域应用，特别是低端产品，如二极管、三极管、晶闸 管、低压 MOSFET（非车规）等，已初现“规模化效应、国产化率相对较高”等特 点。...

  1633次阅读 · 0评论 二极管MOSFET晶闸管晶体管功率半导体
  

• 隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）

  报告内容包含： 效率和功率密度推动变革 基本的 MOSFET 栅极驱动器功能 驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管） 驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）...

  940次阅读 · 0评论 MOSFETIGBTSiCGaN栅极驱动器
  

• IGBT头部公司纷纷扩产 中国有哪些优秀的IGBT厂商

  随着新能源的爆火，IGBT缺货成了近年来的“家常便饭”。根据富昌电子的数据，目前英飞凌、安森美、意法半导体等IGBT国际大厂的订单整体处于相对饱满的状态，价格整体而言也比较稳定，产品交期普遍在39周以上，尤其是风光储IGBT等部分紧缺料交期还在52周以上。...

  1778次阅读 · 0评论 英飞凌新能源汽车二极管IGBT功率器件
  

• ADC架构的无采样保持(SHA-less)结构分析

  这种结构依然存在一些弊端， MDAC和子ADC的信号输入路径可能存在不匹配，也就是开关的RC时间常数的不匹配，导致在输入频率很高时，可能导致采样的信号存在很大的差异(孔径误差)。...

  2065次阅读 · 0评论 运放电路adc比较器开关电容
  

• 微波GaN HEMT 技术面临的挑战

  报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战...

  872次阅读 · 0评论 微波GaNHEMT
  

• mos管带载不到十秒钟就冒烟的原因是什么？

  Ton和Toff已经接近图二要求的时间，MOS管24V时带载27欧，输出功率21.3W，输出电压正常，MOS管基本不发热。 总结一：MOS管发热原因小结（此处从网上搜集）...

  1510次阅读 · 0评论 电路设计限流电阻开关损耗NMOS管
  

• 碳化硅的优势和难处

  　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更宽的禁带宽度，使其能够承受更大的电流和电压，同时实现更小尺寸的产品设计和更高的效率。...

  4805次阅读 · 0评论 功率器件SiC碳化硅
  

• MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路设计指南

  驱动电路和以两个输入电压作为摆幅的偏置电路，都与器件的源极轨连。但是，驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现，因为输入电压不会作用到这些电路上。...

  2051次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT驱动电路自举电路栅极驱动
  

• 为什么SiC在功率应用中战胜了Si？

  碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物，属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。...

  2132次阅读 · 0评论 半导体IGBTSiC双极晶体管碳化硅
  

• 信号、系统和数字信号处理知识整理

  信号、系统和数字信号处理知识整理...

  1151次阅读 · 0评论 信号处理模拟信号数字信号
  

• 什么是跨阻放大器 跨阻放大器和普通运放的区别

  交流信号TIA电路的增益主要取决于放大器反馈环路中的电阻和电容。公式1表示图1的理想交流和直流信号传递函数。...

  13001次阅读 · 0评论 放大器运算放大器光电二极管跨阻放大器反馈电阻器
  

• IGBT储能应用价值及优势分析

  储能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 两个环节。两种方案，光储一体以及单独储能系统。独立的储能系统，功率半导体器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光储一体可能占比超过 60-70%，单独储能系统占比 30%。...

  1405次阅读 · 0评论 三极管MOSFET场效应管光伏逆变器DCDC
  

• 基于模拟的SoC设计选择

  随着通道长度的缩短，电源电压将从3.3V降到0.7V，并有望进一步下降。这为晶体管（数字和模拟）施加了更低的过驱动问题。在模拟设计中，通过定义初始条件的预充电节点的实现克服了这一问题，使设计在低过驱动下工作。...

  655次阅读 · 0评论 模拟电路混合信号soc信号处理晶体管
  

• 模拟IC布局自动化设计方案

  单击第一个自动生成的布局将显示"动画预览"对话框，其中显示以下窗口：层次结构、原理图、布局、结果和约束。"布局"窗口显示九个生成的布局地形。...

  815次阅读 · 0评论 集成电路原理图MOSFET差分放大器
  

• 常见的汽车IGBT模块封装类型有哪些？

  IGBT行业的门槛非常高。除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求。...

  5956次阅读 · 0评论 动力电池新能源汽车IGBT功率半导体驱动电机
  

• 共模电感怎么测量电感值 共模电感的原理与作用

  共模电感的工作原理是通过电感的电磁感应作用，抵消共模噪声。当共模噪声出现时，它会在电路的两个信号线上产生同样大小和相位的电流信号。这些电流信号将在共模电感中诱导出一个磁场，进而产生一个抗拒共模噪声的反向电动势。...

  15517次阅读 · 0评论 电容电路设计共模电感LCR差模电感
  
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