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标签 > 宽禁带半导体
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安森美解读SiC制造都有哪些挑战?粉末纯度、SiC晶锭一致性
硅通常是半导体技术的基石。然而,硅也有局限性,尤其在电力电子领域,设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。 本文为白皮...
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度(Eg>2.3eV)的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质,使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现...
氮化镓(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构: 氮化镓...
在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...
碳化硅晶圆是晶体通过切割,粗磨,精磨,粗抛,精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此...
TOPIC | 解锁APCSCRM 2025 报告主题,邀请您11月25日郑州见
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界,智启源未来(W...
近日,工业和信息化部正式公布第七批国家级专精特新“小巨人”企业名单, 华大半导体旗下飞锃半导体(上海)有限公司凭借在宽禁带半导体材料与器件领域的突出技术...
【Join APCSCRM 2025】把握宽禁带半导体前沿趋势,全球领袖汇聚郑州,11月见
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。 会议将以“芯联新世界,智启源未来(...
2025-10-22 标签:宽禁带半导体 320 0
Allegro推出业界首款量产级10MHz TMR 电流传感器,为宽禁带功率电子器件提供精准保护与控制
新一代 XtremeSense™ TMR 电流传感器,为电动汽车、清洁能源和数据中心等采用 GaN 与 SiC FET 的设计提供高保真电流信号,助...
Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分别...
•无需焊接或探针,即可轻松准确地测量宽禁带功率半导体裸片的动态特性 •是德科技夹具可在不损坏裸片的情况下实现快速、重复测试 •寄生功率回路电感小于10n...
深度分析与解读功率半导体发展走向的“三个必然”及其产业影响 一、功率半导体发展的“三个必然”的技术内涵与历史性变革 分析与解读功率半导体发展走向的“...
【DT半导体】获悉,2月18日,南方科技大学举行的高温超导研究重大成果发布会上,由国家最高科学技术奖获得者薛其坤院士领衔的南方科技大学、粤港澳大湾区量子...
杭州镓仁半导体有限公司近日宣布成功完成近亿元的Pre-A轮融资,同时与杭州银行达成重要战略合作。本轮融资由九智资本领投,普华资本鼎力参与,彰显了资本市场...
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