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标签 > 功率半导体器件
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探索 onsemi NVBG022N120M3S SiC MOSFET 的卓越性能
在当今电子技术飞速发展的时代,功率半导体器件的性能提升对于各类电子设备的高效运行至关重要。作为一名电子工程师,我最近深入研究了 onsemi 的 NVB...
探索onsemi FGY100T120RWD IGBT:高效性能与广泛应用的完美结合
在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种高功率、高效率的电子设备中。今天,我们将深入探讨 onsemi...
探索 onsemi NDSH30120C-F155:碳化硅肖特基二极管的卓越性能
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对于整个系统的效率、可靠性和成本起着至关重要的作用。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH30120C-F...
【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究
一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚...
横河DLM3054示波器电源分析功能对功率半导体器件和驱动电路进行评价
横河混合信号示波器DLM3000/DLM3054的电源分析功能可以针对功率半导体器件和驱动电路进行评价,是解决这些问题强有力的工具。准确测量开关波形并计...
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。在IGBT的应用过程中,吸收电容是一种常见的辅助元件,用于提高系统的稳定性和可...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件,具有高电压、大电流、高频率等特点。然而,IGBT模块在工作过程中会产生大量...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率半导体器件,广泛应用于高频电源领域。在高频电源中,IGBT具有许多重要作用,以下是对这些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT功率半导体器件测试难点、主要测试指标及应对检测方案有哪些?
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IG...
开关电源的工作原理(文末免费分享开关电源资料合集含教学视频)
开关电源基本工作原理是通过使用功率半导体器件作为开关元件,周期性地通断开关,控制开关元件的占空比来调整输出电压,开关元件在全开模式(饱和区)及全闭模式(...
功率半导体器件研发领域的佼佼者“中微创芯”近日宣布,公司已完成近亿元人民币的Pre-B轮融资。本轮融资由青岛国信领投,源创多盈投资和云晖舜和基金跟投,彰...
日本公司正积极投入大规模生产氮化镓(GaN)功率半导体器件,旨在提升电动汽车的行驶里程。尽管氮化镓与碳化硅(SiC)在电动汽车功率半导体器件的应用上竞争...
宏微科技携全产业链产品组合及解决方案精彩亮相PCIM Europe 2024
当地时间6月,全球最大的功率半导体展会德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe)正式展出。PCIM Europe是全球电力电子行业的...
日前,第六届“金水湖”论坛暨2023全球AMOLED生态链大会在上海金山盛大举行。本届论坛以“屏行世界,芯动未来”为主题,由上海湾区高新技术产业开发区、...
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