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标签 > 三星半导体
文章:54个 浏览:16367次 帖子:3个
近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
TC-NCF是有凸块的传统多层DRAM间键合工艺,相比无凸块的混合键合技术更为成熟,然而由于凸块的存在,采用TC-NCF生产的同层数HBM内存厚度会相应增加。
三星推出专为人工智能应用优化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日,三星宣布已开发出其首款支持高达10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
根据初步调查结果,火源疑似源于建筑工地焊接产生的火花点燃了周围的可燃物所致。尽管有人质疑这可能对三星存储芯片业务产生不利影响,但三星半导体事务负责人坚决...
三星半导体UFS新品即将来袭,UFS 4.0和UFS 5.0即将推出
UFS 4.0的技术升级令人瞩目。与旧版本相比,其通道数量翻倍,从原先的2路升至4路,如同拓宽的高速公路,让数据传输通道更为畅通,能够并行处理更多数据流。
2024年CFMS闪存市场峰会成为了全球存储技术发展的一个焦点,三星半导体在此次峰会上展示的一系列创新存储解决方案引起了业界的广泛关注。这次峰会不仅突显...
三星半导体分享了面向PC、移动端和服务器的多样化创新存储解决方案
在2024年CFMS闪存市场峰会上,三星半导体展示了其面向PC、移动端和服务器的多样化创新存储解决方案。
近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
首尔半导体对FINELITE和三星半导体提起有机发光二极管LED专利侵权诉讼
大话芯片2月29日消息,据透露,首尔半导体正在对法国公司FINELITE和三星半导体提起有机发光二极管(LED)专利侵权诉讼。
由于2023年三星半导体业务部门的业绩疲软,该部门宣布将不会发放年度奖金给员工。去年,该部门的员工获得了相当于年薪50%的分红。
2024-02-02 标签:三星半导体 319 0
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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CL31A106KQCLNNC | 10 µF ±10% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 1206(3216 公制) |
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CL21C8R2CBANNNC | 8.2 pF ±0.25pF 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0805(2012 公制) |
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CL21B473KBCNFNC | 0.047 µF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制) |
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CL21B103KB6SFNC | 10000 pF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0805(2012 公制) |
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CL21A225KQFNNNE | 2.2 µF ±10% 6.3V 陶瓷电容器 X5R 0805(2012 公制) |
获取价格
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