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SOI全称为Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。
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使用传统的硅-玻璃体系能够以各种方式制备微流控芯片,易于硅加工和表面修饰,并且有利于后续应用,例如细胞接种及相关研究。
常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen,...
如何借助高均匀性的 SOI 优化衬底在 MEMS 中实现多种设计创新?
微机电系统 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潜力的 CMOS 传感器与驱动器电子器件集成解决...
中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估,SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元,2...
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