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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子市场推广中的核心技术洞见与沟通策略
国产碳化硅(SiC)MOSFET比如BASiC基本半导体代理商销售经理在电力电子市场推广中的核心技术洞见与沟通策略:国产碳化硅(SiC)MOSFET比如...
随着全球推动碳中和的步伐加快,可再生能源已成为现代能源转型的基石。太阳能光伏发电(PV)、风力涡轮机和先进的储能系统正以前所未有的规模得到部署。然而,最...
碳化硅(SiC)产业突围:大数据平台驱动技术迭代与生态重构,迈向功率半导体新纪元
当SiC从幕后走向舞台中央数十年来,硅材料一直被视为半导体领域的唯一解决方案。当全球顶尖晶圆厂专注于硅基芯片研发时,化合物半导体领域早已在悄然突破——从...
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)凭借高频高效、耐高温、高功率密度等特性,成为解决 “算力飙升与能耗、空间、散热瓶颈” 矛盾的核心材料。从数据中心的电源...
赋能绿色智造:倾佳电子力推碳化硅SiC模块+驱动板一站式方案,引领感应加热电源变革
赋能绿色智造:倾佳电子力推BASiC基本碳化硅SiC模块+驱动板一站式方案,引领感应加热电源变革 在“双碳”战略驱动下,感应加热电源行业正面临效率升级与...
森国科推出TOLL封装1200V/50A SiC二极管KS50120-K2
在功率半导体飞速迭代的进程中,碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能,成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完...
森国科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J
SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能,正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而,相比传统硅基IGBT,大多数Si...
SiC+Si混碳融合逆变器 · 从概念到系统方案落地的全景解析
以下内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-关于SiC+Si多变量融合逆变器·从概念到系统方案落地的全景解析-原创文章,仅用于SysPro内部使...
赋能SiC碳化硅MOSFET电源应用:BTD25350MMCWR双通道隔离型门极驱动器
赋能SiC碳化硅MOSFET电源应用:BTD25350MMCWR双通道隔离型门极驱动器 ——倾佳电子携手基本半导体,为新能源与工业电源注入强“芯”动力 ...
近日,在深圳福田会展中心举行的维科杯.OFweek 2025 (第十届)人工智能行业年度评选活动圆满落幕。安森美(onsemi)的SiC Combo J...
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200VMOSFET(顶部散热Q-DPAK单管封装)专为工...
基于全SiC碳化硅MOSFET功率模块打造100KW及125KW三相四线制混合式逆变器
光伏混合逆变器(简称“混逆”)在100-125kW功率段主要面向工商业场景,其设计融合了并网发电与储能管理能力,综合优势显著。 100–125kW混逆的...
以下是B3M010C075Z与B3M013C120Z两款SiC MOSFET在智能断路器中的应用分析,结合其技术特性和实际场景需求展开: 一、器件核心技...
加速落地主驱逆变器,三安光电1200V 13mΩ SiC MOSFET完成验证
电子发烧友网综合报道 近日,三安光电在投资者平台上表示,其主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在国内头...
2025-08-10 标签:SiC三安光电SiC MOSFET 8.1k 0
Si、SiC与GaN,谁更适合上场?| GaN芯片PCB嵌埋封装技术解析
以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封装技术全维解析》三部曲系列-文字原创,素材来源:TMC现场记录、Ho...
近期,一场史诗级停电灾难席卷欧洲南部,西班牙、葡萄牙全国电网崩溃,法国南部及比利时部分地区受波及,超5000万民众受影响,陷入黑暗中度过煎熬时光。停电后...
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