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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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碳化硅的超强性能

电力半导体的进步并不完全取决于节点尺寸的减小。硅电力开关，如MOSFETs和IGBTs，被设计用来处理12V到+3.3kV的电压和数百安培的电流。这些开...

2023-12-02 标签：IGBT SiC MOSEET 736 0

低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作

下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比，只是...

2023-02-28 标签：MOSFET 等效电路 SiC 734 0

UCC28C56H-Q1 汽车类 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

2025-03-20 标签：UVLO 电流模式 SiC 725 0

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装...

2025-02-26 标签：肖特基二极管 SiC 数据手册 724 0

碳化硅功率半导体器件的优势和现状

中低压产品性能可靠性满足应用要求，产品耐压提升到2000V及以上. 产品发展到第三代，采用新型栅氧、沟槽结构、集成肖特基二极管等技术.

2023-06-12 标签：二极管 SiC 碳化硅 723 0

如何设计一种适用于SiC FET的PCB呢？

SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。

2023-10-19 标签：MOSFET JFET DC-DC转换器 721 0

碳化硅功率器件的应用优势

碳化硅具有比硅更高的热导率、更宽的能带宽度和更高的电子饱和漂移速度。这些特性使得SiC功率器件在高温、高频以及高电压应用中表现优异。

2024-04-09 标签：功率器件 SiC 碳化硅 721 0

‌TMS320F28P55x系列微控制器技术文档总结

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000™ 实时微控制器系列的成员，该系列可扩展、超低延迟器件专为提高电力电子效率而设计，包括但不...

2025-09-29 标签：微控制器电力电子 SiC 720 0

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境

GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。

2022-10-19 标签：SiC GaN 720 0

PI技术白皮书 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用

白皮书‌阐释了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势，展示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800...

2025-10-14 标签：PI 数据中心 SiC 707 0

UCC28C56L 工业级 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

2025-03-20 标签：UVLO 电流模式 SiC 704 0

专用栅极驱动器和缓冲模块的效果

这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器与专用栅极驱动器进行特性对比。在电路构成中，有上次介绍过的电解电容器和薄膜电容器。在不使用专用栅极驱动器时，...

2023-02-27 标签：电容器 MOSFET SiC 699 0

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220I - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。...

2025-02-26 标签：肖特基二极管 SiC 数据手册 698 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备...

2025-02-27 标签：肖特基二极管 SiC 数据手册 694 0

SiC-MOSFET的特征

继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一...

2023-02-08 标签：MOSFET 晶体管 SiC 691 0

中科院8英寸SiC导电单晶研制成功

8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题。

2023-07-05 标签：SiC 碳化硅宽禁带半导体 690 0

聚焦器件可靠性、栅极驱动器创新和总体系统解决方案

碳化硅 (SiC) 技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC 解决方案并不是硅基解决方案的直接替代...

2023-05-17 标签：驱动器 SiC 碳化硅 690 0

使用安森美Elite Power仿真工具的125KW储能系统设计

安森美(onsemi)近期推出的开发工具试用活动已圆满收官，本次活动吸引了众多工程师的积极参与，通过实际应用体验安森美先进的开发工具，共同挖掘其在设计中...

2025-04-17 标签：安森美 SiC 储能系统 689 0

了解嵌入式驱动器中的电源模块

在 IP65 保护系统中，所有组件的耗散功率只能通过其表面（主要是散热器）排出。因此，嵌入式系统中使用的逆变器的设计必须限度地减少功耗，并使用良好的热界...

2024-05-03 标签：嵌入式系统逆变器 SiC 682 0

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UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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无线供电，是一种方便安全的新技术，无需任何物理上的连接，电能可以近距离无接触地传输给负载。实际上近距离的无线供电技术早在一百多年前就已经出现，而我们现在生活中的很多小东西，都已经在使用无线供电。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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