UCC38C52 商用 30V、低功耗电流模式 PWM 控制器数据手册

UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器，可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。

UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 阈值，可实现可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，现有的 UVLO 阈值可持续支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。
*附件：用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表 .pdf

VDD 绝对最大额定电压从 20V 扩展到 30V，以最佳方式驱动 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的栅极，同时还允许排除外部 LDO。

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP （DGK） 和 8 引脚 SOIC （D） 封装。

特性

• 欠压锁定选项，支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率作
• 50μA 启动电流，最大 75μA
• 低工作电流：1.3 mA（f OSC = 52 kHz 时）
• 快速 35ns 逐周期过流限制
• ±1A 峰值驱动电流
• 轨到轨输出
  • 25ns 上升时间
  • 20 ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 引脚对引脚兼容，可直接替代 UCCx8C4x
• 功能安全

参数

1. 产品概述

• ‌型号‌：UCCx8C5x
• ‌类型‌：低功耗电流模式高性能PWM控制器
• ‌应用‌：适用于Si和SiC MOSFET，支持各种应用
• ‌特性‌：提供更高的效率和更鲁棒的性能，相比UCCx8C4x系列有显著提升

2. 主要特性

• ‌UVLO选项‌：支持Si和SiC MOSFET应用，提供多种UVLO阈值选择
• ‌高电压支持‌：VDD绝对最大电压扩展至30V，适用于驱动20-Vgs、18-Vgs或15-Vgs的SiC MOSFET
• ‌低功耗‌：启动电流50μA（最大），工作电流1.3mA（典型值，f_OSC=52kHz）
• ‌快速保护‌：35ns的逐周期过流限制
• ‌驱动能力‌：±1A峰值驱动电流
• ‌封装选项‌：8引脚VSSOP（DGK）和8引脚SOIC（D）

3. 功能描述

• ‌保护功能‌：包括欠压锁定（UVLO）、过流限制等
• ‌电流模式控制‌：提供稳定的电流控制和快速的瞬态响应
• ‌高精度参考电压‌：内部参考电压精度±1%
• ‌灵活的配置‌：通过外部元件配置最大占空比、软启动时间等参数

4. 电气特性

• ‌绝对最大额定值‌：VDD=30V，输出驱动电流峰值±1A
• ‌推荐工作条件‌：VDD=28V，输出驱动电压=28V，工作结温-40°C至125°C（UCC28C5x），0°C至85°C（UCC38C5x）
• ‌低工作电流‌：在52kHz时仅为1.3mA
• ‌高精度‌：内部参考电压精度±1%，UVLO和DMAX的多种选项

5. 应用信息

• ‌应用领域‌：包括但不限于AC-DC或DC-DC固定频率电流模式控制方案
• ‌可替换性‌：UCCx8C5x可直接替换UCCx8C4x，设计步骤相同

6. 典型应用

• ‌离线应用‌：如使用UCC38C44的典型离线应用
• ‌正向转换器‌：提供48V至3.3V输出，效率超过85%

7. 设计与实现

• ‌详细设计步骤‌：包括输入电容、变压器设计、电流感应网络、栅极驱动电阻等的设计
• ‌布局指南‌：强调最小化高频功率环面积，优化反馈路径和旁路电容的放置

8. 支持与文档

• ‌文档资源‌：包括相关文档、设计资源、应用或其他设计建议
• ‌社区支持‌：TI E2E™支持论坛提供快速验证答案和设计帮助