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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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SiC MOSFET和SiC SBD的区别

SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们...

2024-09-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 4.5k 0

什么是SiC功率器件？它有哪些应用？

SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异...

2024-09-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 5.8k 0

SiC二极管的工作原理和结构

SiC二极管，即碳化硅二极管，作为第三代半导体材料的重要应用之一，其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管的工作原理和...

2024-09-10 标签：二极管半导体 SiC 3.4k 0

SiC二极管在大功率电源上的应用

SiC（碳化硅）二极管在大功率电源上的应用，正逐渐成为电力电子领域的一项重要技术革新。其凭借高能效、高功率密度、高温稳定性以及优越的电气特性，在多个大功...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC二极管概述和技术参数

SiC二极管，全称SiC碳化硅势垒二极管，也被称为SiC碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一种，属于第三代半导体材料的应...

2024-09-10 标签：二极管 SiC 碳化硅 3.7k 0

离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势

*本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC 变流器 2k 0

GaN和SiC在工业电子领域的优势

提高工业能源效率是制造业关键趋势，聚焦于优化电力电子设备。MOSFET作为主流电子元件，虽控制高效但寿命短、对过载敏感。新材料如氮化镓与碳化硅的出现，通...

2024-08-30 标签：MOSFET SiC GaN 1.3k 0

SiC FET在固态断路器应用中的冲击电流处理能力

固态断路器(SSCB)相比于传统的电机械断路器具有多种优势。基于宽带隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的SSCB可以在许多应用中扩大其...

2024-08-20 标签：固态断路器 SiC 1.1k 0

SiC器件在电源中的应用

SiC（碳化硅）器件在电源中的应用日益广泛，其独特的物理和化学特性使得SiC成为提升电源效率、可靠性及高温、高频性能的关键材料。以下将详细探讨SiC器件...

2024-08-19 标签：电源 SiC 碳化硅 2.2k 0

提升传统基于IGBT模块的电力组件性能的SiC模块

近年来，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成为当前使用IGBT的电力转换器设计师的真正替代方案。到目前为止，大多数SiCMOSFET...

2024-08-19 标签：IGBT SiC IGBT模块 2k 0

GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同

GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料...

2024-08-15 标签：晶体管 SiC GaN 2.8k 0

DTS技术提高功率模块可靠性方面发挥的关键作用

派恩杰半导体，中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。在新能源汽车、光伏储能、白色家电、...

2024-08-12 标签：半导体功率器件 SiC 3.3k 0

Qorvo在SiC领域的战略布局

SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代，而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年，已占据自己的一席之地。

2024-08-12 标签：半导体 SiC 射频芯片 1.2k 0

CAN SIC收发器助力复杂CAN网络高效可靠通信（2）

SIC的作用机理在CAN总线上，通过CAN_H和CAN_L两根线上的电位差来表示CAN信号。CAN总线上的电位差分为两种：显性电平(DominantVo...

2024-08-09 标签：收发器 CAN 通信 3.7k 0

SiC 技术相对于 Si 具有不可否认的优势

在逆变器、电机驱动和充电器等应用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷却需求和更低的整体系统成本等优势。尽管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 标签：MTTF SiC GaN 937 0

PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动

/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 标签：MOSFET 电机驱动 SiC 3k 0

碳化硅器件的应用领域和技术挑战

　　碳化硅（SiC）是一种以碳和硅为主要成分的半导体材料，近年来在电子器件领域的应用迅速发展。相比传统的硅材料，碳化硅具有更高的击穿电场、更高的热导率和...

2024-08-07 标签：半导体 SiC 碳化硅 1.3k 0

碳化硅功率器件的优势和分类

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1.8k 0

碳化硅晶体的生长原理

碳化硅晶体的生长原理在自然界中，晶体不胜枚举，其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体；此外，半导体晶体、激光晶体、...

2024-08-03 标签：晶体 SiC 衬底 5.1k 0

国产车规级智能隔离栅极驱动器概述

电机控制器是新能源汽车中的重要组成部分，负责控制电机的运转，而栅极驱动器则是电机控制器中的关键元件之一。今天就给大家推荐一款国产车规级智能隔离栅极驱动器...

2024-08-01 标签：MOSFET SiC 栅极驱动器 1.8k 1

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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无线供电，是一种方便安全的新技术，无需任何物理上的连接，电能可以近距离无接触地传输给负载。实际上近距离的无线供电技术早在一百多年前就已经出现，而我们现在生活中的很多小东西，都已经在使用无线供电。
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Navitas 成立于 2014 年，开发的超高效氮化镓（GaN）半导体在效率、性能、尺寸、成本和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。Navitas 这个名字来源于拉丁语中的能源，它不仅体现了我们对开发技术以改善和更可持续的能源使用的关注，还体现了我们到 2026 年为估计 13B 美元的功率半导体市场带来的能源。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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