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浮思特 | 至信微 SiC MOSFET 赋能三相组串式逆变器：高效升级与选型实践

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2025-11-25 标签：逆变器设备 SiC MOSFET 966 0

浮思特 | SiC MOSFET 赋能电动主驱逆变器：效率与动力的双重突破

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2025-11-17 标签：MOSFET 逆变器 SiC MOSFET 890 0

浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑电动车热泵空调，替代IGBT的核心优势

在新能源汽车行业，冬季续航缩水、低温制热效率低一直是用户关注的核心痛点。而热泵空调作为解决这一问题的关键配置，其性能表现直接取决于核心部件——压缩机控制...

2025-11-07 标签：电动车 IGBT SiC MOSFET 1.3k 0

浮思特|SiC MOSFET与普通MOSFET的区别及应用分析

在现代功率电子技术中，MOSFET(场效应晶体管)是不可或缺的关键组件。它广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车等领域。而随着功率需求和系统效率的不断提高...

2025-09-04 标签：MOSFET SiC SiC MOSFET 525 0

浮思特 | 为什么新能源离不开碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模块

大家可能经常听到这样一句话：“碳化硅(SiC)正在改变电力电子行业。”那么，为什么一块小小的半导体器件，能让电动车跑得更远，光伏逆变器更高效，甚至让充电...

2025-08-29 标签：SiC 碳化硅 SiC MOSFET 443 0

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封装的优势和应用领域

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封装的优势和应用领域的深度分析：一、T2PAK-7兼容HU3PAK封...

2025-08-10 标签：封装 SiC MOSFET AB3M040065C 1.1k 0

SiC MOSFET在三相四桥臂变换器中的应用优势

由于第四桥臂的引入，对比三相三桥臂变换器，负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三个(±Udc,0)，因此自然的，相同电路...

2025-07-14 标签：电流变换器 SiC MOSFET 802 0

驱动电路设计（七）——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用

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2025-03-24 标签：电源电路设计 PFC 1.0万 0

SiC MOSFET在3-kW LLC变换器设计中的优势

使用宽带隙半导体材料(如碳化硅或氮化镓)制造的电源开关现在在电力变换器中得到了广泛应用。SiC晶体管的高速开关特性以及低反向恢复电荷，或氮化镓HEMT的...

2025-03-21 标签：电源开关 LLC变换器 SiC MOSFET 783 0

案例探讨正电压浪涌的对策和其效果

为了验证抑制电路的效果，将抑制电路单独安装在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驱动电路上并观察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外观和...

2024-01-26 标签：电容器驱动电路电压浪涌 1.1k 0

SiC MOSFET的桥式结构

2023-12-07 标签：SiC MOSFET 1.1k 0

SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

2023-12-05 标签：SiC 驱动电压 SiC MOSFET 3.6k 0

芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之...

2023-08-16 标签：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 1.2k 0

特斯拉Model Y Gen-4主驱逆变器拆解

Model-Y Drive Unit的主要改进：不再使用泄放电阻（可能使用电机绕组对母线电容放电）；使用本地隔离偏置为栅极驱动器电路供电，以降低...

2023-06-15 标签：变压器逆变器特斯拉 3.9k 0

新能源汽车功率模块结温在线监测技术研究

提出一种Si IGBT和SiC MOSFET功率器件导通压降及电流在线检测电路，设计了兼具结温监测功能的驱动电路，并提出了- -种结温反推方法，提升了结...

2023-05-23 标签：MOSFET IGBT 功率器件 877 0

一文详解功率器件封装结构热设计方案

通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为单面散热器件、双面散热器件和多面散热器件。

2023-04-26 标签：pcb 半导体技术功率器件 2.6k 0

典型车用IGBT芯片结构设计解析

Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ，Sic MOSFET开关速度快引起的EMII问...

2023-04-17 标签：emi IGBT 晶体管 651 0

《电动汽车电力电子技术及市场-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，将迅速增长并主导市场份额，IDTechEx在报告中给出了各类器件的应用时间表。虽然经过验证的SiC MOS...

2023-02-23 标签：电动汽车功率器件 SiC MOSFET 2k 0

高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压 SiC MOSFET 由于其单极工作模式，高击穿电压将严重限制器件的导通电流能力。例如对于10 kV 等级器件来说，室温下其电流等级约为 20~4...

2023-02-03 标签：SiC SiC MOSFET 5.1k 0

富昌电子系统设计中心SiC版逆变器方案

该方案基于NXP Power架构主控MCU平台，融合了ON隔离预驱芯片及碳化硅功率器件，以及NXP电源管理芯片，可实现汽车功能安全标准ISO26262的...

2022-10-31 标签：逆变器碳化硅 SiC MOSFET 1.1k 0

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