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NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。

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技术前沿：半导体存储器

按照存储介质的不同，现代数字存储主要分为光学存储器、磁性存储器和半导体存储器三类。光学存储器包括 CD、DVD 等。磁性存储器包含磁带、软盘、HDD 硬...

2022-12-01 标签：半导体 NAND FlaSh 3.7k 0

关于SiP/模块技术介绍

　　拱形环形形成，具有良好的再现性。　　特定的形状具有良好的再现性。　　需要采用最合适的电气设计、结构设计和工艺设计。　　YMRH将支持客户...

2022-11-18 标签：NAND SiP 6.2k 0

NAND Flash非易失存储器简介

NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑...

2022-11-10 标签：NAND FlaSh 存储器 2.8k 0

ADALM2000实验：TTL逆变器和NAND门

自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来，各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。

2022-11-05 标签：NAND TTL 逆变器 1.6k 0

谈谈新型存储

存储器是半导体的重要市场之一，其约占据了半导体近1/3的市场份额。其中，从存储芯片细分产品来看，DRAM和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的...

2022-10-25 标签：DRAM NAND FlaSh 1.5k 0

3D NAND的层是否数物理限制？

美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D ...

2022-08-29 标签：NAND 3d nand 871 0

计算嵌入式医疗设备应用中SSD的使用寿命

　　重要的是要注意，即使对于模型良好的应用程序，计算也最多只是理论上的。产生真实结果的更准确的方法包括使用应用程序本身中的工具来监控 NAND 闪存的确...

2022-08-11 标签：驱动器 NAND SSD 991 0

MCU用于NAND闪存保存引导代码和固件的三种方法

请注意 USB OTG、以太网和 TFT 显示接口等高端外围设备。这些可能是代码和数据密集型的。更高密度的 NAND 闪存的一个完美应用是保存图形页面模...

2022-08-09 标签：微控制器 mcu SDRAM 2.6k 0

FPGA加速的NVMe存储解决方案

近年来，向基于NAND闪存的存储迁移和非易失性存储器快车®(NVMe™)的引入，为技术公司以不同的方式"做存储"增加了许多机会。实时...

2022-08-02 标签：fpga NAND 存储器 4.6k 0

低功耗和紧凑型解决方案满足嵌入式系统内存要求

2014 年，赛普拉斯推出了 HyperBus 接口，该接口利用并行和串行接口存储器的传统特性，提高了系统性能，简化了设计，并显着降低了成本。在支持 H...

2022-07-26 标签：嵌入式 NAND 内存 3.5k 0

各种MRAM家族成员的挑战和前景

磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储...

2022-07-26 标签：NAND 存储器 MRAM 2.9k 0

在M2M应用中使用NOR和NAND闪存

　　物联网（IoT）及其 M2M 产品将一些最令人兴奋的电子技术进步带到了我们生活的最前沿。大多数新产品和丰富的 M2M 服务正在针对 3G 技术进行扩展。

2022-06-14 标签：NAND 物联网调制解调器 2.7k 0

SAP HANA如何使用非易失性内存

由于HANA一体机的特点，使用最新的NVM内存需要的是整个软硬件业界的共同努力。目前SAP HANA数据库（HANA2 SPS03）已经实现了对NVM的...

2022-06-10 标签：处理器 DRAM NAND 3.5k 0

相比PCRAM、eMVM，MRAM有何优势

　虽然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各种 NVM 技术具有相似的高级特征，但它们的物理渲染却大相径庭。这为每个人提供了自己的一系列...

2022-06-10 标签：DRAM NAND 存储器 4k 0

NAND闪存面临的挑战，是什么阻碍了NAND闪存？

在过去的几十年里，NAND 对固态存储设备中的系统控制器提出了苛刻的任务。这些管理任务增加了系统复杂性、功耗、晶体管门数和整体存储系统开发成本。

2022-05-12 标签：CMOS NAND RRAM 5.4k 0

智能刻蚀带来突破性的生产力提升

增加电路密度而不必移动到新技术节点的优势使得垂直扩展成为半导体行业的强大驱动力。但它也有一系列挑战，其中关键的挑战便是刻蚀能力。

2022-01-24 标签：NAND 晶圆泛林集团 1.2k 0

pSLC带来的“新”存储容量伪SLC如何兼顾耐用性和经济性

（作者：Swissbit AG 存储解决方案总经理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新...

2021-11-16 标签：闪存 NAND 存储 2.0万 0

如何为系统选择合适的NAND闪存？

闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。 ...

2021-04-14 标签：闪存 NAND 存储 2k 0

基于K9K2G08存储器实现微型心电记录仪的设计

常规心电图记录仪是医生诊断心脏疾病的主要手段之一，但它仅能记录短暂心搏情况。由于在相当多的情况下难以记录到即刻发作时的心电图改变，导致无法作出正确的诊断和治疗。

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汽车电子系统中闪存文件系统的应用设计与研究

事务文件系统可以通过处理设备中的事务日志来动态建立文件系统的层次结构。这种操作发生在系统启动之时，应设计成只有很少部分的数据需要读取和CRC校验。这样一...

2021-04-06 标签：嵌入式 nand 汽车电子 2.4k 0

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非易失性存储器一般指非易失性内存，非易失性存储器（英语：non-volatile memory，缩写为NVM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。
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