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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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设计驱动电路该使用MOS管还是三极管？（文末领BJT和MOSFET对比资料）

晶体管 BJT 和MOSFET 都适用于放大和开关应用。然而，它们具有显着不同的特征。双极结型晶体管 (BJT) 双极结型晶体管，通常称为 BJT...

2022-06-22 标签：三极管 MOSFET MOS管 4.1k 0

温度对CoolSiC™ MOSFET的影响

CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。

2022-06-22 标签：MOSFET 电压功率器件 5.4k 0

半桥驱动电路工作原理自举电容的计算及注意事项

MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的...

2022-06-17 标签：MOSFET 驱动电路自举电容 3.4万 0

基于IRFP250N的MOSFET放大器电路

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带MOSFET的PWM直流电机控制器电路

这是简单且低成本的脉冲宽度调制——使用 MOSFET 的 PWM 直流电机控制器。这种用于直流电机控制的连接是为了防止发热并最大限度地降低功耗。

2022-06-17 标签：MOSFET PWM 电机控制器 6.1k 0

详解SiC MOSFET的寄生导通问题

富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域...

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在驱动电路电压轨处于正确值之前，不应由 PWM 信号主动驱动 IGBT/MOSFET。然而，当栅极驱动 DC/DC 上电或断电时，即使 PWM 信号处于...

2022-06-16 标签：MOSFET IGBT dcdc转换器 2.7k 0

什么是功率半导体？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由结构顶部和底部的栅极组成。东京大学的研究员 Takuya Saraya 在论文中说：“IGBT 的一个主要缺点是其开关频率相对较低，因...

2022-06-15 标签：MOSFET IGBT 功率半导体 3.4万 0

有无驱动器源极引脚的差异和效果

在上一篇文章中，我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响，从而可降低开...

2022-06-15 标签：MOSFET 驱动器引脚 4.3k 0

浅谈DC/DC转换器输出电感器和电容器的选择

BD9G500EFJ-EVK-001 输出 5 VDC，输入 48 VDC。BD9G500EFJ-LA 的输入电压范围为 7 至 76 VDC，其输出电...

2022-06-14 标签：电容器 MOSFET 电感器 9k 0

带MOSFET的25W高保真音频放大器电路

这是一款高保真、高品质的25WHiFi音频放大器电路，可提供出色的音频性能。此设计不需要前置放大器电路，因为它可以直接连接到计算机、电话、收音机、电视等...

2022-06-10 标签：MOSFET HIFI 音频放大器 4k 0

一文深入了解SiC MOSFET栅-源电压的行为

具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相...

2022-06-08 标签：MOSFET 驱动器电压 4.6k 0

低功率和大功率栅极驱动器的实例计算

有了这么多的强力工具选项，设计兼容性可能是一个斗争。了解更多关于利用金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的挑战

2022-06-07 标签：MOSFET 大功率栅极驱动器 1.9k 0

使用安森美新型SiC模块构建25kW快速电动汽车充电桩

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。

2022-06-07 标签：电动汽车 MOSFET 安森美 4.1k 0

远距离红外发射电路图解析

这里的远距离/远距离红外发射器电路，为您的红外发射器提供额外的功率。大多数红外遥控器在5米范围内可靠地完成工作。

2022-06-06 标签：MOSFET 发射器电路红外发射器 8.4k 0

一个带有单功率MOSFET LF2810A的2W射频放大器电路

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2022-06-01 标签：MOSFET 射频放大器 4k 0

带内部功率MOSFET的浪涌抑制器方案

传统上，过流保护使用的是保险丝。但是，保险丝体积庞大，响应速度慢，跳闸电流公差大，需要在一次或几次跳闸后更换。本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的1...

2022-05-27 标签：MOSFET 保险丝过流保护 4.1k 0

如何确定MOSFET所需的最小散热器尺寸

假定我们设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那么MOSFET的实际外壳温度必须保持在...

2022-05-20 标签：MOSFET 散热器 8.2k 0

功率MOSFET搭配散热器的分析讲解

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一文详解MOSFET的失效机理

当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。

2022-05-16 标签：MOSFET 雪崩击穿雪崩失效 5.8k 0

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