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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助。
三菱电机开发了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模块
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑,一般的大功率应用可以采用并联连接来提高输出功率。高电压功率模块在高频下运行,需要考虑模块自...
近年来,以碳化硅、氮化镓材料为代表的第三代宽禁带功率半导体器件越来越受到客户的追捧。特别是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二极管,以其宽带隙,高电场强度...
学电源电源看这里,这次我们分享一下开关电源功率损耗及热耗的工程估算! 电源在为负载提供能量的同时也在燃烧自己,在电源设计时大家会很仔细的去分析负载的需求...
功率半导体开关通常在用于电路设计时,能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗,这是其一大优势。在各种电路保护应用中,器件需要连续传送电流,较低...
基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计
功率场效应管自身拥有众多优点,但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护...
由于IGBT管工作在大电流 高电压状态,工作频率较高,发热量大,因此其故障率较高,又由于其价格较高,故代换IGBT管时,应遵循以下原则:首先,尽量用原型...
通过软件设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行仿真实验
近年来全球范围内出现了新一轮的太空探索热潮,世界各主要航天大国相继出台了一系列雄心勃勃的航天发展规划。空间技术的迅猛发展,使各种电子设备已经广泛应用于人...
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSF...
新型固体图像传感器LBCAST JFET的内部结构特点及功能分析
尼康公司的D2H单反数字相机中使用了一种新型的固体图像传感器LBCAST JFET。该器件在读数方式、内部结构等方面有了较大改进,与CCD、CMOS图像...
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选...
采用2SD315AI-33模块实现高性能的IGBT驱动保护电路的设计
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管...
飞兆开发出二极管的器件FDZ3N513ZT,专为智能电话的显示屏提供照明
飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT,占位面积仅为1mm x 1mm。 FDZ3N5...
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