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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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如何利用DC-DC负载点稳压器进行精确地限制电流？

高端电流检测放大器也可用于通过电源路径中的电流检测电阻测量小压降。它们可以非常准确地测量电流。

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探讨1,200-V 300-A SiC MOSFET对开关频率的影响

由于快速的开关，传导损耗和击穿电压的增加，在现代工业应用中增加了SiC MOSFET的使用。通过最快速的开关速度和更高的频率赋能，该框架减小了尺寸并提高...

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SiC肖特基二极管器件设计方案解析

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2021-03-27 标签：MOSFET 肖特基二极管 SiC 6.7k 0

电源设计中关于噪声和尖峰的解决方案

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降压转换器仿真的电源设计方案分析

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飞兆半导体的超结MOSFET和IGBT SPICE模型解读

如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为工程师，您想多久了解一次电路应用中每个部分的行为？是的-检查。半导体公司的模型通常能真正代表电路应用条...

2021-04-02 标签：MOSFET IGBT PSPICE 5.9k 0

关于SiC MOSFET的新的电路设计挑战

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2021-04-02 标签：MOSFET 半导体器件栅极驱动器 4.6k 0

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设计人员经常想测量直流开关电源的结温。从安全和故障模式以及效果分析（FMEA）的角度来看，了解系统的结温是一项重要且基本的要求。在许多应用中，重要的是在...

2021-04-06 标签：二极管温度传感器 MOSFET 5.7k 0

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本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中，介绍了抑制传导和辐射电磁干扰（EMI）的实用指南和示例，尤其是针对采用单片集成功率 MOSFET 的 DC...

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基于无芯变压器技术的栅极驱动器

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“鉴于 EMI 可能在后期严重阻碍设计进度，浪费大量时间和资金，因此必须在设计之初就应考虑EMI 问题。”德州仪器（TI）白皮书《通过节省时间和成本的创...

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2021-04-13 标签：变压器二极管 MOSFET 2.7k 0

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2021-04-15 标签：MOSFET 电源转换器 3.2k 0

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

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