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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2541次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| MDDG10R04P | 100V 130A 3.2mΩ中低压功率N-MOS管 |
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| MDD210N40P | 40V 210A 1.5mΩ中低压功率N-MOS管 |
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| MDD100N03D | 30V 100A 2.8mΩ中低压功率N-MOS管 |
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| MUR1560CT | 电流:15A 电压:600V超快恢复二极管 |
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| MUR860CT | 电流:8A 电压:600V超快恢复二极管 |
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| MBRB30200T | 电流:30A 电压:200V肖特基二极管 |
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| MUR2020DCT | 电流:20A 电压:200V超快恢复二极管 |
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| MMBTA06 |
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| MDD8205 | 双N沟导MOS管,20V/5A, 23毫欧低阻产品。 |
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| ES5JB | 贴片超快恢复二极管 |
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| BAT46WS | 小信号肖特基二极管 |
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| BAT46W | 小信号肖特基二极管 |
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| BAT54WS | 电压:21V 电流:100MA |
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| SI2301-3A | P沟道,电流:-3.0A,耐压:-20V |
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| MMBT5551-E | 该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。 |
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| MDDG1C120R040K3 | 1个N沟道 耐压:1.2KV 电流:55A |
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| SI2301S-2.3A | 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A |
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| M7(5K)-ZX |
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| S1M(2K)-ZX |
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| S2MF-S2M-SMAF-A2-T3-ZX |
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| B5819W-SL(S)-T3-ZX | 电压:40V 电流:1A |
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| SS14(2K)-ZX | 电压:40V 电流:1A |
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| RS3M-SMC-T3-ZX |
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| RS2G-SMBG-T3-ZX |
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| ER1J-SMAG-ZX |
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| RS1D(2K)-ZX |
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| US1G(2K)-ZX |
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| SM8S18A | TVS 18V截止 226A峰值脉冲 |
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| SS36-SMB-AJ-T3-ZX | 电压:60V 电流:3A |
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| S2M-SMAJ-ZX |
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