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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| 74HC165D | 可实现灵活的串行至串行或串行至并行数据转换功能,满足不同系统配置需求,能有效管理和传输大量信息流,以卓越性能提升系统整体效率。 |
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| 74HC165PW | 8 位并行负载移位寄存器 16-TSSOP -40 to 125 |
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| 74HC595D | 可实现灵活的串行至串行或串行至并行数据转换功能,满足不同系统配置需求,能有效管理和传输大量信息流,以卓越性能提升系统整体效率。 |
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| 74HC595PW | 8 位串行输入/并行输出移位寄存器;2V 至 6V 的宽工作电压范围;高电流三态输出最多可驱动 15 个低功耗肖特基晶体管 -晶体管逻辑器件 (LSTTL) 负载;低功耗:80 μA(最大值)ICC;Δtₚd = 13 ns(典型值);电压为 5V 时,输出驱动为 ±6mA;低输入电流:1μA(最大值);移位寄存器具有直接清零功能。 |
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| DTA114ECA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| DTA123YCA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计 |
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| DTC123YCA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计 |
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| DTC143ZCA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| DTC143XCA | 特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| DTA143ECA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| DTA123ECA | 特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计。 |
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| DTC114ECA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| DTA143ZCA | 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计 |
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| ME5V0Z1BBC | SOD-523封装小信号ESD管 |
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| MMBT3904T | SOT-523塑料封装晶体管 |
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| MDDG04R01L | 40V N通道增强模式MOSFET |
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| MDDG06R01L | 60V N通道增强模式MOSFET |
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| SD05CS | SOD-323封装小信号ESD管 |
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| MDDG10R08D |
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| MDD60N04D |
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| MBRF3060CT |
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| MMDT3904 | SOT-363塑料封装晶体管 |
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| MMDT3946 | SOT-363塑料封装晶体管 |
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| MMBT5401T | SOT-523塑料封装晶体管 |
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| MDDG10R04B | 100V N通道增强模式MOSFET |
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| MDDG10R08P | 100V N通道增强模式MOSFET |
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| MDD7N60F | 600V N通道增强模式MOSFET |
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| MDD3080 | 30V N通道增强模式MOSFET |
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| MDD30N06D | 60V N通道增强模式MOSFET |
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| MDD4438 | 60V N通道增强模式MOSFET |
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