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标签 > mdd
MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| LB10S |
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| MB05S |
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| SF56(GPP) |
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| ES2D |
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| SM4003 | 200V,1A,VF=1.1V@1A |
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| SM8S24CA |
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| SM8S36CA |
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| SM18C |
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| DHE1D |
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| SF1006ED |
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| BZT52C39S |
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| DB106S |
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| GS1J |
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| BZT52C18T |
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| US2GF |
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| BZT52C33S |
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| BAS40-04 |
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| SF1004ED |
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| SF506ED |
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| MBRD10100T |
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| MDD2300 |
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| SMBJ14A-T3 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):14V;击穿电压:15.6V;最大钳位电压:23.2V; |
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| SMCJ15CA-T3 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):15V;击穿电压:16.7V;最大钳位电压:24.4V; |
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| SMCJ18A-T3 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):18V;击穿电压:20V;最大钳位电压:29.2V; |
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| SMCJ28A-T3 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):28V;击穿电压:31.1V;最大钳位电压:45.4V; |
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| SMCJ43CA-T3 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):43V;击穿电压:47.8V;最大钳位电压:69.4V; |
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| SMCJ54A-T3 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):54V;击穿电压:60V;最大钳位电压:87.1V; |
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| ESD2105L |
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| MDD2306 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,4A; |
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| SMCJ12A-T3 | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压:13.3V;最大钳位电压:19.9V; |
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