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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT1G126GW | 是一款带三态输出的单缓冲器/线路驱动器。输入具有过压容限 |
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| 74LVC1G07GV | 是一款带漏极开路输出的单缓冲器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动。 |
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| 74AHC1G07GW | 是一款带漏极开路输出的单缓冲器。输入具有过压容限 |
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| 74LVC1G11GW | 一款单路三输入与门。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动 |
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| 74AHC1G09GV | 一款单路2输入与门,具有漏极开路输出。输入具备过压容限 |
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| 74AHC1G09GW | 一款单路2输入与门,具有漏极开路输出。输入具备过压容限 |
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| 74AHCT1G08GW | 单路 2 输入与门。输入具有过压容限 |
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| 74LVC1G86GW | 提供二输入异或功能。输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动 |
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| 74LVC1G97GV | Low-power configurable multiple function gate |
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| 74LVC2G06GW | 74LVC2G06GW是一款具有漏极开路输出的双反相器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动。 |
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| 74HC14D | 74HC14D是一款带施密特触发器输入的六反相器。该器件的输入阈值电平经过降低处理,可与TTL逻辑电平接口。输入还包含钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压 |
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| 74LVC2G04GW | 74LVC2G04GW是一款双反相器。其输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动。这一特性使得这些器件可在 3.3 V 和 5 V 混合环境中用作电平转换器 |
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| 74AHC1G04GV | 74AHC1G04GV是单反相器。输入具有过压容限。这一特性允许在混合电压环境中使用这些器件作为电平转换器 |
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| 74AHCT1G04GV | 74AHCT1G04GV 是单反相器。输入具有过压容限。这一特性允许在混合电压环境中使用这些器件作为电平转换器 |
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| 74LVC1G14GW | 74LVC1G14GW是一款带施密特触发器输入的单反相器。其输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动。 |
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| 74LVC1G04GW | 74LVC1G04GW是一款单反相器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动。这一特性使得这些器件可在3.3 V和5 V混合环境中用作电平转换器 |
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| 74AHCT1G126GV | 是一款带三态输出的单缓冲器/线路驱动器。输入具有过压容限 |
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| 74LVC1G125GV | 是一款具有三态输出的单缓冲器/线路驱动器。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动 |
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| 74AHCT1G125GV | 是一款带三态输出的单缓冲器/线路驱动器。输入具有过压容限 |
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| 74AHC1G125GV | 这是一款具有三态输出的单总线缓冲器/线路驱动器。当输出使能(OE)为高电平时,输出将被禁用。相反,当OE(上划线)为低电平时,真实数据将从A输入传输到Y输出 |
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| 74LVC1G34GW | 是一款单缓冲器。其输入可以由3.3 V或5 V器件驱动 |
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| 74LVC1G17GW | 是一款单缓冲施密特触发器。输入可由3.3 V或5 V器件驱动。 |
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| 74HC08D | 4 通道、2 输入、2V 至 6V 5.2 mA 驱动强度与门 |
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| 74AHC1G08GW | 74AHC1G08GW是单路 2 输入与门。输入具有过压容限 |
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| 74LVC1G11GV | 74LVC1G11GV是一款单路三输入与门。其输入可由3.3 V或5 V器件驱动 |
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| 74AHCT1G32GV | Single 2-input OR gate; TTL input |
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| 74LVC1G58GW | 一款带施密特触发器输入的可配置多功能门电路。该器件可通过3位输入配置为以下任意逻辑功能:与门、或门、与非门、或非门、异或门、反相器和缓冲器 |
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| 74AHCT1G08GV | 单路 2 输入与门。输入具有过压容限 |
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| 74HC164PW | 8 位并行输出串行移位寄存器 14-TSSOP -40 to 125 |
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| 74HC164D | 移位寄存器 8位串行输入,并行输出移位寄存器 |
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