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深入了解 GaN 技术

2023-12-06 标签：栅极氮化镓 GaN 7.6k 0

GaN HEMT基本概述、分类及工作原理

氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表...

2022-09-27 标签：晶体管 GaN HEMT 7.2k 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 标签：晶体管 GaN HEMT 6.6k 0

氮化镓器件介绍与仿真

本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。

2023-11-27 标签：二极管仿真氮化镓 5.5k 0

增强型GaN HEMT的漏极电流特性

已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管（HEMT）的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体（MIS）结构，2具有由电压驱...

2022-07-25 标签：氮化镓 HEMT 5.1k 0

GaN HEMT工艺全流程

GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，...

2023-05-25 标签：半导体晶体管 GaN 5k 0

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温A...

2023-02-14 标签：欧姆 GaN HEMT 4.9k 0

AIN/AIGaN/GaN MIS异质结构C-V分析

C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。

2023-02-14 标签：半导体 MOS HEMT 4.8k 0

GaN HEMT器件的结构和工作模式

继上一篇屏蔽栅MOSFET技术简介后，我们这次介绍下GaN HEMT器件。GaN 半导体材料是一种由镓元素与氮元素组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，在消费电子...

2025-09-02 标签：MOSFET 半导体 GaN 4.4k 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性

通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输...

2023-02-14 标签：微波 SiC HEMT 4.2k 0

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而...

2023-06-14 标签：晶体管 GaN HEMT 4k 0

GaN HEMT有哪些优缺点

GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺...

2024-08-15 标签：GaN 功率半导体 HEMT 4k 0

高功率GaN HEMT的可靠性设计

氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3...

2022-09-19 标签：放大器 RF GaN 3.4k 0

三种功率器件的区别解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又称Si 超结MOS)，SiC MOS和GaN HEMT竞争最为激烈的产品区间，其典型应用为高频高效高功率...

2025-08-16 标签：封装功率器件 SiC 3.4k 0

GaN HEMT大信号模型

GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8...

2023-05-24 标签：功率放大器 GaN HEMT 3.4k 0

GaN HEMT器件结构解析

硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体器件都着重于减少功率损耗。在这些...

2023-11-09 标签：集成电路氮化镓功率半导体 3.3k 0

用热反射测温技术测量GaN HEMT的瞬态温度

第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性...

2023-02-13 标签：半导体晶体管 HEMT 3.3k 0

绝缘栅HEMT器件界面固定电荷分析

由于界面固定电荷没有充放电效应，所以利用回滞曲线或变频方法无法提供界面固定电荷信息，平带电压VFB漂移是常用的用于计算界面固定电荷的方法。本文首先结合能...

2023-02-13 标签：半导体 GaN HEMT 3.2k 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复...

2024-04-18 标签：氮化镓 GaN HEMT 3k 0

基于GaN单晶N极性HEMT器件

这是NEDO关于“加强后5G信息通信系统基础设施研究开发项目”的成果。2020年6月，NEDO发布了该决定，并计划让住友电工从事高频器件高功率、小型化技...

2022-11-23 标签：GaN 毫米波 HEMT 3k 0

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尽管最初傅里叶分析是作为热过程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的还原论和分析主义的特征。“任意”的函数通过一定的分解，都能够表示为正弦函数的线性组合的形式，而正弦函数在物理上是被充分研究而相对简单的函数类，这一想法跟化学上的原子论想法何其相似！
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