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　hbt为深圳市先亚进出口有限公司旗下所设的企业展示主站与销售平台网站“合宝堂”的英文简称。英文全称为“herbtown”，中文名为“合宝堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一种由砷化镓（GaAs）层和铝镓砷（AlGaAs）层构成的双极晶体管。

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HMC466LP4/466LP4E采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，6.1-6.72GHz技术手册

HMC466LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。该V...

2025-04-29 标签：VCO GaAs HBT 691 0

HMC533LP4/533LP4E采用SMT封装的VCO，提供16分频，23.8-24.8GHz技术手册

HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变...

2025-04-30 标签：VCO GaAs HBT 690 0

HMC3587HBT增益模块MMIC放大器，4-10GHz技术手册

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2025-03-20 标签：放大器增益 HBT 686 0

HMC370LP4/370LP4E x4有源倍频器SMT技术手册

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2025-04-17 标签：GaAs HBT 倍频器 685 0

HMC505LP4/505LP4E采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，6.8-7.4GHz技术手册

HMC505LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 ...

2025-04-29 标签：VCO GaAs HBT 685 0

HMC695LP4/HMC695LP4E x4有源倍频器，11.4-13.2GHz输出技术手册

HMC695LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表贴封装。在+5V电源电压下，功率...

2025-04-18 标签：GaAs HBT 倍频器 680 0

HMC361S8G/361S8GE使用InGaP HBT技术，2分频，采用SMT封装，DC-10GHz技术手册

HMC361S8G(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波输入）至10...

2025-04-17 标签：分频器 GaAs HBT 667 0

HMC-C072超低相位噪声放大器模块，6-12GHz技术手册

HMC-C072是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在6至12 GHz的频率下工作。这种高动态范围放大器模块提供11 dB的增...

2025-04-08 标签：放大器 GaAs HBT 664 0

HMC515LP5/515LP5E采用SMT封装的VCO技术手册

HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变...

2025-04-30 标签：VCO GaAs HBT 663 0

HMC391LP4/391LP4E集成缓冲放大器的VCO SMT，3.9-4.45GHz技术手册

HMC391LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。由于...

2025-04-29 标签：VCO GaAs HBT 663 0

HMC-C077超低相位噪声放大器模块，1.5-5GHz技术手册

HMC-C077是一款GaAs HBT超低噪声放大器，封装在微型密封模块中，在1.5至5 GHz的频率下工作。这种高动态范围放大器模块提供14 dB的...

2025-04-08 标签：放大器 GaAs HBT 661 0

HMC386LP4/386LP4E集成缓冲放大器的VCO SMT，2.6-2.8GHz技术手册

HMC386LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。由于...

2025-04-29 标签：GaAs HBT MMIC 661 0

HMC365G8 InGaP HBT 4分频SMT封装，DC-13GHz技术手册

HMC365G8是一款低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚密封型表贴玻璃/金属封装。此器件在DC（使用方波输入）至...

2025-04-17 标签：分频器 GaAs HBT 654 0

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技术，8分频，采用SMT封装技术手册

HMC494LP3(E)是一款低噪声8分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用无引脚3x3 mm QFN表面贴装塑料封装。此器件在D...

2025-04-18 标签：分频器 GaAs HBT 652 0

HMC535LP4/535LP4E锁相振荡器，采用SMT封装，14.7-15.4GHz技术手册

HMC535LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC PLO。由于振荡器的单芯片结构，PLO的相位噪声性能在温度、...

2025-04-27 标签：振荡器 GaAs HBT 649 0

HMC445 x16有源倍频器，采用SMT封装技术手册

HMC445LP4(E)是一款有源微型x16倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。功率输出为+7 dBm（...

2025-04-18 标签：GaAs HBT 倍频器 647 0

HMC732LC4B集成缓冲放大器SMT的宽带VCO SMT，6-12GHz技术手册

THMC732LC4B是一款宽带GaAs InGaP HBT MMIC压控振荡器，集成谐振器、负电阻器件和变容二极管。由于该振荡器采用单芯片结构，因此...

2025-04-30 标签：压控振荡器 GaAs HBT 645 0

HMC362S8G/362S8GE使用InGaP HBT技术，4分频，采用SMT封装技术手册

HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波...

2025-04-17 标签：分频器 GaAs HBT 644 0

HMC430LP4/430LP4E采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，5.0-5.5GHz技术手册

HMC430LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 ...

2025-04-29 标签：VCO GaAs HBT 637 0

HMC431LP4/431LP4E采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，5.5-6.1GHz技术手册

HMC431LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 ...

2025-04-29 标签：VCO GaAs HBT 635 0

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