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hbt为深圳市先亚进出口有限公司旗下所设的企业展示主站与销售平台网站“合宝堂”的英文简称。英文全称为“herbtown”,中文名为“合宝堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管。
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HMC363InGaP HBT 8分频芯片,DC-12GHz技术手册
HMC363是低噪声的8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.45 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至...
HMC362S8G/362S8GE使用InGaP HBT技术,4分频,采用SMT封装技术手册
HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC(使用方波...
HMC362 InGaP HBT 4 分频芯片,DC-11GHz技术手册
HMC362 是一款低噪声 4 分频静态分频器,采用 InGaP GaAs HBT 技术,尺寸小,仅为 1.30 x 0.69 mm。该器件采用单个 +...
HMC361S8G/361S8GE使用InGaP HBT技术,2分频,采用SMT封装,DC-10GHz技术手册
HMC361S8G(E)是一款低噪声2分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC(使用方波输入)至10...
HMC361使用InGaP HBT技术,2分频芯片,DC-11GHz技术手册
HMC361是低噪声的2分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.14 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至...
HMC-XDB112 x2无源倍频器芯片,20-30GHz输出技术手册
HMC-XDB112是一款单芯片无源倍频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)技术,适用于低频率倍频比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊...
HMC630LP3/630LP3E HBT矢量调制器,采用SMT封装技术手册
HMC630LP3和HMC630LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC,可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC6...
HMC-C079超低相位噪声放大器模块,3-8GHz技术手册
HMC-C079是一款GaAs HBT超低噪声放大器,封装在微型密封模块中,在3至8 GHz的频率下工作。 这种高动态范围放大器模块提供11 dB的增益...
HMC-C077超低相位噪声放大器模块,1.5-5GHz技术手册
HMC-C077是一款GaAs HBT超低噪声放大器,封装在微型密封模块中,在1.5至5 GHz的频率下工作。 这种高动态范围放大器模块提供14 dB的...
HMC-C072超低相位噪声放大器模块,6-12GHz技术手册
HMC-C072是一款GaAs HBT超低噪声放大器,封装在微型密封模块中,在6至12 GHz的频率下工作。 这种高动态范围放大器模块提供11 dB的增...
HMC-C007 InGaP HBT 8分频模块,0.5-18GHz技术手册
HMC-C007是一款低噪声8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,封装在微型密封模块中,带有可更换的SMA连接器。 该器件在0.5至1...
HMC-C006 InGaP HBT 4分频模块,0.5-18GHz技术手册
HMC-C006是一款低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,封装在微型密封模块中,带有可更换的SMA连接器。 该器件在0.5至1...
HMC740 InGaP HBT有源偏置MMIC放大器技术手册
HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT...
HMC480 InGaP HBT增益模块放大器,采用SMT封装,DC-5GHz技术手册
HMC480ST89(E)是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器,在DC至5 GHz的频率下工作,采用行业标准SOT89封装。 该放大器...
HMC457功率放大器,采用SMT封装,1.7-2.2GHz技术手册
HMC457QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器,在1.7至2.2 GHz的频率下...
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