HMC-XDB112 x2无源倍频器芯片，20-30GHz输出技术手册

概述
HMC-XDB112是一款单芯片无源倍频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)技术，适用于低频率倍频比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，HBT器件已完全钝化以实现可靠操作。

HMC-XDB112无源倍频器MMIC可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-XDB112 x2无源倍频器芯片，20-30GHz输出技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• VSAT
• 测试仪器仪表
• 军事和太空
• 时钟发生

特性

• 转换损耗： 13 dB
• 无源： 无需直流偏置
• 输入驱动： +13 dBm
• 高Fo隔离： 30 dB
• 裸片尺寸： 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

框图

焊盘描述

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应使用导电环氧树脂（参见HMC通用操作、安装、键合说明）直接连接到接地层，或者与接地层实现电连接。建议使用0.127mm（5密耳）厚的氧化铝薄膜微带线传输线来传输50Ω射频信号，并将其连接到芯片（图1）。如果必须使用0.254mm（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，芯片应抬高0.150mm（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。实现这一点的一种方法是将0.120mm（4密耳）厚的芯片连接到0.150mm（6密耳）厚的钼垫片（热沉片）上，然后将其连接到接地层（图2）。

微带线应尽可能靠近芯片放置，以尽量减少键合线长度。典型的芯片与衬底间距为0.076mm至0.152mm（3至6密耳）。

操作注意事项

遵循以下预防措施，避免造成永久性损坏。

• 存储 ：所有芯片均应放置在防静电华夫盒或凝胶基防静电容器中，然后密封在防静电袋中运输。防静电袋一旦开封，所有芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片。请勿尝试使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感性 ：遵循防静电措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号和偏置电缆，以尽量减少电感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子夹持芯片边缘。芯片表面可能有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面有金属化层，可以使用金锡共晶预制件或导电环氧树脂进行芯片安装。安装时芯片应保持清洁和平整。

• 共晶焊接 ：建议使用80/20金锡预制件，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。使用90/10氮气/氢气混合气体时，工具尖端温度不得超过290°C。芯片温度达到320°C以上时，请勿擦拭芯片。连接时间不应超过3秒。
• 环氧树脂粘贴 ：在安装表面涂抹适量环氧树脂，确保芯片放置到位后，其周边出现一圈薄的环氧树脂边。按照制造商的固化时间表固化环氧树脂。

引线键合

建议使用0.003英寸×0.0005英寸的带状射频键合线。这些键合线应采用热超声键合，键合力为40 - 60克。建议使用DC键合线，直径0.001英寸（0.025毫米），采用热超声键合。建议使用球键合，键合力为40 - 50克，楔形键合，键合力为18 - 22克。所有键合应在150°C的标称阶段温度下进行。为实现可靠键合，应施加最小12微秒的能量，所有键合长度应尽可能短，小于12密耳（0.31毫米）。