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DDR5是一种计算机内存规格。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。
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美光 DDR5 内存配合第四代 AMD EPYC 处理器,提升高性能计算工作负载
来源:美光科技 作者:Krishna Yalamanchi、Sudharshan Vazhkudai 美光与AMD联手为客户及数据中心平台提供一流的用户...
新款32Gb颗粒不仅支持消费级UDIMM和SODIMM 64GB单条容量,更能让企业级RDIMM在无需硅通孔工艺3D堆叠的条件下,实现单模组128GB,...
有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月...
硬件世界拉斯维加斯现场报道:CES 2024大展上,华硕首次展示了全新迷你主机ROG NUC,传承于Intel NUC,拥有超小的体积、超强的性能。
目前数据中心容纳了全球约三分之一的数据。2020年的数据量大约是20ZB,预计到2025年都将保持15-20%的年增长率。数据中心面临的挑战不仅包括需要...
瑞萨电子推出面向高性能服务器和云服务应用的DDR5数据缓冲器
高速、低功耗数据缓冲器为DDR5 DRAM及存储类内存模块提升速度与带宽。
SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足...
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块(MRDIMM)的完整内存接口芯片组解决方案。
今年市场对DRAM的整体需求并不乐观。尤其去年第四季度供应商的大幅涨价,已经让市场开始担忧库存回补的动能会减弱。
AI PC推动存储规格升级 预期明年上半年DDR5将会超越DDR4
随着三大国际DRAM厂商三星、SK海力士、美光科技扩大减产幅度,业内普遍认为,供给减少叠加AI带动的需求扩大,存储器市场有望扬升。
据市调机构TrendForce估算,市场对HBM需求呈现高速增长,加上HBM利润高,故三星、SK海力士及美光国际三大原厂将增加资金投入与产能投片
Rambus内存互连芯片业务部门产品营销副总裁John Eble在接受记者采访时表示,“目前DDR4仍然保持着强劲的势头,DDR5现在是处在早期的爬坡阶段。”
海盗船涉足工作站DDR5内存市场,发布 WS DDR5 ECC RDIMM系列新品
该系列内存为套装形式,提供每份4或8根选择,适配英特尔至强W-3400/2400系列以及AMD锐龙Threadripper 7000 (PRO)系列处理...
南亚科存储芯片营收连续亏损,第四季度DRAM平均售价环比增长
2024年,南亚科预披露将启动资本开销约200亿元,有待董事会批准。同时进一步释放消息,计划2024年使用10nm第二代制程技术(1B)来生产8Gb D...
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