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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比

派恩杰半导体认为，Cascode结构只是从Si产品转向SiC产品的一个过渡产品，因为Cascode结构完全无法发挥出SiC器件的独特优势。

2022-02-23 标签：MOSFET 碳化硅 4261 0

研究碳化硅衬底和外延的实验报告

摘要本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓...

2022-02-15 标签：晶圆衬底镀膜 1703 0

2022年开工第一天，派恩杰半导体在全球首推PD 快充的碳化硅应用方案

派恩杰半导体在此65W USB PD快充方案中，在不更改任何驱动参数条件下与传统硅功率器件650V/125mohm进行性能比较，在满载条件下完整展现...

2022-02-08 标签：碳化硅 USB PD 派恩杰 1539 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法

摘要本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温...

2022-02-07 标签：半导体碳化硅电沉积 962 0

碳化硅在碱性溶液中的阳极刻蚀

引言人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数，可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域，例...

2022-01-10 标签：半导体 SiC 碳化硅 1763 0

GaN 和 SiC 器件相似和差异

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。

2021-11-17 标签：SiC GaN 半导体器件 4351 0

碳化硅功率晶体的设计发展及驱动电压限制

在硅材料的高压超级结功率晶体中，磊晶层的通态电阻占总通态电阻的90%以上。

2021-10-25 标签：碳化硅功率晶体管 1103 0

碳化硅功率模块建模

2021-09-13 标签：碳化硅 1238 0

确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

在功率电子系统中，差分探头和参考地电平探头是两种常用的电压测量方法。差分探头是一种流行的选择，因为它可以毫无问题地添加到电路的任意节点中。

2021-07-13 标签：电子系统 SiC 碳化硅 2163 0

碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

2021-07-04 标签：SiC 电机驱动器碳化硅 2280 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化镓技术的“甜区”在哪里？

2021-06-02 标签：MOSFET 逆变器 IGBT 2921 0

用碳化硅MOSFET设计双向降压-升压转换器

电池供电的便携式设备越来越多，在如今的生活中扮演的角色也愈发重要。这个趋势还取决于高能量存储技术的发展，例如锂离子（Li-ion）电池和超级电容器。这些...

2021-04-14 标签：MOSFET 升压转换器碳化硅 1267 0

碳化硅技术如何变革汽车车载充电

为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC拓扑结构，包括传统PFC、半无桥PFC、双向无桥PFC和图腾柱无桥PFC。

2021-04-14 标签：电动汽车二极管安森美半导体 1691 0

碳化硅如何能够提升开关电源设计

一个关键的比较参数是导通电阻RDS（on）。硅MOSFET表面的参数看起来比SiC更好，但由于其较低的倍增系数（κ），在100℃时，一个84mΩ的Coo...

2021-04-14 标签：MOSFET 开关电源碳化硅 1384 0

英飞凌实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联方案解析

以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联，给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 标签：MOSFET IGBT 碳化硅 4326 0

分布式光伏发电逆变器的碳化硅应用案例

消费者、各行业及政府都在采取各项措施以增加对可再生能源的利用，这正在将发电和输配电系统从中心化的电网转换成更加智能化网格化的，支持本地发电的拓扑，并通过...

2020-12-14 标签：光伏发电分布式碳化硅 1364 0

在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

碳化硅CoolSiC™ 器件的体二极管正向电压（VF）是硅CoolMOS™器件的四倍。如果不对电路进行相应调整，很有機會在谐振LLC转换器上在轻负载时效...

2020-12-14 标签：MOSFET 开关电源电源转换器 1056 0

碳化硅肖特基二极管的优点及应用

碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极...

2020-11-17 标签：肖特基二极管碳化硅 6148 0

SiC如何实现比硅更好的热管理？SiC在电子领域有哪些应用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）系列材料。它的物理键非常牢固，使半导体具有很高的机械，化学和热稳定性。宽...

2021-03-18 标签：MOSFET 功率器件 SiC 7891 0

基于SiC或GaN的功率半导体应用设计

工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG...

2021-04-06 标签：电磁干扰 SiC 氮化镓 3252 0

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